電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）受益于AI浪潮帶動存儲行業(yè)的需求激增，疊加大廠轉(zhuǎn)產(chǎn)HBM縮減DRAM產(chǎn)能引發(fā)的供應(yīng)短缺等狀況，近日，無論是HBM大廠還是利基存儲、存儲模組等廠商陸續(xù)又開始漲價(jià)或是暫停報(bào)價(jià)。SK海力士、三星電子等諸多廠商的業(yè)績也是屢創(chuàng)新高。多家機(jī)構(gòu)預(yù)測存儲漲價(jià)形勢將延續(xù)到第四季度甚至明年。

漲價(jià)形勢

據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子近日通知主要客戶，將在第四季度上調(diào)產(chǎn)品合約交易（大宗）價(jià)格，其中DRAM上漲15%-30%，NAND上漲5%-10%。據(jù)央視財(cái)經(jīng)報(bào)道，同樣有觀測認(rèn)為，SK海力士近期也將加入漲價(jià)行列。

9月初，SanDisk已宣布將NAND Flash報(bào)價(jià)上調(diào)10%。美光也通知客戶，對包括DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等內(nèi)存產(chǎn)品全部停止報(bào)價(jià)，且相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格可能調(diào)漲20%-30%

近日，威剛、十銓暫停報(bào)價(jià)，這是存儲器模組業(yè)2017年以來首次出現(xiàn)廠商暫停報(bào)價(jià)，意味市場嚴(yán)重供不應(yīng)求，業(yè)界認(rèn)為暫停報(bào)價(jià)或進(jìn)一步推高價(jià)格。

威剛董事長陳立白證實(shí)，公司這波暫停報(bào)價(jià)措施將延續(xù)至10月中旬，主要考量DRAM貨源嚴(yán)重不足，因此要管控庫存和調(diào)整配售方式。陳立白表示，第四季度是存儲器大多頭的起點(diǎn)，也是嚴(yán)重缺貨的開始，2026年產(chǎn)業(yè)榮景可期。

針對漲價(jià)，多家國內(nèi)存儲廠商也給出了判斷。北京君正認(rèn)為，按照市場一些觀點(diǎn)，漲價(jià)周期可能會持續(xù)到明年。目前消費(fèi)市場更加明顯，行業(yè)市場情況稍微復(fù)雜一些，很多是長期合作的客戶，對于長期合作的大客戶，要綜合考慮很多因素?？傮w上我們會參考市場情況進(jìn)行一些價(jià)格策略的調(diào)整。目前DRAM產(chǎn)能能夠滿足需求，之前也有一些備貨，包括新制程的產(chǎn)品也提前下了一部分生產(chǎn)采購訂單。目前滿足供應(yīng)需求是可控的。

普冉股份表示，晶圓廠產(chǎn)能目前處于持續(xù)緊張的狀態(tài)，但目前公司與其雙方協(xié)商的價(jià)格依然處于比較穩(wěn)定的水平。未來是否影響成本價(jià)格要根據(jù)市場具體的供需關(guān)系去判斷和談判博弈。公司和各晶圓廠保持緊密合作，以保障公司相應(yīng)產(chǎn)能，同時(shí)公司目前有充足庫存保障，對應(yīng)具備一定性價(jià)比的wafer、半成品及成品等，可以確保公司后續(xù)規(guī)模的持續(xù)增長。

CFM閃存市場近日發(fā)布2025年Q4存儲市場展望報(bào)告。報(bào)告指出，預(yù)計(jì)四季度，服務(wù)器eSSD漲幅將達(dá)到10%以上，DDR5 RDIMM價(jià)格漲幅約10%~15%；Mobile嵌入式NAND漲幅約5%~10%，LPDDR4X/5X漲幅約10%~15%；PC端LPDDR5X/D5價(jià)格漲幅預(yù)計(jì)將落在10%~15%，cSSD價(jià)格漲幅達(dá)5%~10%。

