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ZK30N100G:Trench工藝加持的100A低壓MOS管,重構(gòu)低壓功率控制新生態(tài)

中科微電半導(dǎo)體 ? 2025-10-22 10:59 ? 次閱讀
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在低壓功率電子領(lǐng)域,“大電流承載”與“低損耗運(yùn)行”始終是終端設(shè)備追求的核心目標(biāo)。中科微電推出的ZK30N100G N溝道MOS管,以30V額定電壓為基礎(chǔ),突破100A連續(xù)導(dǎo)通電流上限,融合先進(jìn)Trench(溝槽)工藝與高適配性TO-252-2L封裝,精準(zhǔn)破解汽車電子、消費(fèi)級(jí)大功率設(shè)備、工業(yè)低壓控制等場(chǎng)景的電流瓶頸與能效痛點(diǎn),成為國(guó)產(chǎn)低壓大電流MOS管領(lǐng)域的“性能標(biāo)桿”,為設(shè)備升級(jí)提供了高效可靠的功率控制方案。
核心參數(shù)拆解:低壓大電流場(chǎng)景的性能基因
ZK30N100G的參數(shù)設(shè)計(jì)并非簡(jiǎn)單的指標(biāo)堆砌,而是圍繞“電流承載上限突破”“能效損耗優(yōu)化”“場(chǎng)景適配靈活性”三大核心需求展開,每一項(xiàng)參數(shù)都對(duì)應(yīng)著終端設(shè)備的實(shí)際痛點(diǎn),構(gòu)建起兼顧“強(qiáng)承載、低損耗、易集成”的特性體系。
從電能承載能力來(lái)看,30V額定電壓與100A連續(xù)導(dǎo)通電流的組合,實(shí)現(xiàn)了低壓系統(tǒng)的“大電流升級(jí)”。30V的電壓規(guī)格完美適配12V車載電源、24V工業(yè)控制電源及18V-24V消費(fèi)級(jí)設(shè)備(如電動(dòng)工具、智能清潔機(jī)器人),無(wú)需額外加裝電壓適配模塊即可安全工作;而100A的連續(xù)導(dǎo)通電流,較常規(guī)低壓MOS管(50A-80A)提升25%-100%,即便面對(duì)電機(jī)啟動(dòng)、電源瞬時(shí)過載等極端工況(如電動(dòng)扳手沖擊擰緊時(shí)的95A峰值電流),也能穩(wěn)定導(dǎo)通,避免因電流不足導(dǎo)致的器件燒毀或設(shè)備“掉電停機(jī)”。實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù)顯示,在30V輸入、100A滿負(fù)荷輸出時(shí),ZK30N100G的導(dǎo)通壓降僅為0.68V,遠(yuǎn)低于行業(yè)平均的0.92V,從源頭減少了功率傳輸過程中的損耗。
Trench工藝賦能的低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),是ZK30N100G能效優(yōu)勢(shì)的核心來(lái)源。相較于傳統(tǒng)平面工藝,Trench工藝通過在硅片表面刻蝕微米級(jí)溝槽結(jié)構(gòu),大幅縮短電流傳導(dǎo)路徑,使ZK30N100G的導(dǎo)通電阻(@Vgs=10V)低至7.2mΩ以下,較平面工藝MOS管(12mΩ-18mΩ)降低40%以上。按80A工作電流計(jì)算,其導(dǎo)通損耗僅為46.08W(P=I2R),較傳統(tǒng)產(chǎn)品減少35%,這意味著在24V/50A工業(yè)電源中,采用ZK30N100G后,電源轉(zhuǎn)換效率可提升3.5%-4.5%,每年每臺(tái)設(shè)備可節(jié)省電能約200度,大規(guī)模應(yīng)用時(shí)節(jié)能效益顯著。
封裝設(shè)計(jì)上,TO-252-2L(DPAK)封裝的選擇兼顧了散熱與集成需求。該封裝采用“雙引腳+底部大面積裸露焊盤”結(jié)構(gòu),底部焊盤面積達(dá)4mm2,可直接與PCB散熱覆銅緊密貼合,散熱效率較TO-92封裝提升3倍以上,能快速傳導(dǎo)100A大電流產(chǎn)生的熱量——在100A滿負(fù)荷工作時(shí),器件溫升可控制在38℃以內(nèi)(環(huán)境溫度25℃),無(wú)需額外加裝散熱片;同時(shí),其緊湊尺寸(長(zhǎng)6.5mm×寬6.1mm×高1.6mm)僅為TO-220封裝的1/3,可輕松嵌入電動(dòng)工具電池倉(cāng)、車載ECU(電子控制單元)等空間受限場(chǎng)景,為產(chǎn)品“輕薄化”設(shè)計(jì)提供支持。
