我們匯總了本周的一些電子技術(shù)動(dòng)態(tài)、硬件設(shè)計(jì)趨勢(shì)、開源方案、硬科技新進(jìn)展、前沿新品、行業(yè)趨勢(shì)、技術(shù)討論焦點(diǎn)、開發(fā)者活動(dòng)、論壇精華等部分。希望能夠分享給感興趣的朋友。https://bbs.elecfans.com/collection_485_1.html

芯品速遞

1.國(guó)際原廠--ROHM開發(fā)出低VF且低IR的保護(hù)用肖特基勢(shì)壘二極管“RBE01VYM6AFH”

ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款創(chuàng)新型保護(hù)用肖特基勢(shì)壘二極管“RBE01VYM6AFH”，該產(chǎn)品在低VF（正向電壓）和低IR（反向電流）這對(duì)此消彼長(zhǎng)的特性之間實(shí)現(xiàn)了高維度平衡，可為ADAS攝像頭等配備了像素日益提高的各種圖像傳感器的應(yīng)用，提供高可靠性的保護(hù)解決方案。

2.三大廠商PLC新品加速迭代--分鐘部署、秒級(jí)預(yù)警、一鍵遷移

匯川技術(shù)、零點(diǎn)自動(dòng)化、道蒞智遠(yuǎn)均在近期推出了PLC新品。

3.長(zhǎng)期可靠--數(shù)明半導(dǎo)體發(fā)布高UVLO系列隔離門極驅(qū)動(dòng)器：SiLM8260Ax/ SiLM5350x/ SiLM825x

數(shù)明半導(dǎo)體最新推出高 UVLO 系列隔離驅(qū)動(dòng)芯片，涵蓋單通道隔離驅(qū)動(dòng) SiLM5350x 系列以及帶米勒嵌位的雙通道隔離驅(qū)動(dòng) SiLM8260Ax 系列。這兩個(gè)系列均具備高 UVLO 特性，支持多重 UVLO 閾值靈活選配，可成功解決這一應(yīng)用難題。在實(shí)際運(yùn)行過程中，當(dāng)供電電壓達(dá)到足夠高的水平時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片會(huì)精準(zhǔn)輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，對(duì) SiC MOSFET 進(jìn)行可靠控制，確保其穩(wěn)定運(yùn)行于低導(dǎo)通電阻工況，從而有效降低功率損耗；而當(dāng)供電電壓低于所選 UVLO 閾值時(shí)，SiC MOSFET 會(huì)進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，避免因電壓異常波動(dòng)導(dǎo)致器件損壞。采用具備多重 UVLO 閾值可選功能的驅(qū)動(dòng)芯片，可切實(shí)解決 SiC MOSFET 在開機(jī)和關(guān)機(jī)階段驅(qū)動(dòng)電壓不足的問題，顯著提升系統(tǒng)的長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性。

4.錨定50美元/片--靈犀微光L2-S30陣列光波導(dǎo)發(fā)布！0.8mm、4g

靈犀微光正式發(fā)布陣列光波導(dǎo)L2 -S30，在視場(chǎng)角、光效和量產(chǎn)成本方面取得顯著突破。

5.150℃高溫儲(chǔ)能破7.35J/cm3--西交大提出聚合物基電介質(zhì)儲(chǔ)能創(chuàng)新思路

西安交通大學(xué)周迪教授團(tuán)隊(duì)在聚合物基電介質(zhì)儲(chǔ)能領(lǐng)域取得的一系列突破性進(jìn)展，為解決高溫高電壓環(huán)境下電容器性能衰減的世界性難題提供了創(chuàng)新思路。

6.五大核心亮點(diǎn)--兆芯新一代開勝KH-50000處理器

開勝KH-50000系列處理器采用業(yè)界先進(jìn)的Chiplet（芯粒）封裝技術(shù)，單顆處理器可集成12個(gè)CPU Die，提供96核和72核兩款產(chǎn)品，基礎(chǔ)頻率為2.2GHz（96核版本）/2.6GHz（72核版本），最高工作頻率3.0GHz，均擁有最高384MB三級(jí)緩存，計(jì)算密度相較上一代產(chǎn)品開勝KH-40000系列（單路最高32核）實(shí)現(xiàn)了顯著提升。

