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芯片鍵合工藝技術(shù)介紹

中科院半導(dǎo)體所 ? 來(lái)源:Jeff的芯片世界 ? 2025-10-21 17:36 ? 次閱讀
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文章來(lái)源:Jeff的芯片世界

原文作者:Jeff的芯片世界

本文介紹了芯片鍵合技術(shù)。

半導(dǎo)體封裝工藝中,芯片鍵合(Die Bonding)是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法:傳統(tǒng)方法包括芯片鍵合(Die Bonding)和引線鍵合(Wire Bonding),而先進(jìn)方法主要指IBM在1960年代開(kāi)發(fā)的倒裝芯片鍵合(Flip Chip)。倒裝芯片鍵合結(jié)合了模具鍵合和導(dǎo)線鍵合,通過(guò)在芯片襯墊上形成凸起來(lái)連接芯片和襯底。

芯片鍵合的重要性體現(xiàn)在多個(gè)方面:它提供機(jī)械支撐,使芯片牢固附著于封裝載體,抵御外部震動(dòng)和溫度變化;它形成散熱路徑,將芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)到封裝或散熱層面;它確保精準(zhǔn)定位,為后續(xù)電氣互聯(lián)(如焊線或倒裝焊)奠定基礎(chǔ);從而提升器件的整體可靠性。如果貼裝不當(dāng),可能導(dǎo)致后續(xù)工藝偏移或連接失敗,影響器件性能。

主要鍵合方法

芯片鍵合的方法多樣,主要包括膠黏劑貼片、焊料貼片、共晶貼片和倒裝芯片貼片等。

膠黏劑貼片使用環(huán)氧樹(shù)脂或銀膠等半導(dǎo)體膠水進(jìn)行粘接,優(yōu)點(diǎn)包括工藝成熟、適用范圍廣,可在較低溫度下固化;但如果膠水厚度不均,可能因熱膨脹系數(shù)差異導(dǎo)致翹曲。

焊料貼片使用金屬焊料(如Sn-Pb、Sn-Ag-Cu或Au-Sn合金)在高溫下熔融,實(shí)現(xiàn)冶金連接,優(yōu)點(diǎn)在于導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能優(yōu)異,結(jié)構(gòu)牢固,適合高功率器件;但工藝溫度較高,需控制合金成分以避免空洞缺陷。

共晶貼片采用共晶焊料(如Au-Si、Au-Ge、Au-Sn等)在特定溫度下熔化形成共晶組織,實(shí)現(xiàn)牢固結(jié)合,可靠性極佳,但需要精確溫度控制且成本較高。

倒裝芯片貼片是一種先進(jìn)方法,芯片通過(guò)凸塊翻轉(zhuǎn)貼到基板上,通過(guò)回流焊實(shí)現(xiàn)電氣和機(jī)械連接。嚴(yán)格來(lái)說(shuō),這更傾向于芯片互連工藝,但也可視為特殊貼裝方式。

此外,模貼膜(DAF)作為一種先進(jìn)粘合方法,被廣泛使用。DAF是一種附著在芯片底部的薄膜,厚度可調(diào)整到更薄和恒定,不僅用于芯片與襯底的鍵合,還用于芯片與芯片的鍵合以創(chuàng)建多芯片封裝(MCP)。使用DAF可以跳過(guò)點(diǎn)膠程序,避免膠水厚度不均問(wèn)題,但需要高精度設(shè)備處理,且可能因空氣穿透導(dǎo)致薄膜變形。

鍵合工藝流程

芯片鍵合的典型流程包括取放工藝、彈壓和粘合步驟。首先,在取放工藝(Pick & Place)中,設(shè)備從附著在膠帶上的芯片中單獨(dú)取出芯片(稱為“Pick”),然后將其放置在封裝基板表面(稱為“Place”)。這個(gè)過(guò)程可以通過(guò)輸入晶圓測(cè)試結(jié)果(Go/No Go)對(duì)好的芯片進(jìn)行分選。

