DRV8210是一款集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有四個(gè)N溝道功率FET、電荷泵穩(wěn)壓器和保護(hù)電路。三重器電荷泵架構(gòu)允許該器件在低至1.65 V的電壓下工作，以適應(yīng)1.8V電源軌和低電池電量條件。電荷泵集成了所有電容器，以減小PCB上電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的整體解決方案尺寸，并允許100%占空比工作。

該DRV8210支持多種控制接口模式，包括：PWM （IN1/IN2）、相位/使能 （PH/EN）、獨(dú)立半橋和并行半橋。每個(gè)接口都支持低功耗睡眠模式，通過關(guān)閉大部分內(nèi)部電路來實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗。
*附件：drv8210.pdf

該器件可提供高達(dá) 1.76A 的峰值輸出電流。它的工作電源電壓為 1.65 V 至 5.5 V。

該驅(qū)動(dòng)器提供強(qiáng)大的內(nèi)部保護(hù)功能，包括電源欠壓鎖定 （UVLO）、輸出過流 （OCP） 和器件過熱 （TSD）。

該DRV8210是引腳可擴(kuò)展 R 系列器件的一部分 DS（開） 以及電源電壓選項(xiàng)，以最小的設(shè)計(jì)更改支持各種負(fù)載和電源軌。有關(guān)該系列器件的信息，請(qǐng)參閱器件比較。在 ti.com 上查看我們完整的有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合。

特性

• N 溝道 H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
  • MOSFET 導(dǎo)通電阻：HS + LS 1 Ω
  • 驅(qū)動(dòng)一個(gè)雙向有刷直流電機(jī)
  • 兩個(gè)單向有刷直流電機(jī)
  • 一個(gè)單線圈或雙線圈閉鎖繼電器
  • 推挽式和雙穩(wěn)態(tài)電磁閥
  • 其他電阻、電感或 LED 負(fù)載
• 1.65V 至 11V 工作電源電壓范圍
• 高輸出電流能力：
  • 全橋：1.76-A 峰值
  • 半橋：每個(gè)輸出 1.76A 峰值
  • 并聯(lián)半橋：3.52-A 峰值
• 多個(gè)接口，實(shí)現(xiàn)靈活性并減少 GPIO
• 標(biāo)準(zhǔn)PWM接口（IN1/IN2）
• 支持 1.8V、3.3V 和 5V 邏輯輸入
• 超低功耗睡眠模式
  • <84.5 nA @ 伏 虛擬機(jī) = 5 伏，伏 VCC的 = 3.3 伏，T J = 25°C
  • 定時(shí)自動(dòng)睡眠模式可減少 GPIO
• 保護(hù)功能
  • 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 過流保護(hù) （OCP）
  • 熱關(guān)斷 （TSD）
• 設(shè)備系列。有關(guān)詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱設(shè)備比較。
  • DRV8210：1.65-11 V，1 Ω，多個(gè)接口
  • DRV8210P：睡眠引腳、PWM接口
  • DRV8212：1.65-11 V，280 mΩ，多個(gè)接口
  • DRV8212P：睡眠引腳、PWM接口
  • DRV8220：4.5-18 V，1 Ω，多個(gè)接口

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?驅(qū)動(dòng)架構(gòu)?：集成N溝道H橋，支持雙向有刷直流電機(jī)、單/雙線圈鎖存繼電器、推挽/雙穩(wěn)態(tài)電磁閥等負(fù)載。
• ?電壓范圍?：
  • 工作電壓：1.65V至11V（VM引腳），邏輯輸入兼容1.8V/3.3V/5V。
  • 峰值輸出電流：1.76A（全橋模式），并聯(lián)半橋模式下可達(dá)3.52A。
• ?控制接口?：
  • ?PWM模式?（IN1/IN2）：標(biāo)準(zhǔn)雙引腳控制，支持正向/反向/制動(dòng)/高阻態(tài)。
  • ?PH/EN模式?：單PWM資源實(shí)現(xiàn)雙向控制，方向由PH引腳電平?jīng)Q定。
  • ?半橋模式?：獨(dú)立控制高低側(cè)MOSFET，支持并聯(lián)輸出降低導(dǎo)通電阻。
• ?低功耗?：
  • 自動(dòng)睡眠模式（Autosleep）：輸入無活動(dòng)時(shí)觸發(fā)，靜態(tài)電流低至84.5nA（典型值）。
  • 支持VCC引腳休眠（僅DSG封裝），邏輯電壓降至0V時(shí)進(jìn)入超低功耗狀態(tài)。

?2. 保護(hù)機(jī)制?

• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：VM或VCC電壓低于閾值時(shí)禁用輸出。
• ? 過流保護(hù)（OCP） ?：電流超過1.76A時(shí)觸發(fā)，4.2μs消隱時(shí)間后自動(dòng)重試。
• ? 熱關(guān)斷（TSD） ?：結(jié)溫超過193°C時(shí)停機(jī)，滯后22°C恢復(fù)。

?3. 封裝與型號(hào)?

• ?封裝選項(xiàng)?：
  • ?DRL?（6引腳SOT-563）：1.2mm×1.6mm，僅支持PWM接口。
  • ?DSG?（8引腳WSON）：2mm×2mm，支持所有控制模式，集成散熱焊盤。
• ?型號(hào)對(duì)比?：| 型號(hào) | RDS(on) (mΩ) | 接口選項(xiàng) | 休眠模式觸發(fā)方式 |
  | ---------- | --------------- | ----------------- | ------------------ |
  | DRV8210 | 1050 (DSG) | PWM/PH/EN/半橋 | Autosleep |
  | DRV8210P | 1050 | 僅PWM | nSLEEP引腳 |
  | DRV8220 | 1000 | 4.5-18V寬壓兼容 | Autosleep |

?4. 典型應(yīng)用?

• ?電機(jī)驅(qū)動(dòng)?：電動(dòng)玩具、IP攝像頭IR濾光片、電子鎖、血壓計(jì)泵。
• ?繼電器/電磁閥?：水電表、智能家居閥門控制。
• ?布局建議?：
  • VM/VCC引腳需就近放置0.1μF低ESR陶瓷電容。
  • 散熱設(shè)計(jì)：DSG封裝需通過散熱焊盤連接PCB地平面，建議使用多via散熱。

?5. 關(guān)鍵設(shè)計(jì)參數(shù)?

• ?導(dǎo)通電阻?：525mΩ（高/低側(cè)MOSFET，DSG封裝@25°C）。
• ?開關(guān)時(shí)間?：上升/下降時(shí)間150ns（典型值），死區(qū)時(shí)間500ns。
• ?熱阻?：
  • DRL封裝：RθJA=153.2°C/W（SOT-563）。
  • DSG封裝：RθJA=99.6°C/W（WSON）。