7.上海貝嶺推出多通道、雙極性、高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器系列BL1087和BL1087-4

上海貝嶺最新推出BL1087和BL1087-4，分別為8通道和4通道16位600kS/s高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片。芯片同時(shí)集成了用于各輸入通道的模擬前端電路（鉗位保護(hù)電壓±15.5V）、支持自動(dòng)和手動(dòng)兩種掃描模式的多通道復(fù)用器，以及低溫漂基準(zhǔn)電壓源。

8.開啟連接新紀(jì)元--芯科科技第三代無(wú)線SoC現(xiàn)已全面供貨

低功耗無(wú)線解決方案創(chuàng)新性領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs（亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）近日在奧斯汀舉辦的Works With峰會(huì)上宣布：其全新第三代無(wú)線SoC（Series 3）的首批產(chǎn)品SiMG301和SiBG301片上系統(tǒng)（SoC）現(xiàn)已全面供貨。

9.AMD 銳龍嵌入式 9000 系列為工業(yè)計(jì)算與自動(dòng)化帶來下一代性能和效率

AMD推出專為工業(yè) PC、自動(dòng)化系統(tǒng)和機(jī)器視覺應(yīng)用打造的 Ryzen（銳龍） 嵌入式 9000 系列處理器。這一全新系列能提供卓越的每瓦性能、低時(shí)延以及工業(yè)客戶所需的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

10.用鎧俠BiCS Flash，為AI算力創(chuàng)造新可能

第八代BiCS Flash的QLC產(chǎn)品在近期憑借著鎧俠LC9系列的245.76TB NVMe SSD成功出圈，已經(jīng)開始幫助部分企業(yè)實(shí)現(xiàn)PB級(jí)數(shù)據(jù)管理，加速基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化，以支持生成式AI和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用

11.全球最快CPU--80 TOPS NPU算力炸場(chǎng)！高通最強(qiáng)AI SoC發(fā)布

高通推出全球最快的移動(dòng)SoC——第五代驍龍8至尊版移動(dòng)平臺(tái)。第三代Qualcomm Oryon CPU性能提升20%，具有同類產(chǎn)品中的最快速度。全新架構(gòu)的高通 Adreno GPU，圖形性能提升23%，增強(qiáng)了圖形密集型游戲的體驗(yàn)。高通 Hexagon NPU性能提升37%。

12.新唐科技推出低延遲音頻編解碼器NAU88L21C

新唐科技推出低延遲音頻 24bit CODEC、NAU88L21C，產(chǎn)品具有高集成度，高品質(zhì)解析，接合小尺寸設(shè)計(jì)，快速實(shí)現(xiàn)純凈無(wú)雜音的輸出。接合市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)，應(yīng)對(duì)音頻需求（比如音頻通話，語(yǔ)音識(shí)別，音頻錄制與播放）功能提升，低延遲處理（Low Latency Processing）已經(jīng)是不可缺的常態(tài)化關(guān)鍵需求，低遲延可以更好的提升用戶體驗(yàn)。

13.微源半導(dǎo)體推出18V/2A同步降壓LED驅(qū)動(dòng)芯片LP3331

LP3331是一款2A同步降壓LED驅(qū)動(dòng)芯片，支持4.5V至18V寬輸入電壓，集成低內(nèi)阻開關(guān)MOSFET，轉(zhuǎn)換效率高達(dá)97%;支持PWM調(diào)節(jié)亮度，采用PWM-to-Analog調(diào)光方式，最小支持0.2%占空比，具有良好的調(diào)光線性和一致性(精度3%)；同時(shí)具有全面的保護(hù)功能：包括LED開路/短路保護(hù)，輸出短路保護(hù)，檢測(cè)電阻開路和短路以及器件過熱保護(hù)，并且均具有自動(dòng)重試功能。

14.Melexis推出新型嵌入式電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片MLX81339

Melexis推出新型嵌入式電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片MLX81339。該芯片配備PWM/串行接口，專為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，支持高達(dá)40W的三相無(wú)刷直流電機(jī)（BLDC）和步進(jìn)電機(jī)控制，適用于風(fēng)扇、泵及定位系統(tǒng)等緊湊型設(shè)備。其內(nèi)置可編程閃存支持應(yīng)用的全功能定制。

