（電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹）9月10日，TrendForce發(fā)布最新《全球電動車逆變器市場數(shù)據(jù)》，2025 年第二季受惠純電動車（BEV）銷售成長，全球電動車牽引逆變器裝機量達 766 萬臺，年增 19%。就功率半導(dǎo)體在逆變器的應(yīng)用而言，第二季碳化硅（SiC）逆變器滲透率提升至17%，不僅主要裝機于BEV（純電動車），亦逐漸擴展至PHEV（插電混合式電動車）和REEV（增城式電動汽車），后兩者合計裝機占比近19%，全數(shù)由中國本土汽車廠貢獻。

SiC器件的另外一個增長來自AI數(shù)據(jù)中心，碳化硅在數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)中不可或缺。AI服務(wù)器單機柜功率提升至數(shù)百千瓦，對供電效率、功率密度要求嚴苛。SiC MOSFET因1200V以上高耐壓、低損耗特性，成為電源供應(yīng)單元（PSU）前端AC-DC變換核心器件。根據(jù)國際調(diào)研機構(gòu)Omdia的數(shù)據(jù)顯示，2024年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模達到757億美元，2025年有望達到815億美元。中國是全球最大的功率半導(dǎo)體消費國，2025年市場規(guī)模有望達到381億美元。

9月24-26日，PCIM Asia 2025在上海新國際博覽中心舉辦，安森美、英飛凌、東芝、揚杰科技帶來最新SiC器件和解決方案，本文進行匯總。

英飛凌：CoolSiC MOSFET新品集體亮相，賦能光伏、汽車和AI數(shù)據(jù)中心

在PCIM Asia 2025展上，全球功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)英飛凌帶來了CoolSiC? MOSFET 2025年度最新產(chǎn)品，包括CoolSiC? MOSFET G2 1200V和1400V單管多種封裝組合以及CoolSiC? MOSFET 碳化硅模塊。


其中，1200V產(chǎn)品采用Q-DPAK TSC頂部散熱封裝，能提供更出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度；新一代CoolSiC? MOSFET G2 1400 V經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計，適配1000V以上母線電壓，電流承載能力顯著提升，產(chǎn)品最低導(dǎo)通電阻可低至6mΩ，性能指標行業(yè)領(lǐng)先，適用于光儲等高功率場景。

英飛凌還推出了CoolSiC? MOSFET G2 750V。它提供車規(guī)和工規(guī)兩個系列，其中Q-DPAK 頂部散熱封裝產(chǎn)品導(dǎo)通內(nèi)阻低至4mΩ，達到行業(yè)領(lǐng)先水平，具有優(yōu)異的抗寄生導(dǎo)通能力，支持單級驅(qū)動，支持最高節(jié)溫200度過載運行，幫助客戶實現(xiàn)更高的功率密度和集成度。
英飛凌工作人員介紹， 800V SiC主驅(qū)逆變器系統(tǒng)用到了1200V的SiC MOSFET，因此可以提供高達750A的大電流能力，同時工作結(jié)溫還可以達到200度。該Demo可以幫助客戶快速實現(xiàn)對于樣品引入的測試和系統(tǒng)驗證。
另外，值得關(guān)注的是英飛凌帶來了其嵌入式碳化硅方案，采用英飛凌新一代1200V G2p SiC嵌入印制電路板（PCB），可以有效降低系統(tǒng)雜散電感，支持SiC芯片快速地開關(guān)，提高系統(tǒng)效率，降低成本。工作人員介紹說，與傳統(tǒng)設(shè)計相比，嵌入式SiC方案大幅減少了電壓紋波。例如，傳統(tǒng)設(shè)計的紋波可能高達一兩百伏，限制了1200V器件的使用范圍。而CoolSiC嵌入式PCB的紋波可控制在30V至50V的水平，使1200V器件能夠支持高達1000V的系統(tǒng)電壓。

圍繞AI數(shù)據(jù)中心和汽車主驅(qū)逆變器，安森美推出了最新SiC方案

9月24日，PCIM Asia 2025展上，安森美帶來了推動下一代AI數(shù)據(jù)中心供電的硬核Demo以及合作伙伴解決方案展示，包括12kW AI云計算電源單元（PSU）、3kW圖騰柱PSU SiC和汽車主驅(qū)逆變器方案。

上圖展示的是12kW AI云計算電源單元（PSU），這款電源單元通過集成先進的M3S MOSFET與SiC JFET器件，具備更高的開關(guān)頻率和更強的熱管理能力，確保了卓越的性能，是現(xiàn)代AI數(shù)據(jù)中心的理想解決方案。
另外一款3kW圖騰柱PSU SiC，這款產(chǎn)品是85-230Vac寬幅輸入，穩(wěn)定輸出48Vdc，300×180×54mm的尺寸里藏著安森美NCP1681圖騰柱PFC等技術(shù)，散熱效率直接拉滿。


安森美現(xiàn)場展示的主驅(qū)逆變器方案M3e EliteSiC?，它可實現(xiàn)2.1mΩ的Rsp，基于M3e EliteSiC?技術(shù)的最新功率模塊，實現(xiàn)了超高功率密度。安森美自主研發(fā)的基于M3e EliteSiC的B2S模塊具備低于4nH的雜散電感，并且支持螺絲與壓接兩種便捷安裝方式。安森美還提供配套的隔離式柵極驅(qū)動器，核心驅(qū)動器NCV51755支持15A峰值電流，并滿足ISO-26262 ASIL-D功能安全等級。

東芝和基本半導(dǎo)體聯(lián)合展示最新功率器件方案

在2025年P(guān)CIM Asia展上，東芝與基本半導(dǎo)體通過聯(lián)合展臺，共同展示了雙方在碳化硅領(lǐng)域深度合作的最新產(chǎn)品與解決方案，特別是應(yīng)用為車載應(yīng)用開發(fā)的高性能功率器件。

在展館內(nèi)，東芝展示的內(nèi)置碳化硅芯片的HPD模塊引發(fā)了觀眾的矚目。這款產(chǎn)品采用六并聯(lián)設(shè)計，具備1200V/650A高性能規(guī)格，不僅導(dǎo)通電阻低、散熱性能優(yōu)異，還有助于客戶快速評估芯片性能，大幅縮短開發(fā)周期。

東芝碳化硅芯片SSC塑封模塊內(nèi)置4并聯(lián)東芝碳化硅芯片的半橋模塊，單模塊尺寸為69mm×49.2mm×22mm，有助于實現(xiàn)逆變器系統(tǒng)的小型化。

寫在最后

PCIM Asia 2025幾乎被 SiC 新品“刷屏”，從材料、器件、封裝到系統(tǒng)級方案，全產(chǎn)業(yè)鏈都在“卷”效率、功率密度與成本。

英飛凌和安森美等大廠新品揭示，SiC封裝材料進入“銅時代”，Easy 2C、Easy HD、HybridPACK? HD全線改用銅基板+銅線，連續(xù)工作結(jié)溫175 °C，比上一代鋁基板Rth降低12%。系統(tǒng)級“嵌入式+超薄”方案落地，超薄IPM與嵌入式PCB方案，預(yù)示SiC開始定義“機電一體化”新形態(tài)，硬件厚度與體積將被壓縮到傳統(tǒng)方案的1/3以下。