由于芯片由弱粘性附著在膠帶上,直接取放可能造成物理?yè)p傷,因此常使用彈射(Ejection)方法。彈射器對(duì)目標(biāo)芯片施加物理力,使其與其他芯片產(chǎn)生輕微步長(zhǎng)差異,然后從底部彈出芯片,同時(shí)用真空吸嘴從上面拉起,并用真空拉膠帶底部使薄片平整。

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在粘合工藝中,如果使用環(huán)氧樹(shù)脂,需通過(guò)點(diǎn)膠將少量環(huán)氧樹(shù)脂精確涂在基板上,放置芯片后,在150°C至250°C下通過(guò)回流或固化硬化,將芯片和基材粘合。但環(huán)氧樹(shù)脂厚度不恒定可能導(dǎo)致翹曲。因此,DAF方法成為首選:它將芯片和DAF從切丁帶上取下后直接放置在基板上,無(wú)需點(diǎn)膠,簡(jiǎn)化工藝并提高厚度均勻性。

對(duì)于傳統(tǒng)鍵合,首先在封裝基板上涂布粘合劑,然后放上芯片(引腳朝上);對(duì)于倒裝芯片鍵合,芯片引腳向下,焊料球凸起附著在襯墊上。組裝后單元通過(guò)溫度回流隧道,調(diào)節(jié)溫度以熔化粘合劑或焊料球,然后冷卻固定。

設(shè)備關(guān)鍵組成

Die Bonding設(shè)備由多個(gè)關(guān)鍵模塊組成,確保高精度和自動(dòng)化。晶圓工作臺(tái)作為基礎(chǔ)平臺(tái),承載并精確移動(dòng)晶圓,保證芯片準(zhǔn)確定位。芯片鍵合頭是實(shí)現(xiàn)物理連接的關(guān)鍵部件,通過(guò)熱壓、超聲波或激光等方式完成放置和焊接。框架傳輸系統(tǒng)負(fù)責(zé)芯片載體的自動(dòng)傳輸與定位,提高生產(chǎn)效率。機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)利用高精度相機(jī)和圖像處理算法進(jìn)行定位識(shí)別和質(zhì)量檢測(cè),是自動(dòng)化生產(chǎn)不可或缺的部分。點(diǎn)膠系統(tǒng)在某些工藝中用于施加黏合劑或?qū)щ娔z,控制膠量以保證鍵合效果。

此外,設(shè)備還包括供料和取片模塊(如頂針或真空吸頭從膠膜上取芯片)、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(識(shí)別芯片和基板標(biāo)記)、貼合頭(施加壓力、溫度或時(shí)間)、基板承載與定位單元(固定和移動(dòng)基板)、以及控制與軟件系統(tǒng)(編排流程和監(jiān)控參數(shù))。

技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢(shì)

Die Bonding面臨多項(xiàng)技術(shù)挑戰(zhàn)。對(duì)準(zhǔn)精度與速度需平衡,高精度要求微米級(jí)貼裝,同時(shí)需要高吞吐量;材料兼容與熱膨脹問(wèn)題可能導(dǎo)致應(yīng)力和形變;超薄芯片易彎曲或破裂,搬運(yùn)方式需優(yōu)化;空洞(Void)問(wèn)題在焊料或膠水固化中可能降低接觸面積和可靠性。

應(yīng)對(duì)措施包括采用先進(jìn)視覺(jué)系統(tǒng)和智能算法、優(yōu)化貼片溫度和曲線、使用柔性頂針和真空吸嘴、以及真空貼片或壓力固化排除空氣。

未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)包括多芯片異構(gòu)封裝,如系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)、Chiplet和3D封裝,要求設(shè)備具備多模塊、多材料貼裝能力;更高精度與自動(dòng)化,結(jié)合AI視覺(jué)識(shí)別和精密運(yùn)動(dòng)控制;超薄與柔性器件貼裝,向非接觸傳輸和低應(yīng)力方向發(fā)展;環(huán)保與低溫貼裝,發(fā)展低溫熔點(diǎn)合金或UV固化工藝。


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