15.Microchip推出四通道集成熱電偶調(diào)理IC器件MCP9604

Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出MCP9604集成熱電偶調(diào)理IC，突破了溫度測(cè)量與集成的技術(shù)瓶頸。作為業(yè)界首款單芯片四通道 I2C 熱電偶調(diào)理 IC，其系統(tǒng)精度可達(dá)±1.5°C，能夠取代易引入誤差且增加系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度的分立式與多芯片熱電偶調(diào)理方案。

16.Nexperia推出高功率工業(yè)應(yīng)用專用MOSFET

80 V PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關(guān)器件能夠提供增強(qiáng)的動(dòng)態(tài)均流功能，專為需要并聯(lián)多個(gè)匹配MOSFET的高功率48 V應(yīng)用設(shè)計(jì)。此類應(yīng)用涵蓋叉車、電動(dòng)滑板車、代步設(shè)備等電動(dòng)交通工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，或高功率工業(yè)電機(jī)。

17.75nA待機(jī)功耗--Nordic、力芯微發(fā)布超小型、nA級(jí)電源管理芯片

Nordic一款專為超小型可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的電源管理IC——nPM1304是，集成了線性充電器、DC-DC、LDO和電池電壓監(jiān)測(cè)等多種功能于一體，實(shí)現(xiàn)了高度的系統(tǒng)集成。官方介紹，nPM1304采用1.8mm x 1.8mm的超小型WLCSP封裝，非常適合TWS耳機(jī)、智能戒指等對(duì)空間要求極為嚴(yán)苛的應(yīng)用。

18.提升MCU AI處理能力--安謀科技發(fā)布“星辰”STAR-MC3

安謀科技正式推出自主研發(fā)的第三代高能效嵌入式芯片IP——“星辰”STAR-MC3。該產(chǎn)品基于Armv8.1-M架構(gòu)，向前兼容傳統(tǒng)MCU架構(gòu)，集成Arm Helium技術(shù)，顯著提升CPU在AI計(jì)算方面的性能，同時(shí)兼具優(yōu)異的面效比與能效比，實(shí)現(xiàn)高性能與低功耗設(shè)計(jì)，面向AIoT智能物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，為主控芯片及協(xié)處理器提供核芯架構(gòu)，助力客戶高效部署端側(cè)AI應(yīng)用。

19.與電容觸摸技術(shù)相結(jié)合--瑞薩電子超低功耗MCU新品RA0L1發(fā)布

瑞薩將超低功耗RA0 MCU與電容觸摸技術(shù)相結(jié)合，RA0系列首款配備電容式觸摸功能的產(chǎn)品量產(chǎn)上市，專為入門電容觸控應(yīng)用開發(fā)。此款產(chǎn)品采用 ArmCortex-M23內(nèi)核，支持高達(dá)64KB的代碼閃存、16KB SRAM內(nèi)存、1.6V至5.5V的寬工作電壓范圍以及-40°C至125°C的寬工作溫度范圍，具有低功耗特性和經(jīng)過優(yōu)化的外設(shè)，可降低BOM成本并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程。RA0A1采用新一代電容觸控技術(shù)，高達(dá)24通道的電容式觸摸功能，具有智能喚醒觸摸功能，采用多電極連接（MEC）方式，支持低功耗待機(jī)，可降低高達(dá)90%的電流消耗。

20.三合一高清主板DS-352B1正式發(fā)布，降本增效實(shí)力拉滿

DS-352B1搭載海思經(jīng)典智能方案Hi3751 V352E，CA53x4架構(gòu)CPU主頻最高1.0GHz，輕松應(yīng)對(duì)多任務(wù)處理。底層依托安卓9.0操作系統(tǒng)，不僅兼容海量成熟應(yīng)用生態(tài)，更通過長(zhǎng)期系統(tǒng)優(yōu)化保障設(shè)備長(zhǎng)期運(yùn)行的穩(wěn)定性，無(wú)論是商超24小時(shí)輪播的廣告機(jī)，還是商場(chǎng)互動(dòng)導(dǎo)視屏，都能“久用不卡，穩(wěn)如磐石”。

