貼片電容概念

瓷片電容（ceramiccapacitor）是一種用陶瓷材料作介質(zhì)，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。

瓷片電容分類

1.高頻瓷介

具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。

2.低頻瓷介

低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。

瓷片電容規(guī)格識(shí)別方法

①1000V-6000V高頻瓷片電容

高頻瓷片電容一般主要都是運(yùn)用于較高穩(wěn)定振蕩的回路中，因此其在穩(wěn)定性方面要求是比較高的，如比較常見的耦合電容以及高壓旁路就會(huì)選擇用高頻瓷片電容。最主要的優(yōu)點(diǎn)就是可以耐受高溫以及耐磨性比較強(qiáng)，如日常生活中常見的電視接收機(jī)上就會(huì)使用高壓瓷片電容。

②50V以下低頻瓷片電容

低頻瓷片電容主要是運(yùn)用在一些工作頻率比較低的回路中，在這類型的回路中往往對(duì)于電容的穩(wěn)定性以及損耗的程度要求都不是很高。尤其是在一些脈沖比較強(qiáng)的電路中是不能使用低頻瓷片電容的，否則很有可能會(huì)被電壓直接擊穿。

③規(guī)格一和規(guī)格二差異比較

二者不同類型的瓷片電容規(guī)格識(shí)別可以直接通過電容器或者是電路來進(jìn)行判斷。一般來說可以耐受高壓，絕緣性比較好，而且比較可靠，運(yùn)用于高壓電路中的就屬于高頻瓷片電容。而低頻瓷片電容相比較而言可靠性以及成本都比較低，多數(shù)時(shí)候都是運(yùn)用于一些低頻電路以及耦合電路等的電容器中。

④瓷片電容規(guī)格快速識(shí)別方法

一般來說在音頻控制器以及分頻器上使用的電容都是高頻瓷片電容，因?yàn)槠淙萘繒?huì)比較大，通過金屬塑料薄膜的使用可以獲得更佳的音質(zhì)。其次就是在濾波電容中，其容量的特性決定了使用電解電容的效果會(huì)比較好，但在使用的過程中還要注意抑制高頻阻抗不斷上升的情況。所以針對(duì)瓷片電容規(guī)格的識(shí)別來說，可以通過判斷回路的電壓以及特性就可以快速鑒別出其所使用的瓷片電容，同時(shí)在進(jìn)行識(shí)別的時(shí)候也可以參照電阻的規(guī)格識(shí)別方法。

瓷片電容的讀數(shù)方法

瓷片電容的讀數(shù)方法和電阻的讀數(shù)方法基本相同，分色標(biāo)法、數(shù)標(biāo)法和直標(biāo)法3種。瓷片電容的基本單位用法拉（F）表示，其它單位還有：毫法（mF）、微法（μF）、納法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000納法（nF），1納法=1000皮法（pF）。

容量大的瓷片電容其容量值在電容上直接標(biāo)明，如10μF/16V;

容量小的瓷片電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示;

字母表示法：2m=2000μF，1P2=1.2PF，2n=2000PF;

數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)字，第三位數(shù)字表示有效數(shù)字后面零的個(gè)數(shù)，它們的單位都是pF。

例如：211表示標(biāo)稱容量為210pF。

214表示標(biāo)稱容量為21x10（4）pF。

在這種表示法中有一個(gè)特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用“9”表示時(shí)，是用有效數(shù)字乘上10的-1次方來表示容量大小。例如：219表示標(biāo)稱容量為21x（10-1）pF=2.1pF。

瓷片電容優(yōu)缺點(diǎn)及作用

瓷片電容優(yōu)點(diǎn)：容量損耗隨溫度頻率肯高穩(wěn)定性；適合于高電壓極長期工作可靠性，高電流爬升速率并適用于大電流回路無感型結(jié)構(gòu)。缺點(diǎn)就是容量比較小。

瓷片電容常用于音響和高頻電子線路，常見的瓷片電容容量較小，一般從幾個(gè)pf到零點(diǎn)幾u(yù)f，它與其他種類的電容從本質(zhì)功能上來說沒有什么區(qū)別，都是隔直流通交流，但瓷片電容的高頻特性比較好，一般在電路中發(fā)揮著耦合、濾波、退藕、震蕩等作用。