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耐威科技子公司成功研制“8 英寸硅基氮化鎵外延晶圓

NSFb_gh_eb0fee5 ? 來(lái)源:lq ? 2018-12-20 15:21 ? 次閱讀
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耐威科技發(fā)布公告稱,近日,公司控股子公司聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聚能晶源”)成功研制“8 英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延晶圓”,具體如下:

公告顯示,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)與第二代半導(dǎo)體硅(Si)、砷化鎵(GaAs)等材料相比,第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)具有更大的禁帶寬度(> 3 eV),一般也被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。得益于禁帶寬度的優(yōu)勢(shì),GaN 材料在擊穿電場(chǎng)、本征載流子濃度、抗輻照能力方面都明顯優(yōu)于 Si、GaAs 等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料。此外,GaN 材料在載流子遷移率、飽和載流子濃度等方面也較 Si 更為優(yōu)異,因此特別適用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率與微波電子器件,在 5G 通訊、云計(jì)算、快充電源、無(wú)線充電等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

與此同時(shí),將 GaN 外延生長(zhǎng)在硅襯底之上,可以有效地結(jié)合 GaN 材料的高性能以及成熟 Si 晶圓的大尺寸、低成本優(yōu)勢(shì)?;谙冗M(jìn)的 GaN-on-Si 技術(shù),可以在實(shí)現(xiàn)高性能 GaN 器件的同時(shí)將器件制造成本控制在與傳統(tǒng) Si 基器件相當(dāng)?shù)某潭?。因此,GaN-on-Si 技術(shù)也被業(yè)界認(rèn)為是新型功率與微波電子器件的主流技術(shù)。

2018 年,耐威科技先后投資設(shè)立了聚能晶源、青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司,依托專業(yè)團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢(shì),聯(lián)合產(chǎn)業(yè)資源,積極布局并把握下一代功率與微波電子領(lǐng)域的市場(chǎng)機(jī)遇。自成立以來(lái),聚能晶源積極投入研發(fā),充分發(fā)揮核心團(tuán)隊(duì)的技術(shù)優(yōu)勢(shì),先后攻克了 GaN 與 Si 材料之間晶格失配、大尺寸外延應(yīng)力控制、高耐壓 GaN外延生長(zhǎng)等技術(shù)難關(guān),成功研制了達(dá)到全球業(yè)界領(lǐng)先水平的 8 英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延晶圓。該型外延晶圓在實(shí)現(xiàn)了 650V/700V 高耐壓能力的同時(shí),保持了外延材料的高晶體質(zhì)量、高均勻性與高可靠性,可以完全滿足產(chǎn)業(yè)界中高壓功率電子器件的應(yīng)用需求。聚能晶源 8 英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延生長(zhǎng)腔體及外延晶圓實(shí)物圖如下:

耐威科技表示,本次“8 英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延晶圓”的研制成功,使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長(zhǎng)時(shí)可靠性的 8 英寸 GaN 外延晶圓的生產(chǎn)企業(yè),且在采用國(guó)際業(yè)界嚴(yán)苛判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的情況下,聚能晶源研制的外延晶圓在材料、機(jī)械、電學(xué)、耐壓、耐高溫、壽命等方面具有性能優(yōu)勢(shì),能夠保障相關(guān)材料與技術(shù)在 5G 通訊、云計(jì)算、快充電源、無(wú)線充電等領(lǐng)域得到安全可靠的應(yīng)用。

耐威科技指出,“8 英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延晶圓”在國(guó)際上仍屬于從研發(fā)到商業(yè)規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵階段,耐威科技當(dāng)期尚未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),形成量產(chǎn)能力的具體時(shí)間及成效存在不確定性。短期內(nèi)不會(huì)對(duì)公司的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)產(chǎn)生重大影響,但有利于公司加快在第三代半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的技術(shù)儲(chǔ)備,有利于增強(qiáng)公司核心競(jìng)爭(zhēng)力并把握市場(chǎng)機(jī)遇。

值得注意的是,鑒于目前業(yè)內(nèi)尚未形成通用標(biāo)準(zhǔn)且沒(méi)有專門從事測(cè)試的第三方機(jī)構(gòu),本次“8 英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延晶圓”的性能測(cè)試在耐威科技內(nèi)部進(jìn)行,屬于企業(yè)自主測(cè)試結(jié)果,耐威科技未聘請(qǐng)第三方鑒定機(jī)構(gòu)對(duì)結(jié)果進(jìn)行鑒定或公證。

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原文標(biāo)題:耐威科技子公司成功研制“8英寸硅基氮化鎵外延晶圓”

文章出處:【微信號(hào):gh_eb0fee55925b,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體投資聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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