21.10路UART、3路千兆網(wǎng)、2路CAN-FD，全志T153核心板為工業(yè)應(yīng)用而生

T153匯集了高性能4xCortex-A7、CPU主頻1.6GHZ、獨(dú)立的RISC-V MCU、支持安全啟動(dòng)、國(guó)密算法IP、LocalBus等:賦能工業(yè)、電力等行業(yè)應(yīng)用。飛凌嵌入式作為全志的生態(tài)認(rèn)證伙伴也同步推出業(yè)內(nèi)首個(gè)T153處理器的SoM方案——FET153-S核心板。

技術(shù)看點(diǎn)

1.德州儀器方案：設(shè)計(jì)配備電源導(dǎo)軌與處理器導(dǎo)軌監(jiān)測(cè)解決方案的數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)

本文將探討并闡述為企業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)電源導(dǎo)軌與處理器導(dǎo)軌監(jiān)測(cè)解決方案的最佳實(shí)踐。

2.ADI解讀振蕩器特性--振蕩器可產(chǎn)生脈沖輸出（短周期脈沖）并由輸入方波控制。

本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是研究振蕩器的特性。振蕩器可產(chǎn)生脈沖輸出（短周期脈沖）并由輸入方波控制。

3.CW32電機(jī)控制基礎(chǔ)——無(wú)感BLDC的轉(zhuǎn)子位置檢測(cè)

對(duì)于無(wú)位置傳感器的直流無(wú)刷電機(jī)，必須通過一定的方法檢測(cè)轉(zhuǎn)子位置信息才能準(zhǔn)確換相。反電動(dòng)勢(shì)法是其中最成熟和應(yīng)用最廣泛的位置檢測(cè)方法。在六步換相控制中，每一個(gè)換相周期，將有一相繞組處于不導(dǎo)通狀態(tài)，因此通過檢測(cè)第三相反電動(dòng)勢(shì)信號(hào)可檢測(cè)到轉(zhuǎn)子磁極在該繞組經(jīng)過的時(shí)刻。如圖1所示。在AB繞組通電時(shí)，應(yīng)檢測(cè)C相反電動(dòng)勢(shì)電壓。

4.【RK3576】入門指南之如何編譯第一個(gè)程序

通過《源碼工程管理》的描述得知，我們可以把源碼放在emmc內(nèi)，也可以通過nfs服務(wù)掛載遠(yuǎn)程服務(wù)器上的路徑，也可以把源碼放在移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備中。具體采取什么方式管理，需客戶根據(jù)自身需要進(jìn)行選擇。本文檔以放在emmc內(nèi)為例進(jìn)行教學(xué)說明。

5.利用麥科信示波器的分段存儲(chǔ)功能捕捉單次異常信號(hào)

單次異常信號(hào)，如偶發(fā)脈沖、瞬時(shí)錯(cuò)誤或間歇性故障，具有發(fā)生時(shí)間不確定、持續(xù)時(shí)間短、重復(fù)率低的特點(diǎn)。這些偶爾出現(xiàn)卻又轉(zhuǎn)瞬即逝的異常信號(hào)，就像狡猾的兔子，總是在我們眨眼間消失得無(wú)影無(wú)蹤。傳統(tǒng)方法往往難以捕捉這些單次異常，導(dǎo)致調(diào)試?yán)щy、問題隱患無(wú)法徹底排除。

6.ESD布局避坑指南

優(yōu)化阻抗以消除ESD在設(shè)計(jì)將ESD消除的電路時(shí)，電感是需要考慮的重要寄生參數(shù)。由于存在寄生電感，電流的變化會(huì)導(dǎo)致整體電壓 發(fā)生變化，從而破壞整體電路板的性能。圖2-1所示為ESD源和瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)或ESD二極管之間的四個(gè)寄生電感。

7.RS485接口電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)

RS485電路設(shè)計(jì)主要分為隔離型和非隔離型兩種類型。以非隔離型電路為例，B端通過接地實(shí)現(xiàn)下拉，而A端則通過上拉電阻維持高電平，這樣確保了A和B之間的電壓差超過200mV，從而滿足RS485的邏輯判斷需求。

8.大功率開關(guān)電源的抗干擾設(shè)計(jì)