此外,ZK30N100G的參數(shù)離散性控制(±20以內(nèi))也為多管并聯(lián)應(yīng)用提供了保障。在大功率鋰電池保護(hù)板、工業(yè)電源模塊等場(chǎng)景中,常需多顆MOS管并聯(lián)以提升電流承載能力,而傳統(tǒng)MOS管因參數(shù)離散性大(±30以上),易出現(xiàn)電流分配不均,導(dǎo)致單顆器件過流損壞。ZK30N100G通過精細(xì)化的工藝控制,將導(dǎo)通電阻、閾值電壓等關(guān)鍵參數(shù)的偏差控制在±20以內(nèi),4顆并聯(lián)時(shí)電流分配偏差可控制在5%以內(nèi),大幅提升了系統(tǒng)可靠性。
技術(shù)優(yōu)勢(shì):突破傳統(tǒng)低壓MOS管的性能瓶頸
ZK30N100G的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,源于其在“電流承載、能效控制、環(huán)境適應(yīng)”三大維度的技術(shù)突破,精準(zhǔn)解決了傳統(tǒng)低壓大電流MOS管的核心痛點(diǎn),為終端設(shè)備帶來(lái)顯著的性能升級(jí)與成本優(yōu)化。
大電流場(chǎng)景下的低損耗特性,破解了“承載與損耗”的矛盾。傳統(tǒng)低壓MOS管若要提升電流承載能力,往往需增大芯片面積,導(dǎo)致導(dǎo)通電阻升高、損耗增加;而ZK30N100G通過Trench工藝的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,在提升電流承載上限的同時(shí),反而降低了導(dǎo)通電阻——100A電流下的導(dǎo)通損耗較80A級(jí)傳統(tǒng)MOS管(導(dǎo)通電阻10mΩ)還低18%,這意味著在電動(dòng)工具、車載電機(jī)驅(qū)動(dòng)等大電流場(chǎng)景中,采用ZK30N100G不僅能避免“動(dòng)力不足”問題,還能減少設(shè)備溫升,延長(zhǎng)連續(xù)工作時(shí)間。例如,20V無(wú)刷電錘采用ZK30N100G后,連續(xù)鉆孔時(shí)間從30分鐘延長(zhǎng)至45分鐘,機(jī)身表面溫度降低12℃,用戶使用體驗(yàn)顯著提升。
寬溫域與抗浪涌能力,確保復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。低壓大電流設(shè)備常面臨極端工況挑戰(zhàn):汽車電子需承受-40℃低溫啟動(dòng)與125℃發(fā)動(dòng)機(jī)艙高溫,工業(yè)設(shè)備需應(yīng)對(duì)車間45℃高溫與電網(wǎng)波動(dòng),戶外傳感設(shè)備需抵御低溫嚴(yán)寒。ZK30N100G通過優(yōu)化半導(dǎo)體材料摻雜濃度與溝槽結(jié)構(gòu),將結(jié)溫范圍擴(kuò)展至-55℃至150℃,在-40℃低溫環(huán)境下仍能正常導(dǎo)通,150℃高溫下參數(shù)漂移不超過8%;同時(shí),其雪崩耐量(EAS)達(dá)150A/10μs,可抵御電機(jī)堵轉(zhuǎn)、電源浪涌等瞬時(shí)大電流沖擊,避免器件擊穿損壞。在北方冬季戶外使用的電動(dòng)清掃車中,ZK30N100G可確保電機(jī)在-30℃低溫下正常啟動(dòng),無(wú)需額外加熱模塊,降低了設(shè)備成本與能耗。
高適配性與易生產(chǎn)特性,降低下游企業(yè)的設(shè)計(jì)與生產(chǎn)成本。TO-252-2L封裝是行業(yè)通用的表面貼裝封裝,兼容常規(guī)SMT貼片工藝,無(wú)需像TO-220封裝那樣采用穿孔焊接,減少了PCB鉆孔、插件等工序,生產(chǎn)效率提升20%以上;同時(shí),其標(biāo)準(zhǔn)化封裝尺寸可直接替換進(jìn)口同類產(chǎn)品,無(wú)需修改PCB布局,降低了企業(yè)的方案迭代成本。某車載電子廠商測(cè)試顯示,采用ZK30N100G替代進(jìn)口MOS管時(shí),PCB設(shè)計(jì)無(wú)需調(diào)整,樣品驗(yàn)證周期從2個(gè)月縮短至2周,大幅加快了產(chǎn)品上市節(jié)奏。
