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MCF8315C-Q1 提供單芯片、無代碼無傳感器 FOC 設計，適用于驅動峰值電流高達 4A 的 12 至 24V 無刷直流電機（BLDC）或永磁同步電機（PMSM）的客戶。MCF8315C-Q1集成了三個1/2橋，具有40V絕對最大能力和240/250mΩ的低RDS（ON）（高側+低側FET）。MCF8315C-Q1集成了電源管理電路，包括電壓可調降壓穩(wěn)壓器（3.3V/5V，170mA）和LDO（3.3V/20mA），可用于為外部電路供電。
*附件：mcf8315c-q1.pdf

FOC算法配置可以存儲在非易失性EEPROM中，允許器件在配置器件后獨立運行。該器件通過PWM輸入、模擬電壓、變頻方波或I2C命令接收速度命令。MCF8315C-Q1 中集成了大量保護功能，旨在保護器件、電機和系統(tǒng)免受故障事件的影響。

MCF8315C-Q1 提供兩種封裝：40 引腳 7mm × 5mm 可潤濕側翼 QFN （RGF）和 32 引腳 6mm × 4mm 可潤濕側翼 QFN （RRY）。

特性

具有集成無傳感器電機控制算法的三相BLDC電機驅動器
- 無代碼磁場定向控制（FOC）
- 使用電機參數(shù)提取工具（MPET）進行離線電機參數(shù)測量
- 支持 5 點可配置速度配置文件
- 通過正向再同步和反向驅動支持風車
- 基于模擬、PWM、頻率或 I2C 的速度輸入
- 可配置的電機啟動和停止選項
- 抗電壓浪涌（AVS）保護
- 通過自動死區(qū)時間補償提高聲學性能
- 通過DACOUT引腳進行可變監(jiān)控
4.5 至 35V 工作電壓（最大 40V 絕對電壓）
高（峰值）輸出電流能力：4A
低 MOSFET 導通電阻
- RGF：RTS（ON）（H+L） TJ = 25°C時：240mΩ（典型值）
- RRY：TJ = 25°C時RDS（ON）（H+L）：250mΩ（典型值）
低功耗睡眠模式：參考
- VVM = 24V、TA = 25°C時為5μA（最大值）
速度環(huán)路精度：3%（內部時鐘）和1%（外部時鐘基準）
客戶可配置的非易失性存儲器（EEPROM）用于存儲器件配置
支持高達 60kHz 的 PWM 頻率，支持低電感電機
不需要外部電流檢測電阻;使用內置電流檢測
內置 3.3V、20mA LDO 穩(wěn)壓器
內置 3.3V/5V、170mA 降壓穩(wěn)壓器
用于禁用（Hi-Z）輸出的專用 DRVOFF 引腳
用于緩解 EMI 的擴頻和壓擺率
一套集成保護功能
- 電源欠壓鎖定（UVLO）
- 電源過壓保護（OVP）
- 電機鎖檢測（5 種不同類型）
- 過流保護（OCP）
- 熱警告和關斷（OTW/TSD）
- 故障狀態(tài)指示引腳（nFAULT）
- 通過 I2C 接口進行可選故障診斷

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

?集成驅動與控制?
- 三相BLDC/PMSM電機驅動，集成無感FOC算法，無需編程（Code-Free）。
- 支持離線電機參數(shù)自動測量（MPET工具），配置存儲于非易失性EEPROM。
- 支持模擬/PWM/頻率/I2C多種速度輸入模式，5點可配置速度曲線。
- 集成電流檢測（無需外部分流電阻）、3.3V/5V可調Buck穩(wěn)壓器（170mA）和LDO（20mA）。
?高性能輸出?
- 工作電壓范圍：4.5V至35V（峰值40V），輸出電流峰值4A。
- 低MOSFET導通電阻：240mΩ（RGF封裝）/250mΩ（RRY封裝）。
- 支持高達60kHz PWM頻率，適用于低電感電機。
?保護功能?
- 電源欠壓（UVLO）、過壓（OVP）、過流（OCP）、電機堵轉檢測（5種類型）。
- 溫度警告（OTW）與關斷（TSD）、故障指示引腳（nFAULT/ALARM）。
- 抗電壓浪涌（AVS）和主動制動（Ac tive Braking）功能。

?2. 關鍵功能?

?電機控制模式?
- ?速度控制?（閉環(huán)PI調節(jié)）或?扭矩控制?（直接設置Iq_ref）。
- 支持線性/階梯/雙向速度曲線配置，適應不同應用需求。
?啟動與運行?
- 支持靜態(tài)對齊（Align/IPD）、旋轉同步（Resync）、反向驅動（Reverse Drive）。
- 開環(huán)加速至閉環(huán)切換閾值可配置，平滑過渡減少速度波動。
?保護與診斷?
- 故障可通過nFAULT引腳或I2C寄存器讀取詳細狀態(tài)。
- 支持DC總線電流限制，防止電源過載。