中芯國(guó)際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)，距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)......

根據(jù)供應(yīng)鏈傳出的消息指出，中國(guó)大陸最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際，目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)。因此，距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)了。

據(jù)了解，根據(jù)中芯國(guó)際最新的財(cái)報(bào)顯示，目前中芯國(guó)際最先進(jìn)的制程為28納米。但是以2018年第1季的財(cái)報(bào)數(shù)字來(lái)看，28納米占其營(yíng)收不過(guò)3.2%，相較聯(lián)電、英特爾等先進(jìn)制程發(fā)展較慢的廠商來(lái)說(shuō)，落后的一個(gè)世代以上，更罔論與先進(jìn)制程開發(fā)進(jìn)度較快的臺(tái)積電、格羅方德、三星等企業(yè)已經(jīng)準(zhǔn)備切入7納米制程相較，更是足足落后3個(gè)世代以上。

為了追趕這樣的落差，中芯國(guó)際不但在2017年底延攬三星電子及臺(tái)積電的前高層梁孟松來(lái)?yè)?dān)任聯(lián)席首席執(zhí)行長(zhǎng)的職務(wù)，主要就是希望藉由他過(guò)去的經(jīng)驗(yàn)，指導(dǎo)中芯國(guó)際在發(fā)展14納米FinFET制程上的進(jìn)程，使中芯國(guó)際的14納米FinFET制程能在2019年達(dá)成量產(chǎn)的目標(biāo)之外，還在2018年初宣布，將聯(lián)同兩大政府產(chǎn)業(yè)基金共同投資102.4億美元，以加快14納米及以下先進(jìn)制程研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃，最終達(dá)成每月量產(chǎn)3.5萬(wàn)片的目標(biāo)。如今，在中芯國(guó)際的14納米FinFET制程達(dá)到良率95%的情況下，等于是向目標(biāo)又邁進(jìn)了一大步。

事實(shí)上，隨著28納米Poly/SiON制程技術(shù)成功量產(chǎn)，再加上2018年2月成功試產(chǎn)客戶采用28納米High-K/Metal Gate（HKMG）制程技術(shù)的產(chǎn)品，試產(chǎn)良率高達(dá)98%之后，與中國(guó)***地區(qū)晶圓代工廠商聯(lián)電有著緊密合作關(guān)系的廈門聯(lián)芯，在28納米節(jié)點(diǎn)上的技術(shù)快速成熟。而這樣的消息對(duì)當(dāng)前代表大陸晶圓代工龍頭的中芯來(lái)說(shuō)，因?yàn)樵?8納米HKMG制程良率一直不如預(yù)期，而且在過(guò)去14納米FinFET制程上又無(wú)法突破的情況下，幾乎要拱手讓出大陸晶圓代工龍頭的位置。如今，在14納米FinFET制程技術(shù)上取得了突破，并向量產(chǎn)目標(biāo)邁開腳步，才讓中芯國(guó)際再保住龍頭的位置。

此外，除了對(duì)內(nèi)與聯(lián)芯的競(jìng)爭(zhēng)外，中芯國(guó)際在14納米FinFET制程上的突破，也象征著拉近了與國(guó)際一線晶圓代工大廠的距離。除了臺(tái)積電、格羅方德、三星都在積極布局7納米制程，并且最快2018年底前就能有產(chǎn)品出現(xiàn)之外，包括聯(lián)電、英特爾都還在14納米節(jié)點(diǎn)的位置上。尤其是英特爾，在14納米制程上，預(yù)計(jì)還將使用到2019年后。在這方面來(lái)說(shuō)，未來(lái)一旦中芯國(guó)際14納米FinFET制程正式進(jìn)入量產(chǎn)，則大陸市場(chǎng)上目前交由海外代工的產(chǎn)品，就有可能由中芯國(guó)際進(jìn)行代工。對(duì)中芯國(guó)際來(lái)說(shuō)會(huì)是利多，但對(duì)其他的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手而言就可能不是太好的消息。

根據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士指出，雖然過(guò)去曾有大基金擬向格羅方德購(gòu)買技術(shù)，強(qiáng)化中芯國(guó)際14納米FinFET制程的消息。但是，這次似乎是梁孟松及其他所帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)發(fā)揮的作用，進(jìn)一步將中芯國(guó)際的14納米制程拉上。只是，消息人士也指出，這事情光靠梁孟松一人并不可能辦到，而是梁孟松過(guò)去從***及韓國(guó)帶走的相關(guān)人員一起努力的結(jié)果。所以，中心國(guó)際線在已經(jīng)達(dá)到了14納米研發(fā)成功的階段，下一階段就必須看14納米制程能為公司帶來(lái)多少效益了。

據(jù)悉，2017年下半年中芯國(guó)際延攬前三星電子(Samsung Electronics)、臺(tái)積電技術(shù)高層梁孟松后，首次于線上法說(shuō)會(huì)中現(xiàn)“聲”說(shuō)法，他表示非常看好中芯在產(chǎn)業(yè)中的機(jī)會(huì)與位置，但也深具挑戰(zhàn);針對(duì)外界最關(guān)心的高階制程進(jìn)度，共同執(zhí)行長(zhǎng)趙海軍表示，先進(jìn)制程14納米FinFET將于2019年量產(chǎn)，第二代28納米HKMG制程也會(huì)于2018年底問(wèn)世，外界都睜大眼睛等著檢視成績(jī)單。

針對(duì)外界詢問(wèn)梁孟松加入中芯國(guó)際的最大任務(wù)，眾所皆知是高階制程技術(shù)的進(jìn)度。中芯表示，將在2019年量產(chǎn)14納米FinFET制程技術(shù)。意即，梁孟松要用兩年的時(shí)間，幫中芯國(guó)際把14納米FinFET制程世代追上來(lái)，業(yè)界認(rèn)為，很挑戰(zhàn)，但不是不可能，因?yàn)橐呀?jīng)準(zhǔn)備很久了，很期待，也會(huì)持續(xù)關(guān)注。

除了先進(jìn)制程的布局，隨著梁孟松的加入而大踩油門往前沖之外，中芯也表示，公司投入快閃存儲(chǔ)器NOR Flash、微控制器(MCU)、傳感器CMOS Sensor、高壓(HV)等制程技術(shù)平臺(tái)，這些都是用到既有成熟制程的fab filter產(chǎn)品，且95%的機(jī)臺(tái)是相容于邏輯制程，可以根據(jù)客戶對(duì)于需求來(lái)規(guī)劃，做產(chǎn)能調(diào)配。

展望未來(lái)，中芯國(guó)際表示，這兩年是進(jìn)入了過(guò)渡期，為下一階段的成長(zhǎng)把技術(shù)和產(chǎn)能備妥，而短期方面，看好的成長(zhǎng)動(dòng)力包括28納米制程、快閃存儲(chǔ)器、指紋辨識(shí)芯片、電源管理芯片等，會(huì)持續(xù)將資源聚焦在關(guān)鍵的技術(shù)平臺(tái)。