該DSP控制的開關(guān)電源系統(tǒng)框圖如圖1所示，主要由功率主電路和控制電路組成。其中功率主電路由輸入EMI濾波器、輸入整流濾波電路、高頻逆變電路、高頻變壓器、輸出整流濾波電路組成。控制電路由DSP數(shù)字控制電路、IGBT驅(qū)動(dòng)電路、采樣電路、保護(hù)電路以及輔助電源組成?？刂齐娐肥且粋€(gè)實(shí)時(shí)檢測(cè)和控制系統(tǒng)，主要對(duì)開關(guān)電源輸出電壓、電流和IGBT溫度的檢測(cè)，對(duì)收集信息的分析和運(yùn)算處理，對(duì)電源工作參數(shù)的設(shè)置和顯示等。

9.基于兆易創(chuàng)新GD32E513RET6 MCU的陽(yáng)臺(tái)光伏微型逆變器解決方案

本方案采用GigaDevice GD32E513RET6作為主控芯片，充分利用其高性能、低功耗、豐富外設(shè)及寬溫工作特性，結(jié)合高效功率變換拓?fù)?，打造適配500W級(jí)陽(yáng)臺(tái)光伏系統(tǒng)的高性價(jià)比解決方案，具備MPPT（最大功率點(diǎn)跟蹤）精度高、并網(wǎng)電能質(zhì)量?jī)?yōu)、保護(hù)功能完善、通信便捷等優(yōu)勢(shì)。

10.ADI GMSL技術(shù)兩種視頻數(shù)據(jù)傳輸模式的區(qū)別

本文深入介紹GMSL技術(shù)，重點(diǎn)說明用于視頻數(shù)據(jù)傳輸?shù)南袼啬Ｊ胶退淼滥Ｊ街g的差異。文章將闡明這兩種模式之間的主要區(qū)別，并探討成功實(shí)施需要注意的具體事項(xiàng)。

11.電容器均壓電路的特點(diǎn)及存在的問題

影響電容器電壓是否均分主要有：電容量、ESR、漏電流等，盡管電容器在應(yīng)用初期這些參數(shù)對(duì)電容器的電壓均分的影響比較小，但是在電容器應(yīng)用的中后期，隨著這些參數(shù)的離散性變大，對(duì)電容器電壓均分的影響越來越大，最終導(dǎo)致電容器壽命的急劇縮短。如果不采取必要的均壓措施，會(huì)引起各個(gè)單體電容器上電壓較大，采取更多的串聯(lián)數(shù)來解決問題是不可取的。

12.納微雙向氮化鎵開關(guān)和IsoFast高速驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)單級(jí)變換新范式

超過70%的高壓功率轉(zhuǎn)換器采用兩級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，即先通過PFC級(jí)，再經(jīng)過DC-DC級(jí)來提供所需電壓。

13.Qorvo半導(dǎo)體 --衛(wèi)星通信網(wǎng)絡(luò)的鏈路預(yù)算概念及其計(jì)算方法

此分析中的性能組件包括發(fā)射功率、天線增益、路徑損耗、接收器靈敏度，以及因大氣吸收、多徑衰落，或系統(tǒng)缺陷等造成的額外損耗，詳見圖1。通過將這些數(shù)值組織成結(jié)構(gòu)化的計(jì)算模型，工程人員可以評(píng)估接收信號(hào)功率是否足以滿足所需的服務(wù)質(zhì)量，并支持通信信道中期望的信號(hào)波形。每一個(gè)組成部分都對(duì)最終的鏈路預(yù)算結(jié)果產(chǎn)生重要影響，理解其作用對(duì)于設(shè)計(jì)可靠且高效的通信系統(tǒng)舉足輕重。

14.瑞薩電子RA4L1 MCU為低功耗設(shè)備提高安全性

RA4L1采用瑞薩電子先進(jìn)的低功耗工藝技術(shù)，支持低至1.6V的低工作電壓，同時(shí)在保留16KB的 SRAM情況下提供低至1.65μA的低待機(jī)電流。具有浮點(diǎn)單元（FPU）和TrustZone的80MHz ArmCortex-M33內(nèi)核包括支持段碼式LCD和高級(jí)安全引擎等功能，以支持需要保護(hù)其應(yīng)用和通信的各種低功耗系統(tǒng)。