AI基建將存儲帶入超級周期

分析認(rèn)為，隨著人工智能投資大幅增加，AI服務(wù)器帶動存儲用半導(dǎo)體需求爆發(fā)式增長，預(yù)計(jì)未來2-3年內(nèi)存儲半導(dǎo)體將進(jìn)入價(jià)格穩(wěn)步上漲的“超級周期”。

AI服務(wù)器對存儲芯片的需求呈現(xiàn)數(shù)量級增長。 單臺AI服務(wù)器的DRAM用量是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍，NAND用量則是傳統(tǒng)服務(wù)器的3倍。這種需求暴漲直接導(dǎo)致了市場供需失衡。

特別是HBM產(chǎn)品需求出現(xiàn)指數(shù)級增長。摩根士丹利預(yù)計(jì)，全球HBM市場規(guī)模將從2023年的30億美元增至2027年的530億美元。

花旗分析指出，HBM的毛利率約在50%到60%，而傳統(tǒng)的DRAM僅為30%左右。據(jù)央視財(cái)經(jīng)報(bào)道，HBM的訂貨模式也發(fā)生根本性變化?，F(xiàn)在每一塊HBM芯片都需針對特定的AI GPU定制，客戶需要提前一年下單，合同通常為一年期。 這與傳統(tǒng)DRAM芯片形成鮮明對比，后者可以隨時(shí)采購，甚至當(dāng)天交付，并且容易更換供應(yīng)商。

生成式AI熱潮導(dǎo)致高容量、高速芯片的需求激增，存儲芯片的兩大龍頭企業(yè)三星電子和SK海力士正接獲大量訂單。

日前，三星電子和SK海力士分別與OpenAI簽署協(xié)議，宣布作為核心合作伙伴，參與全球人工智能基礎(chǔ)設(shè)施項(xiàng)目Stargate。該項(xiàng)目旨在到 2029 年在全球構(gòu)建超大規(guī)模人工智能數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)。根據(jù)協(xié)議，三星和SK海力士為OpenAI提供人工智能加速器中使用的大部分HBM，其需求量相當(dāng)于每月90萬片晶圓。這一需求預(yù)測是目前全球HBM產(chǎn)能的兩倍多。分析稱，這筆訂單將在未來四年為韓國芯片制造商帶來超過100萬億韓元（約合705億美元）的增量需求。

目前，SK海力士已建成HBM4量產(chǎn)體系，三星電子也在為HBM4量產(chǎn)做準(zhǔn)備。

漲價(jià)預(yù)期之下，國內(nèi)存儲廠商動態(tài)

江波龍

江波龍?jiān)谧杂泻诵闹R產(chǎn)權(quán)、技術(shù)能力的基礎(chǔ)上，企業(yè)級存儲產(chǎn)品已獲得多個(gè)不同行業(yè)頭部客戶的廣泛認(rèn)可。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，2024 年中國企業(yè)級 SATA SSD 總?cè)萘颗琶?，公司位列第三，在國產(chǎn)品牌中位列第一，同時(shí)，公司企業(yè)級PCIe SSD 與 RDIMM 產(chǎn)品已開始批量導(dǎo)入國內(nèi)頭部企業(yè)。江波龍積極布局?jǐn)?shù)據(jù)中心應(yīng)用領(lǐng)域的高性能存儲產(chǎn)品，拓展 CXL2.0、MRDIMM 等多種新型內(nèi)存，并正式發(fā)布SOCAMM2。SOCAMM2 是專為 AI 數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的內(nèi)存產(chǎn)品，在帶寬、功耗上具有突破性的能效表現(xiàn)，能夠全面突破傳統(tǒng)RDIMM 的性能瓶頸及高溫痛點(diǎn)。