場(chǎng)景落地:從消費(fèi)到工業(yè)的全領(lǐng)域價(jià)值兌現(xiàn)
憑借“大電流、低損耗、高可靠”的核心優(yōu)勢(shì),ZK30N100G在消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制三大領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)深度適配,成為推動(dòng)設(shè)備性能升級(jí)的“核心組件”,其價(jià)值在實(shí)際應(yīng)用中得到充分彰顯。
在消費(fèi)電子領(lǐng)域,ZK30N100G成為大功率電動(dòng)工具與智能家居設(shè)備的“動(dòng)力核心”。以20V無(wú)刷電動(dòng)扳手為例,傳統(tǒng)MOS管因電流不足(70A以下),在擰緊高強(qiáng)度螺栓時(shí)易出現(xiàn)“動(dòng)力衰減”,甚至觸發(fā)過熱保護(hù);ZK30N100G的100A電流可輕松應(yīng)對(duì)峰值負(fù)載,配合低損耗特性,使電動(dòng)扳手的連續(xù)擰緊次數(shù)從50次提升至80次,機(jī)身溫升降低14℃,解決了“續(xù)航短、易發(fā)熱”的行業(yè)痛點(diǎn)。在掃地機(jī)器人的吸塵電機(jī)驅(qū)動(dòng)中,其高頻開關(guān)特性(支持200kHz開關(guān)頻率)可實(shí)現(xiàn)電機(jī)轉(zhuǎn)速的精準(zhǔn)調(diào)節(jié)(800rpm-14000rpm),高轉(zhuǎn)速時(shí)提供強(qiáng)吸力清掃頑固污漬,低轉(zhuǎn)速時(shí)降低功耗延長(zhǎng)續(xù)航,使機(jī)器人續(xù)航里程提升22%以上。
在汽車電子領(lǐng)域,ZK30N100G適配車載低壓系統(tǒng)的多重需求。在汽車車窗升降、座椅調(diào)節(jié)、電動(dòng)尾門等輔助電機(jī)驅(qū)動(dòng)中,12V車載電源與ZK30N100G的30V額定電壓完美匹配,100A電流可應(yīng)對(duì)電機(jī)啟動(dòng)時(shí)的90A瞬時(shí)沖擊,避免升降卡頓、座椅調(diào)節(jié)延遲或尾門開啟不暢;抗浪涌能力可抵御汽車啟動(dòng)時(shí)的電壓波動(dòng)(9V-16V),保障電機(jī)可靠運(yùn)行。在車載DC-DC轉(zhuǎn)換器(將12V轉(zhuǎn)換為5V為導(dǎo)航、USB接口供電)中,ZK30N100G的低導(dǎo)通損耗使轉(zhuǎn)換器效率提升至95.5%以上(傳統(tǒng)方案約90%),減少了車載電源的能量浪費(fèi),間接提升新能源汽車的續(xù)航里程——按每天行駛100km計(jì)算,每年可節(jié)省電能約12度。TO-252-2L封裝的小尺寸可嵌入汽車ECU的緊湊空間,無(wú)需單獨(dú)設(shè)計(jì)散熱結(jié)構(gòu),降低了整車設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
在工業(yè)控制領(lǐng)域,ZK30N100G為低壓電源與電機(jī)控制提供可靠方案。在24V工業(yè)伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,100A電流可滿足電機(jī)高速運(yùn)轉(zhuǎn)(3000rpm)的電流需求,低損耗特性減少了系統(tǒng)發(fā)熱,使伺服電機(jī)的維護(hù)周期從3個(gè)月延長(zhǎng)至6個(gè)月,降低了工廠的維護(hù)成本;寬溫特性可適應(yīng)夏季車間45℃高溫環(huán)境,無(wú)需額外加裝散熱風(fēng)扇,減少了設(shè)備噪音與能耗。在24V/40A工業(yè)電源(為傳感器、PLC供電)中,ZK30N100G作為同步整流管,將電源轉(zhuǎn)換效率提升至94%以上,較傳統(tǒng)二極管整流方案(87%)減少7%的能量損耗——按工廠100臺(tái)電源、每天運(yùn)行10小時(shí)、每度電1元計(jì)算,每年可節(jié)省電費(fèi)約2.52萬(wàn)元,經(jīng)濟(jì)效益顯著;同時(shí),其穩(wěn)定的電氣特性確保電源輸出電壓波動(dòng)≤0.4V,避免因供電波動(dòng)導(dǎo)致的傳感器數(shù)據(jù)偏差或PLC誤動(dòng)作,保障工業(yè)生產(chǎn)的連續(xù)性。
