電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近多家車企推出的新車型搭載了全新的平臺，平臺電壓從過去的800V再次提升到900V甚至1000V。包括煥新極氪001和極氪7X上搭載了全棧900V高壓架構(gòu)，零跑D19純電版則搭載了全棧1000V架構(gòu)。

近幾年在電動汽車上，800V高壓平臺的普及進展不斷加速。2022年，800V平臺還只被應(yīng)用在25萬以上車型上；到2023年，首次突破20萬大關(guān)，下沉至20萬以下價位；去年，廣汽埃安AION V率先突破15萬以下價位，實現(xiàn)800V+碳化硅的配置；而今年，零跑B10在10萬元價位也落地了800V平臺。

在實現(xiàn)技術(shù)下放，市場普及的同時，那么更高價位的車型要如何體現(xiàn)出差異化？繼續(xù)提高平臺電壓就是其中一個方向。

更高的電壓有什么好處？

從過去400V到800V的經(jīng)驗來看，汽車母線電壓的提升，帶來最顯著的特性就是充電功率大幅提升，大幅縮短充電所需時間。

實際上，早在今年三月，比亞迪發(fā)布兆瓦閃充技術(shù)，并在漢L EV以及唐L EV上首發(fā)搭載1000V超級e平臺，配合10C電池、580kW十合一電驅(qū)以及1000V/1000A輸出的充電樁實現(xiàn)1000kW的充電功率，刷新了全球量產(chǎn)最大充電功率的紀錄，5分鐘可增加400公里續(xù)航。

零跑D19采用1000V平臺的純電版則標稱15分鐘補能350km，這大概是電池充電倍率限制了。

而能夠支持兆瓦充電的充電樁設(shè)備目前也已經(jīng)有不少產(chǎn)品已經(jīng)亮相，包括今年1月的CES 2025上，道通科技推出的MaxiCharger DT1500兆瓦級充電系統(tǒng)，峰值功率高達1.2兆瓦，輸出電流高達1500A，主要面向商用車市場；去年9月嵐圖展示的兆瓦級品牌超充快充樁“嵐圖VP1000”，該充電樁峰值功率1000kW，峰值電流1000A，最大電壓1000V；華為兆瓦級充電樁最大充電電流2400A，最大功率1.5兆W，面向商用車。

當然，要實現(xiàn)兆瓦充電，除了充電樁外，車輛的平臺電壓、電池等都非常重要。比如煥新極氪001就搭載了全球最高的12C充電倍率95度神盾金磚電池，最快能夠在7分鐘完成10%到80%的補能。

除了充電功率之外，高壓架構(gòu)帶來的另一個優(yōu)勢就是電驅(qū)能效提高。在同樣功率下，電壓越大，電流越?。欢?a target="_blank">電阻相同的情況下，電流的平方和溫升成正比，所以高壓平臺能夠做到更大功率或降低熱管理壓力。

同時，高壓平臺也有助于車輛輕量化，首先是在同功率下提高了電壓，電流降低，那么所需的輸電導(dǎo)線或是電氣元件也可以降低銅材用量，或是直接使用重量更輕的鋁導(dǎo)線；其次是熱管理壓力降低后，可以相應(yīng)縮小冷卻模塊的體積，進一步降低整車重量。

熱損失降低，即降低了能量損耗；車輛進一步輕量化，降低車輛能耗；加上高壓平臺往往需要使用SiC等第三代半導(dǎo)體器件，進一步降低元件開關(guān)損耗，因此綜合來看高壓平臺能夠為整車的行駛能耗帶來10%左右的提升。
當然，在高壓平臺下，往往車企也會順應(yīng)提高車輛電驅(qū)的輸出功率，那么就可以在日常行駛能耗接近的情況下，為車輛提高更強的加速性能。

進入1000V時代，核心器件有哪些變化？

在目前市面上的800V平臺上，普遍已經(jīng)使用SiC功率模塊作為主驅(qū)逆變器的核心，而其中為了留足安全冗余，一般會使用1200V的SiC MOSFET。

因為雖然同是800V平臺，很多廠商的定義是較為模糊的，有些實際電池包的額定電壓是只有600V左右，那么在滿電的時候，電池包的電壓可能就在700V以上；有些車型的電池包額定電壓已經(jīng)接近700V，那么滿電的時候電池包電壓可能會超過800V。

為了避免工作時可能出現(xiàn)的電壓尖峰，所以功率器件的耐壓一般會留足安全冗余。所以目前市面上號稱800V平臺的車型，一般都是使用1200V SiC MOSFET。

那么當電壓到了1000V，1200V SiC MOSFET就不太能滿足汽車應(yīng)用的冗余需求了，主流的SiC MOSFET耐壓規(guī)格在1200V后是1700V，提高非常多，這會帶來更高的成本。因為功率器件的耐壓能力主要是取決于襯底厚度和外延層質(zhì)量，在耐壓能力提升時，也需要更高質(zhì)量、更高成本的外延片。

面對這個問題，比亞迪的做法是自研1500V SiC MOSFET。比亞迪表示，依托集團垂直整合優(yōu)勢，快速開發(fā)推出1500V大功率SiC芯片，解決了模塊耐壓瓶頸，這是汽車電機驅(qū)動領(lǐng)域首次大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用的最高電壓等級SiC芯片。

1500V平衡了成本和耐壓需求，在1000V平臺中得以保障了系統(tǒng)的安全，同時也一定程度上控制了成本。

最近英飛凌也推出了CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列，支持更高的直流母線電壓，可實現(xiàn)更優(yōu)異的熱性能、更小的系統(tǒng)尺寸，以及更高的可靠性。1400V電壓等級為更快的開關(guān)速度提供了額外裕量，并簡化了過壓保護措施。這有助于降低對功率降額使用的需求，同時提升整個系統(tǒng)的可靠性。

隨著電動汽車母線電壓往1000V發(fā)展，1400V乃至1500V耐壓的SiC MOSFET規(guī)格可能未來會得到市場青睞。不過，1000V也大概率不會是電動汽車的終點，未來隨著電池技術(shù)的發(fā)展，更快的充電速度需求下，更高電壓的應(yīng)用也會持續(xù)發(fā)展下去。