全球目前僅少數(shù)企業(yè)具備在芯片層面開發(fā)UFS4.1產(chǎn)品的能力，江波龍憑借自研主控芯片成功實(shí)現(xiàn)UFS4.1 產(chǎn)品的突破。經(jīng)原廠及第三方測試驗(yàn)證，搭載公司自研主控的UFS4.1 產(chǎn)品在制程、讀寫速度以及穩(wěn)定性上優(yōu)于市場可比產(chǎn)品，在獲得以閃迪代表的存儲原廠認(rèn)可的基礎(chǔ)上，還獲得多家 Tier1 大客戶的認(rèn)可，相關(guān)導(dǎo)入工作正加速進(jìn)行。UFS4.1 作為當(dāng)前嵌入式存儲領(lǐng)域的高端產(chǎn)品，是Tier1 大客戶旗艦機(jī)型的主流存儲配置，伴隨嵌入式存儲市場由eMMC向 UFS 加速演進(jìn)，整體市場高度集中且具備廣闊空間。

目前江波龍各系列主控芯片采用領(lǐng)先于主流主控芯片的頭部 Foundry 工藝，采用自研核心IP，搭配公司自研固件算法，使得公司各類存儲產(chǎn)品具有明顯的性能和功耗優(yōu)勢。

截止至 7 月底，江波龍主控芯片全系列產(chǎn)品累計(jì)實(shí)現(xiàn)超過8000 萬顆的批量部署，并且部署規(guī)模仍在保持快速增長。搭載自研主控的 UFS4.1 產(chǎn)品正處于多家Tier1 廠商的導(dǎo)入驗(yàn)證階段，全年來看，自研主控芯片部署規(guī)模將實(shí)現(xiàn)放量增長。

北京君正

今年上半年北京君正計(jì)算芯片增長15.59%，存儲芯片增長5.20%，模擬與互聯(lián)增長 5.02%。下半年從市場發(fā)展趨勢上，預(yù)計(jì)汽車工業(yè)仍然保持緩慢復(fù)蘇的態(tài)勢，消費(fèi)電子市場需求影響因素較多，比如由于國補(bǔ)方面的變化。

北京君正的計(jì)算業(yè)務(wù)有兩塊業(yè)務(wù)，一塊是智能安防，包括網(wǎng)絡(luò)攝像頭、門鈴等產(chǎn)品，在智能穿戴等泛視頻領(lǐng)域也有一些應(yīng)用；另一塊是嵌入式 MPU 芯片所面向的智能 IOT 領(lǐng)域，包括二維碼設(shè)備、打印機(jī)、掃地機(jī)等。目前發(fā)展趨勢良好，比如在打印機(jī)領(lǐng)域，可以應(yīng)用在多類打印機(jī)產(chǎn)品中，如激光、噴墨、3D等，不斷有更多客戶拓展進(jìn)來。

目前北京君正已有的NPU是一個(gè)多 T，預(yù)計(jì)明年中會投帶有4T算力的 IPC 產(chǎn)品，更大算力的NPU模塊也將繼續(xù)研發(fā)。AI MCU今年中已經(jīng)投了一版MPW。

北京君正的LPDDR4于幾年前量產(chǎn)銷售，有不少客戶采用，但由于之前產(chǎn)品是25nm，成本較高，影響了產(chǎn)品的性價(jià)比競爭力，從去年到今年，公司20nm、18nm、16nm 的產(chǎn)品陸續(xù)送樣，更具性價(jià)比優(yōu)勢的產(chǎn)品開始陸續(xù)向客戶推廣，同時(shí)產(chǎn)品容量也在提升，4G、8G、16G、32G 的 LPDDR4 產(chǎn)品將逐漸到位，預(yù)計(jì)明年開始LPDDR4 產(chǎn)品的銷售占比會逐漸增加。

汽車市場方面，NOR FLASH大容量的產(chǎn)品增速優(yōu)于DRAM。LPDDR5目前在規(guī)劃中。3D DRAM 尚在研發(fā)中，對標(biāo)市場和友商類似，不會只是面向汽車市場。