15.解讀Vicor 48V轉(zhuǎn)12V DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案

本文闡述了相較于重新設(shè)計(jì)傳統(tǒng)的 12V 系統(tǒng)，過渡到 48V 配電系統(tǒng)更能滿足當(dāng)今電子設(shè)備日益增長(zhǎng)的電力需求。此外，我們還詳細(xì)解析了雙向橋接轉(zhuǎn)換器解決方案如何助力設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn) 12V 轉(zhuǎn) 48VDC電源的平穩(wěn)過渡。

16.瑞薩RA系列MCU的中斷過程介紹

當(dāng)中斷來臨的時(shí)候會(huì)最先經(jīng)過IRQ寄存器，IRQ寄存器檢測(cè)到中斷的時(shí)候，會(huì)向中央處理嵌套向量中斷控制器NVIC發(fā)送中斷信號(hào)，當(dāng)NVIC檢測(cè)到中斷請(qǐng)求的時(shí)候，會(huì)將相應(yīng)的中斷服務(wù)函數(shù)進(jìn)行掛起。之后將運(yùn)行的八個(gè)寄存器進(jìn)行壓棧，壓棧完成之后將中斷服務(wù)程序進(jìn)行激活。之后將原先壓棧的寄存器取出，繼續(xù)運(yùn)行之前的程序。

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本篇文章重點(diǎn)關(guān)注了有線BMS應(yīng)用，并詳細(xì)介紹能夠增強(qiáng)電動(dòng)汽車電池安全性的 汽車安全認(rèn)證器 。

3.意法半導(dǎo)體詳解高效反向?qū)↖GBT的原理

在先進(jìn)的反向?qū)ń^緣柵雙極晶體管（RCIGBT）中，低導(dǎo)通電壓降（Vce(sat)）和集成二極管正向電壓（VF）對(duì)于有效減少導(dǎo)通損耗至關(guān)重要。盡管擴(kuò)大RCIGBT中的集成二極管可減小反向?qū)ㄆ陂g的VF，但由于此類參數(shù)間的固有平衡關(guān)系，此舉也會(huì)加劇回彈效應(yīng)并削弱正向?qū)ㄐ阅?。本文?yōu)化了集成二極管與IGBT的面積比，并在p體區(qū)域附近執(zhí)行了接觸注入。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在不影響Vce(sat)的情況下，VF提高了35%。此外，硅電極界面內(nèi)的接觸電阻顯著降低，器件的性能也隨之提升。

4.在藍(lán)牙協(xié)議棧開發(fā)過程中如何利用Trace機(jī)制實(shí)現(xiàn)LLCP預(yù)覽功能

在藍(lán)牙協(xié)議棧開發(fā)過程中，有時(shí)需要預(yù)先知道 LLCP。本文將介紹如何利用 Trace 機(jī)制實(shí)現(xiàn) LLCP 預(yù)覽功能。

5.如何移植EtherCAT Igh--基于米爾RK3576開發(fā)板

本文將介紹基于米爾電子MYD-LR3576開發(fā)板（米爾基于瑞芯微 RK3576開發(fā)板）的板端移植EtherCAT Igh方案的開發(fā)測(cè)試。

6.按鍵外部中斷的軟件設(shè)計(jì)

工程新建好之后，在工程根目錄的“src”文件夾下面新建“key”文件夾，再進(jìn)入“key”文件夾里面新建源文件和頭文件：“bsp_key_irq.c”和“bsp_key_irq.h”。工程文件結(jié)構(gòu)如下。

7.基于東芝產(chǎn)品的人體成分分析儀設(shè)計(jì)方案

方案提供了適用于人體成分分析儀的電源、傳感器信號(hào)輸入、面板顯示、人體阻抗測(cè)量等幾個(gè)部分的半導(dǎo)體產(chǎn)品選型及電路配置示例。

8.解讀安森美硬核APM和柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案

該應(yīng)用場(chǎng)景的主流功率級(jí)拓?fù)洳捎梅歉綦x式同步降壓轉(zhuǎn)換器。同步開關(guān)支持雙向電流流動(dòng)，實(shí)現(xiàn)升壓模式。從48V側(cè)觀察時(shí)，該結(jié)構(gòu)工作為同步降壓轉(zhuǎn)換器；而從12V側(cè)觀察時(shí)，它則表現(xiàn)為同步升壓轉(zhuǎn)換器。功率級(jí)的設(shè)計(jì)可采用分立MOSFET或集成化汽車電源模塊（APM）方案。