市場(chǎng)價(jià)值:國(guó)產(chǎn)低壓大電流MOS管的突圍與擔(dān)當(dāng)
ZK30N100G的推出,不僅填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)低壓MOS管在“100A級(jí)別”市場(chǎng)的空白,更在供應(yīng)鏈安全與成本控制上為下游企業(yè)提供了新選擇,加速了國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體在細(xì)分領(lǐng)域的替代進(jìn)程,為我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)的自主可控貢獻(xiàn)力量。
此前,100A級(jí)別低壓MOS管主要依賴進(jìn)口品牌(如英飛凌、安森美),單顆成本高達(dá)3.2-5.5美元,交貨周期長(zhǎng)達(dá)2-3個(gè)月,受國(guó)際供應(yīng)鏈波動(dòng)(如芯片短缺、貿(mào)易壁壘)影響較大,嚴(yán)重制約國(guó)內(nèi)企業(yè)的生產(chǎn)計(jì)劃與成本控制。中科微電憑借本土化研發(fā)與生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)(國(guó)內(nèi)自有晶圓廠與封裝測(cè)試基地),使ZK30N100G的價(jià)格較進(jìn)口產(chǎn)品降低35%-45%(約2-3.5美元/顆),交貨周期縮短至15-20天,且支持定制化需求(如針對(duì)特定場(chǎng)景調(diào)整導(dǎo)通電阻、閾值電壓)。某新能源汽車零部件廠商采用ZK30N100G替代進(jìn)口MOS管后,車載DC-DC轉(zhuǎn)換器的物料成本降低28%,年采購(gòu)成本節(jié)省超600萬(wàn)元,同時(shí)避免了因進(jìn)口芯片缺貨導(dǎo)致的生產(chǎn)線停工,生產(chǎn)計(jì)劃穩(wěn)定性大幅提升。
從行業(yè)發(fā)展視角看,ZK30N100G的技術(shù)路徑為國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新提供了“細(xì)分市場(chǎng)深耕”的參考范式。其沒有盲目與國(guó)際巨頭在高端高壓領(lǐng)域(如600V以上IGBT)直接競(jìng)爭(zhēng),而是聚焦低壓大電流這一細(xì)分場(chǎng)景,從用戶痛點(diǎn)(電流不足、損耗高、成本貴)出發(fā),通過Trench工藝優(yōu)化、參數(shù)精準(zhǔn)控制、封裝適配創(chuàng)新,打造“性能對(duì)標(biāo)進(jìn)口、成本更優(yōu)”的差異化產(chǎn)品,既滿足了下游企業(yè)的實(shí)際需求,又逐步建立起國(guó)產(chǎn)MOS管的技術(shù)口碑與市場(chǎng)信任。
隨著新能源汽車、工業(yè)自動(dòng)化、大功率消費(fèi)電子等領(lǐng)域的快速發(fā)展,低壓大電流MOS管的市場(chǎng)需求將持續(xù)增長(zhǎng)。據(jù)行業(yè)預(yù)測(cè),2025年全球低壓功率MOS管市場(chǎng)規(guī)模將突破85億美元,其中100A級(jí)別產(chǎn)品的需求占比將達(dá)13%以上。ZK30N100G系列產(chǎn)品有望進(jìn)一步優(yōu)化性能(如將導(dǎo)通電阻降至6mΩ以下、提升浪涌電流至160A),覆蓋更多高端場(chǎng)景(如新能源汽車低壓配電系統(tǒng)、工業(yè)重型伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng));同時(shí),中科微電可基于現(xiàn)有Trench工藝平臺(tái),拓展80A、120A等電流等級(jí)的產(chǎn)品,形成完整的低壓MOS管產(chǎn)品矩陣,進(jìn)一步提升國(guó)產(chǎn)芯片的市場(chǎng)占有率,推動(dòng)我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從“跟跑”向“并跑”甚至“領(lǐng)跑”轉(zhuǎn)變。

