“原本計(jì)劃好的設(shè)備升級(jí)預(yù)算，現(xiàn)在連內(nèi)存都買不起了?！币晃?a href="http://qiaming.cn/v/tag/232/" target="_blank">嵌入式開(kāi)發(fā)工程師在論壇上無(wú)奈地表示，“同樣容量的工業(yè)級(jí)內(nèi)存模塊，現(xiàn)在的采購(gòu)成本幾乎是年初的兩倍。”這樣的困擾正蔓延至整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈。

1、市場(chǎng)異動(dòng)

內(nèi)存價(jià)格漲幅超出預(yù)期

近期內(nèi)存市場(chǎng)的漲勢(shì)令人震驚。行業(yè)分析報(bào)告顯示，2025年第三季度DRAM合約價(jià)格同比上漲高達(dá)171.8%，這一數(shù)字甚至超過(guò)了同期黃金的漲幅。

有業(yè)內(nèi)觀察人士指出，2025年第四季度將標(biāo)志著 “DRAM牛市” 的真正開(kāi)始。市場(chǎng)普遍預(yù)期，2026年可能會(huì)出現(xiàn)更嚴(yán)重的DRAM供應(yīng)短缺。

全產(chǎn)業(yè)鏈成本攀升

合約價(jià)格的暴漲已迅速傳導(dǎo)至產(chǎn)業(yè)各個(gè)環(huán)節(jié)。工業(yè)級(jí)DDR5內(nèi)存模塊的價(jià)格在最近幾個(gè)月內(nèi)普遍翻倍，部分高可靠性內(nèi)存條漲幅甚至超過(guò)120%。有些企業(yè)發(fā)聲：內(nèi)存條交付周期從之前的2-4周延長(zhǎng)至8-12周，且價(jià)格存在明顯波動(dòng)。

2、根源探析

AI需求吞噬產(chǎn)能

本輪內(nèi)存價(jià)格暴漲的核心驅(qū)動(dòng)力來(lái)自于人工智能行業(yè)的爆發(fā)式需求。訓(xùn)練與部署大型語(yǔ)言模型需要巨大的內(nèi)存資源，特別是高端內(nèi)存的需求呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。

單是OpenAI的一個(gè)項(xiàng)目，每月就需采購(gòu)多達(dá)90萬(wàn)片DRAM晶圓，占全球DRAM產(chǎn)量的近40%。云服務(wù)提供商紛紛提前鎖定供應(yīng)，某內(nèi)存大廠2026年底前的高帶寬內(nèi)存產(chǎn)量已幾乎全部被預(yù)定。

產(chǎn)能轉(zhuǎn)移引發(fā)連鎖反應(yīng)

面對(duì)AI領(lǐng)域的巨大需求，內(nèi)存制造商紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的產(chǎn)品。全球主要內(nèi)存制造商均已將資本支出轉(zhuǎn)向HBM與先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)。產(chǎn)能轉(zhuǎn)移的直接后果是標(biāo)準(zhǔn)DRAM供應(yīng)量的大幅縮減。生產(chǎn)高端內(nèi)存消耗的晶圓是標(biāo)準(zhǔn)DRAM的三倍多，這導(dǎo)致留給工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)DDR5、DDR4產(chǎn)品的產(chǎn)能銳減。

代理商操控加劇市場(chǎng)波動(dòng)

在供需失衡的背景下，內(nèi)存代理商基于其渠道優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步加劇了市場(chǎng)的價(jià)格波動(dòng)。這些代理商通過(guò)原廠排單拿貨，其價(jià)格會(huì)隨著原廠和市場(chǎng)行情波動(dòng)而不同；在缺貨行情中，往往采取小批放量、階梯上漲的策略。一旦從原廠先得到消息，包括原廠庫(kù)存、訂單排期、出貨情況等，部分貿(mào)易商就會(huì)開(kāi)始大肆囤貨。這種囤貨行為在供應(yīng)緊張時(shí)期人為地進(jìn)一步減少了市場(chǎng)流通量，導(dǎo)致即使下游有實(shí)際需求，也難以以正常價(jià)格獲得穩(wěn)定供應(yīng)，加劇了市場(chǎng)恐慌情緒。

3、產(chǎn)業(yè)影響

眾多領(lǐng)域面臨挑戰(zhàn)

內(nèi)存漲價(jià)的對(duì)工業(yè)控制、醫(yī)療電子、網(wǎng)絡(luò)通信等需要長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)的行業(yè)均受到不同程度影響，內(nèi)存和存儲(chǔ)成本的“大幅上漲”，讓采購(gòu)成本和采購(gòu)難度都大大增加。

存儲(chǔ)全線上漲

危機(jī)并不局限于DRAM市場(chǎng)。用于固態(tài)硬盤(pán)的NAND閃存同樣面臨價(jià)格飆升和供應(yīng)短缺。行業(yè)專家預(yù)測(cè)，NAND閃存短缺可能持續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間。傳統(tǒng)硬盤(pán)也因供應(yīng)限制宣布漲價(jià)，進(jìn)一步加劇了存儲(chǔ)市場(chǎng)的緊張態(tài)勢(shì)。

4、前景展望

短期難以緩解

業(yè)內(nèi)分析普遍認(rèn)為，內(nèi)存短缺與高價(jià)態(tài)勢(shì)短期內(nèi)難以緩解。技術(shù)分析報(bào)告指出，DDR5和LPDDR5x模塊的價(jià)格在2026年中前可能維持高位。部分行業(yè)觀察家預(yù)測(cè)，DRAM供應(yīng)限制預(yù)計(jì)將持續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間，這也是許多系統(tǒng)廠商與內(nèi)存供應(yīng)商簽訂長(zhǎng)期供應(yīng)合約的背景。

產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)深度調(diào)整

從長(zhǎng)遠(yuǎn)看，內(nèi)存市場(chǎng)可能正經(jīng)歷根本性的結(jié)構(gòu)調(diào)整。產(chǎn)業(yè)資本支出方向的轉(zhuǎn)變是供應(yīng)持續(xù)緊張的主要原因。以往的內(nèi)存價(jià)格周期通常在兩三年內(nèi)完成調(diào)整，但本次因AI需求的結(jié)構(gòu)性變化，可能導(dǎo)致市場(chǎng)格局發(fā)生長(zhǎng)期改變。存儲(chǔ)器制造商將大量資本支出轉(zhuǎn)向高端領(lǐng)域，留給傳統(tǒng)存儲(chǔ)器的投資相應(yīng)減少。

總結(jié)而言，曾經(jīng)相對(duì)穩(wěn)定的工業(yè)內(nèi)存市場(chǎng)正在經(jīng)歷一場(chǎng)歷史性調(diào)整。這場(chǎng)因AI而起的內(nèi)存風(fēng)暴，正在重塑整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈格局，考驗(yàn)著每一個(gè)市場(chǎng)參與者的應(yīng)變能力。