9.USB 差分信號(hào)線 PCB 布線指南

本文介紹了在 PCB 上正確布局 USB 差分?jǐn)?shù)據(jù)線的關(guān)鍵原則和實(shí)踐。主要目標(biāo)是實(shí)現(xiàn) USB 規(guī)范中規(guī)定的 90 歐姆阻抗匹配。且應(yīng)考慮 ESD 保護(hù)及完整的地平面。

10.使用恩智浦FRDM-MCXN947開發(fā)板GUI控制電機(jī)

設(shè)計(jì)一個(gè)基于LVGL的GUI應(yīng)用，可以在UI上拖動(dòng)滑動(dòng)條控制電機(jī)轉(zhuǎn)速，點(diǎn)擊按鍵切換點(diǎn)擊旋轉(zhuǎn)方向。

11.AMD 7nm Versal系列器件NoC的使用及注意事項(xiàng)

AMD 7nm Versal系列器件引入了可編程片上網(wǎng)絡(luò)（NoC, Network on Chip），這是一個(gè)硬化的、高帶寬、低延遲互連結(jié)構(gòu)，旨在實(shí)現(xiàn)可編程邏輯（PL）、處理系統(tǒng)（PS）、AI引擎（AIE）、DDR控制器（DDRMC）、CPM（PCIe/CXL）等模塊之間的高效數(shù)據(jù)交換。

12.負(fù)載開關(guān)IC的具體功能操作

電子系統(tǒng)運(yùn)行中會(huì)遇到一些突發(fā)狀況，如連接VOUT引腳的負(fù)載與GND短路。當(dāng)輸出電壓（VOUT）下降導(dǎo)致電流過大時(shí)，負(fù)載開關(guān)IC的過流保護(hù)功能會(huì)觸發(fā)限流電路，將輸出電流限制在設(shè)定的輸出限制電流（ICL）電平，有效避免電流過大對(duì)系統(tǒng)造成損害。

活動(dòng)分享

1.【線下活動(dòng)】2025 KiCon Asia KiCad 用戶大會(huì)

KiCad Asia 大會(huì)是來自亞洲及其他地區(qū)的 KiCad 開發(fā)者、用戶、設(shè)計(jì)師和倡導(dǎo)者的年度聚會(huì)。KiCon 是一個(gè)由志愿者組織的社區(qū)活動(dòng)。我們專注于建立一個(gè)多樣化和可持續(xù)的開放社區(qū)，分享我們的經(jīng)驗(yàn)，并向他人學(xué)習(xí)。雖然是軟件把我們聚集在一起，但正是對(duì)社會(huì)和環(huán)境的深切關(guān)懷，幫助解決世界上的問題，連接了我們。

2.【開發(fā)板試用】靈眸科技EASY EAI Nano-TB開發(fā)套件免費(fèi)試用

EASY-EAI-Nano-TB是靈眸科技研發(fā)的一款應(yīng)用于AIOT領(lǐng)域的核心板。核心板基于瑞芯微的RV1126B處理器設(shè)計(jì)，集成了4個(gè)Cortex-A53及獨(dú)立的NEON協(xié)處理器，支持4K@30fps的 H.264/H.265解碼器，還支持4K@30fps的H.264/H.265編碼器。

3.【開發(fā)板試用】瑞薩RA6E2開發(fā)板免費(fèi)試用

RA-Eco-RA6E2-64PIN-V1.0是一款基于100MHz Arm Cortex-M33內(nèi)核架構(gòu)的核心板，主控芯片為R7FA6E2BB3CFM。RA6E2組是RA6系列中最新的入門級(jí)微控制器，基于帶有TrustZone的200MHz Arm Cortex-M33內(nèi)核。RA6E2 MCU作為入門級(jí)微控制器，在追求成本優(yōu)化的同時(shí)提供了最佳的性能。與RA4E2組的引腳和外設(shè)兼容，使其成為要求更高性能、小尺寸和低引腳數(shù)的應(yīng)用的理想選擇。

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