普冉股份

普冉股份表示，公司存儲類車載產(chǎn)品完成 AEC-Q100 Grade1 標(biāo)準(zhǔn)的全面考核，在車身攝像頭、車載中控、娛樂系統(tǒng)等應(yīng)用上實(shí)現(xiàn)了海內(nèi)外客戶的批量交付，汽車電子產(chǎn)品營收占比持續(xù)提升；同時(shí)公司持續(xù)推進(jìn) EEPROM 產(chǎn)品全系列的車規(guī)認(rèn)證。

普冉中小容量 SONOS NOR Flash 車載產(chǎn)品已陸續(xù)完成 AECQ100 認(rèn)證，主要應(yīng)用于部分品牌車型的前裝車載導(dǎo)航、中控娛樂等。同時(shí)，公司全容量 ETOX NOR Flash 系列產(chǎn)品通過 AEC-Q100車規(guī)認(rèn)證，為公司在汽車電子領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，打開了更加廣闊的市場空間。

普冉股份籌劃收購珠海諾亞長天存儲控股權(quán)，對于本次收購，普冉表示，主要是為了增強(qiáng)公司在存儲器芯片領(lǐng)域的核心競爭力，進(jìn)一步豐富產(chǎn)品線。珠海諾亞長天存儲技術(shù)有限公司持有SkyHigh Memory Limited（SHM）100%的股權(quán)。SHM 專注于提供中高端應(yīng)用的高性能 2D NAND 及衍生存儲器（SLC NAND，eMMC，MCP）產(chǎn)品及方案，其產(chǎn)品與普冉股份現(xiàn)有的 NOR Flash、EEPROM、MCU等產(chǎn)品形成互補(bǔ)，可完善公司非易失性存儲產(chǎn)品布局。同時(shí)，SHM在全球建立了較為成熟的銷售網(wǎng)絡(luò)，與公司主要來源于中國市場的銷售渠道形成互補(bǔ)，有助于公司拓展全球市場。此外，雙方在設(shè)計(jì)及產(chǎn)品工程能力方面也能相互補(bǔ)充，產(chǎn)生良好的業(yè)務(wù)協(xié)同效應(yīng)。

普冉堅(jiān)持存儲和“存儲+”并行戰(zhàn)略，一方面鞏固 NOR Flash和 EEPROM 在現(xiàn)有市場的優(yōu)勢，拓展工業(yè)、車規(guī)等增量市場；另一方面大力發(fā)展 MCU 和模擬產(chǎn)品。此次收購與發(fā)展戰(zhàn)略高度契合，收購?fù)瓿珊?，納入新的 2D NAND 及衍生存儲器產(chǎn)品，進(jìn)一步豐富“存儲+” 戰(zhàn)略下的產(chǎn)品矩陣，完善非易失性存儲產(chǎn)品布局，增強(qiáng)在存儲器芯片領(lǐng)域的核心競爭力，助力公司在全球存儲市場取得更有利的競爭地位。

小結(jié)：

摩根士丹利預(yù)測，到2026年NAND閃存將出現(xiàn)高達(dá)8%的供應(yīng)缺口。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計(jì)，今年第四季度DRAM的價(jià)格將環(huán)比上漲約9%。

另外據(jù)SEMI最新報(bào)告稱，存儲領(lǐng)域未來3年設(shè)備支出總額將達(dá)1360 億美元，標(biāo)志著該細(xì)分領(lǐng)域開啟新一輪增長周期。預(yù)計(jì)2026 -2028 年，DRAM 相關(guān)設(shè)備投資將超過 790 億美元，3D NAND 投資將達(dá)到 560 億美元。

2025年4月以來，隨著三星、SK海力士、美光等頭部廠商相繼將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高加值存儲，存儲產(chǎn)品的供應(yīng)已經(jīng)發(fā)生結(jié)構(gòu)性變化。一方面是AI基建大量需要高端存儲如HBM，另一方面端側(cè)AI的爆發(fā)也在刺激各類規(guī)格存儲的需求（相關(guān)內(nèi)容可閱覽筆者多篇端側(cè)AI存儲的報(bào)道以及報(bào)告等）。這無疑在造就存儲行業(yè)如今的高景氣度行情。