一、并行NAND閃存的基本概念

并行NAND閃存（Parallel NAND）是一種通過多條數(shù)據(jù)線同時(shí)傳輸多位數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)芯片。不同于串行NAND依靠單線傳輸數(shù)據(jù)，并行NAND通過多個(gè)數(shù)據(jù)引腳同時(shí)傳輸，極大地提高了數(shù)據(jù)傳輸效率和響應(yīng)速度。

二、架構(gòu)解析與優(yōu)勢(shì)

1. 多平面架構(gòu)（Multi-plane Architecture）

并行NAND通常設(shè)計(jì)為多個(gè)平面（plane）或存儲(chǔ)塊（bank），每個(gè)平面能夠獨(dú)立執(zhí)行讀寫操作。通過交錯(cuò)訪問（interleaving）技術(shù)，在一個(gè)平面進(jìn)行讀寫時(shí)，其它平面同時(shí)執(zhí)行操作，大幅減少了數(shù)據(jù)等待時(shí)間，提高整體效率。

2. 并行數(shù)據(jù)傳輸

通過并行架構(gòu)，同時(shí)進(jìn)行多位數(shù)據(jù)傳輸，大幅增加了吞吐量。例如，常規(guī)同步并行NAND的數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)到每個(gè)引腳200 Mbit/s，多條數(shù)據(jù)線并行運(yùn)行可輕松突破Gbps級(jí)別。

3. 高可靠性和錯(cuò)誤糾正

并行NAND內(nèi)置先進(jìn)的ECC（糾錯(cuò)碼）技術(shù)，有效減少數(shù)據(jù)存儲(chǔ)過程中可能產(chǎn)生的位錯(cuò)誤。此外，現(xiàn)代并行NAND芯片提供壞塊管理和磨損均衡功能，進(jìn)一步提升存儲(chǔ)穩(wěn)定性。

三、存儲(chǔ)單元類型與特征

SLC（單層單元）

每個(gè)單元存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)

擦寫壽命高達(dá)10萬次，速度最快，適合工業(yè)和汽車級(jí)應(yīng)用

MLC（多層單元）

每單元存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)

中等耐用性（約1萬次），廣泛用于消費(fèi)電子

TLC（三層單元）

每單元存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)

擦寫次數(shù)約3000次，適合對(duì)成本敏感、容量需求高的消費(fèi)電子市場(chǎng)

四、性能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)

高吞吐量和低延遲

并行數(shù)據(jù)傳輸降低整體數(shù)據(jù)讀取延遲和提高吞吐速率。

先進(jìn)的數(shù)據(jù)保護(hù)措施

內(nèi)建數(shù)據(jù)塊保護(hù)、唯一設(shè)備ID和一次性可編程（OTP）區(qū)域，確保敏感數(shù)據(jù)安全。

智能糾錯(cuò)算法

使用自研先進(jìn)算法進(jìn)行糾錯(cuò)和壞塊管理。

五、并行NAND閃存的典型應(yīng)用

工業(yè)控制系統(tǒng)與汽車電子

采用SLC NAND，耐用性極佳，適合長期可靠運(yùn)行的環(huán)境，如汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化等。

消費(fèi)電子與多媒體設(shè)備

MLC/TLC NAND，以成本和容量?jī)?yōu)勢(shì)應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能電視、便攜式播放器等。

企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)中心

大容量、高性能并行NAND適用于服務(wù)器、大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，滿足企業(yè)級(jí)高性能存儲(chǔ)需求。

嵌入式系統(tǒng)與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備

性能、耐用性和平衡容量，廣泛應(yīng)用于智能家居、穿戴設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)終端。

六、芯天下（XTX）并行NAND產(chǎn)品特點(diǎn)

芯天下的并行NAND產(chǎn)品（例如XT27系列）主要為SLC結(jié)構(gòu)，提供工業(yè)級(jí)可靠性和耐用性，具有如下優(yōu)勢(shì)：

支持高效ECC糾錯(cuò)

靈活的封裝類型（BGA、TSOP等）

寬溫度范圍適應(yīng)工業(yè)環(huán)境

易于集成，兼容性強(qiáng)，支持快速替換與升級(jí)

芯天下 Parallel Nand 主要型號(hào)

高可靠性：

采用 SLC 工藝，擁有高擦寫耐久（最高可達(dá) 10 萬次擦寫）及長期數(shù)據(jù)保持能力

內(nèi)建 14?bit ECC 硬件引擎、壞塊管理、垃圾回收及掉電保護(hù)算法，通過數(shù)萬次隨機(jī)掉電測(cè)試。

接口與封裝全面：

支持標(biāo)準(zhǔn) Parallel NAND（TSOP48、BGA63/BGA67、BGA24 等）及 PPI 接口，兼容性強(qiáng)

多種封裝尺寸（6×8mm~12×20mm），適配消費(fèi)類、工業(yè)與嵌入式應(yīng)用

容量覆蓋廣泛：

產(chǎn)品容量線從 1 Gbit 至 8 Gbit，覆蓋中高容量需求場(chǎng)景

包括 Parallel、SPI、SD NAND 及 MCP 多種產(chǎn)品形態(tài)，滿足多終端接口與集成需求

應(yīng)用場(chǎng)景廣泛

智能家居、可穿戴、藍(lán)牙設(shè)備、教育電子等消費(fèi)類產(chǎn)品

網(wǎng)絡(luò)通訊（路由器、機(jī)頂盒、家庭網(wǎng)關(guān)）、監(jiān)控、數(shù)字電視等中/高容量存儲(chǔ)設(shè)備

工業(yè)級(jí)應(yīng)用支持 ?40 °C~85 °C 工作溫度，具有更強(qiáng)的抗環(huán)境干擾能力

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

國產(chǎn)自主研發(fā) & 技術(shù)積累

自研 SLC NAND 控制器、ECC、壞塊管理技術(shù)

貼近應(yīng)用場(chǎng)景

完善的寬電壓支持（1.2?3.6 V），覆蓋電池供電、工業(yè)供電各種系統(tǒng)

MCU、PSRAM 和閃存多芯片整合 MCP 方案，節(jié)省空間、降低成本

認(rèn)證穩(wěn)固，客戶覆蓋廣

已獲英特爾、聯(lián)發(fā)科、瑞昱、博通、中興、科沃斯等知名廠商認(rèn)證

在 TWS、可穿戴、智能電視、汽車電子、5G 網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)。

敏捷定制交付能力

Fabless + 委托代工、封測(cè)的模式，具備快速響應(yīng)客戶需求能力

支持多接口定制、封裝定制，滿足 OEM/ODM 的深度設(shè)計(jì)需求。

向客戶推薦理由

高耐久、高可靠：適合要求長久擦寫與掉電保護(hù)的關(guān)鍵任務(wù)場(chǎng)景，如工業(yè)監(jiān)控與汽車日志。

接口靈活、封裝豐富：覆蓋平板、機(jī)頂盒、智能設(shè)備等多場(chǎng)景標(biāo)準(zhǔn)接口。

國產(chǎn)可控、認(rèn)證保障：深耕國內(nèi)市場(chǎng)，符合安全可控和供應(yīng)鏈穩(wěn)定策略。

集成空間節(jié)省方案：MCP 產(chǎn)品節(jié)省 PCB 面積，適合輕薄設(shè)備市場(chǎng)趨勢(shì)。

審核編輯 黃宇