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    ZK30N100T是一款采用先進(jìn)溝槽技術(shù)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,文檔從核心特性、關(guān)鍵參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景、封裝與包裝、電氣及熱特性、測(cè)試電路、機(jī)械尺寸等多維度展開介紹,為該器件的選型
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    ZK30N140T:Trench工藝賦能的30V/140AN溝道MOS,重塑低壓大電流應(yīng)用新標(biāo)桿

    低壓大電流功率電子領(lǐng)域,MOS的導(dǎo)通損耗、電流承載能力與封裝適配性,直接決定了終端設(shè)備的能效、可靠性與設(shè)計(jì)靈活性。中科微電推出的ZK30N
    的頭像 發(fā)表于 10-22 09:42 ?130次閱讀
    <b class='flag-5'>ZK30N</b>140T:<b class='flag-5'>Trench</b><b class='flag-5'>工藝</b>賦能的<b class='flag-5'>30</b>V/140AN溝道<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>,重塑<b class='flag-5'>低壓</b>大電流應(yīng)用新標(biāo)桿

    ZK100G325P深度應(yīng)用解析:SGT工藝賦能的中低壓MOS功率場(chǎng)景革新

    中科微電ZK100G325P作為N溝道功率MOS,以100V耐壓、超300
    的頭像 發(fā)表于 10-24 17:53 ?654次閱讀
    <b class='flag-5'>ZK100G</b>325P深度應(yīng)用解析:SGT<b class='flag-5'>工藝</b>賦能的中<b class='flag-5'>低壓</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>大<b class='flag-5'>功率</b>場(chǎng)景革新

    中科微電ZK200G120B:源廠技術(shù)賦能的中低壓MOS性能標(biāo)桿

    在工業(yè)自動(dòng)化、新能源汽車、通信電源等中低壓功率場(chǎng)景中,功率MOS的性能直接決定系統(tǒng)的能效、可靠性與成本
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:32 ?75次閱讀
    中科微電<b class='flag-5'>ZK200G</b>120B:源廠技術(shù)賦能的中<b class='flag-5'>低壓</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>性能標(biāo)桿

    ZK30G011GTrench工藝加持30V/160A低壓大電流功率新星

    ZK30G011G作為一款專為低壓大電流場(chǎng)景設(shè)計(jì)的N溝道MOSFET,以30V額定電壓、160A額定電流的硬核性能為基礎(chǔ),融合成熟可靠的溝槽
    的頭像 發(fā)表于 10-31 14:28 ?35次閱讀
    <b class='flag-5'>ZK30G011G</b>:<b class='flag-5'>Trench</b><b class='flag-5'>工藝</b><b class='flag-5'>加持</b>的<b class='flag-5'>30</b>V/160<b class='flag-5'>A</b><b class='flag-5'>低壓</b>大電流<b class='flag-5'>功率</b>新星

    中科微電ZK30N140T:Trench工藝加持低壓大電流MOS新標(biāo)桿

    功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,中科微電憑借多年技術(shù)積淀,持續(xù)推出契合市場(chǎng)需求的核心器件。針對(duì)低壓大電流場(chǎng)景中“功率與體積難兼顧、效率與成本難平衡”的行業(yè)痛點(diǎn),中科微電重磅推出N溝道
    的頭像 發(fā)表于 10-31 14:55 ?70次閱讀
    中科微電<b class='flag-5'>ZK30N</b>140T:<b class='flag-5'>Trench</b><b class='flag-5'>工藝</b><b class='flag-5'>加持</b>的<b class='flag-5'>低壓</b>大電流<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>新標(biāo)桿