STMicroelectronics TSB621低功耗運算放大器是一款通用雙運算放大器，具有2.7V至36V擴(kuò)展工作電流范圍和軌到軌輸出。TSB621具有出色的速度/功耗比，增益帶寬積為1.7MHz，在36V電源電壓下每個操作器的電流消耗小于375μA。采用SOT23-5封裝的TSB621放大器具有-40°C至+125°C工作溫度范圍，適合用于板上空間有限的應(yīng)用。典型應(yīng)用包括工業(yè)、電源和汽車。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：STMicroelectronics TSB621低功耗運算放大器數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 低失調(diào)電壓最大值：1mV（+25°C時）
• 低電流消耗最大值：375μA/操作器（36V時）
• 寬電源電壓范圍：2.7V至36V
• 增益帶寬：1.7MHz
• 單位增益穩(wěn)定
• 軌到軌輸出
• 輸入共模電壓包含接地
• 對4kV HBM ESD的高容差
• EMI硬化
• 擴(kuò)展溫度范圍：-40°C至+125°C
• 符合汽車標(biāo)準(zhǔn)
• SOT23-5封裝類型

引腳圖

TSB621系列低功耗運算放大器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、器件概述與技術(shù)定位

?TSB621、TSB622、TSB624?是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的通用型運算放大器系列，專為要求寬電源電壓范圍和低功耗的應(yīng)用而設(shè)計。該系列器件在工業(yè)控制、汽車電子和電源管理系統(tǒng)中具有重要應(yīng)用價值。

主要技術(shù)特色

• ?寬電源電壓范圍?：2.7V至36V
• ?低電流消耗?：在36V電源電壓下每通道最大375μA
• ?軌到軌輸出?：確保信號動態(tài)范圍最大化
• ?增益帶寬積?：1.7MHz典型值
• ?單位增益穩(wěn)定?：簡化電路設(shè)計復(fù)雜度

二、電氣特性深度分析

1. 直流性能參數(shù)

?輸入偏移電壓?在25°C時最大為1mV，這一指標(biāo)在實際應(yīng)用中具有重要意義。偏移電壓的溫度漂移最大為1.6μV/°C，保證了器件在寬溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定性。

?輸入偏置電流?在典型工作條件下僅為3nA，這種低輸入電流特性使得器件在高阻抗傳感器接口電路中表現(xiàn)出色。

2. 交流性能表現(xiàn)

器件具備?1.7MHz的增益帶寬積?，配合45°的相位裕度，在保持穩(wěn)定性的同時提供足夠的帶寬。

? 轉(zhuǎn)換速率(Slew Rate) ?典型值為0.60V/μs（在36V電源下），這一參數(shù)直接影響器件處理快速變化信號的能力。

三、引腳配置與封裝選項

TSB621（單通道）

采用?SOT23-5封裝?，引腳配置如下：

• 引腳1：輸出
• 引腳2：負(fù)電源電壓
• 引腳3：正輸入電壓
• 引腳4：負(fù)輸入電壓
• 引腳5：正電源電壓

TSB622（雙通道）

提供?SO8、MiniSO8、DFN8?三種封裝選擇。其中DFN8封裝尺寸僅為3×3mm，其暴露焊盤可懸空或接地。

TSB624（四通道）

采用?SO14、TSSOP14?封裝，適合多通道應(yīng)用的緊湊布局需求。

四、極限參數(shù)與安全工作區(qū)

絕對最大額定值

• ?電源電壓?：40V
• ?差分輸入電壓?：±Vcc
• ?輸入電壓范圍?：(Vcc-)-0.2至(Vcc+)+0.2V
• ?存儲溫度?：-65至150°C
• ?結(jié)溫?：150°C

特別注意：輸入電流必須通過串聯(lián)電阻進(jìn)行限制，短路可能引起過熱和破壞性功耗。

五、典型性能特征曲線分析

電源電流特性

器件在2.7V至36V電源電壓范圍內(nèi)表現(xiàn)出?優(yōu)異的電流穩(wěn)定性?，這對于電池供電應(yīng)用尤為重要。

溫度穩(wěn)定性

輸入偏移電壓在-40°C至125°C溫度范圍內(nèi)變化平緩，體現(xiàn)了器件在惡劣環(huán)境下的可靠性。

頻率響應(yīng)

不同電源電壓下的波特圖顯示，器件在不同工作條件下均保持良好的相位裕度和增益特性。

六、實際應(yīng)用設(shè)計要點

1. 電源設(shè)計考慮

由于工作電壓范圍寬達(dá)2.7V至36V，設(shè)計時可選擇不同的電源方案：

• ?電池供電?：2.7V至5V范圍
• ?工業(yè)電源?：12V至24V范圍
• ?汽車電源?：12V至36V范圍

2. PCB布局建議

• 對于SOT23-5封裝，推薦焊盤尺寸為1.10×0.60mm
• SO8封裝建議使用2.30×0.60mm的焊盤布局
• DFN8封裝的散熱焊盤處理需特別注意

3. ESD防護(hù)設(shè)計

器件提供?4kV HBM ESD耐受能力?，但在實際應(yīng)用中仍需考慮額外的保護(hù)措施。

七、可靠性測試與質(zhì)量保證

器件經(jīng)過?汽車級認(rèn)證?，滿足AEC-Q100和Q003標(biāo)準(zhǔn)要求。在擴(kuò)展溫度范圍(-40°C至125°C)內(nèi)均能穩(wěn)定工作。

熱管理

不同封裝的熱阻參數(shù)：

• SO8：125°C/W
• MiniSO8：190°C/W
• DFN8 3x3：40°C/W
• SOT23-5：250°C/W

設(shè)計時需根據(jù)實際功耗和熱阻計算結(jié)溫，確保在安全工作范圍內(nèi)。

八、選型指導(dǎo)與訂購信息