在新能源革命與算力爆發(fā)的雙重驅(qū)動(dòng)下，化合物半導(dǎo)體正以"材料代際躍遷"重構(gòu)全球電子產(chǎn)業(yè)格局。從第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）的規(guī)?；瘧?yīng)用，到第四代氧化鎵（Ga2O3）、硫系化合物相變材料等新型材料的顛覆性突破，疊加鍵合材料、高分子介電材料等制造工藝配套材料的協(xié)同革新。這場(chǎng)由材料屬性升級(jí)引發(fā)的產(chǎn)業(yè)變革，在2025年九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上得到全景呈現(xiàn)。作為全球化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模居前、規(guī)格頂尖的盛會(huì)，本屆論壇吸引了近300家產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)參展，釋放出"多代技術(shù)并行突破、產(chǎn)業(yè)生態(tài)加速重構(gòu)"的強(qiáng)烈信號(hào)。

2025年4月23-25日，九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在武漢光谷科技會(huì)展中心盛大舉行。本次會(huì)議以“智匯光谷 激活未來(lái)”為主題，旨在促進(jìn)科技、產(chǎn)業(yè)與文化在智慧山頂?shù)南喾?，為化合物半?dǎo)體領(lǐng)域的專業(yè)人士、企業(yè)及研究機(jī)構(gòu)搭建深度交流與合作的平臺(tái)。會(huì)議期間，眾多行業(yè)專家、企業(yè)代表齊聚一堂，圍繞化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的前沿技術(shù)、產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)及應(yīng)用拓展等議題展開深入探討，釋放出諸多關(guān)鍵信號(hào)，展現(xiàn)出行業(yè)蓬勃發(fā)展的活力與技術(shù)迭代的強(qiáng)勁勢(shì)頭。

一、材料代際躍遷：寬禁帶與相變材料新篇

在化合物半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程中，早期的砷化鎵（GaAs）憑借高電子遷移率等特性，在高頻領(lǐng)域大放異彩。然而，它存在毒性問(wèn)題，不僅對(duì)生產(chǎn)環(huán)境和操作人員健康構(gòu)成潛在威脅，在一些對(duì)環(huán)保要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景中也受限頗多。此外，隨著5G通信、新能源汽車等新興領(lǐng)域的迅猛發(fā)展，應(yīng)用場(chǎng)景不斷拓展，對(duì)化合物半導(dǎo)體材料的性能提出了諸如更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、更好的熱穩(wěn)定性等要求，同時(shí)環(huán)保性也成為關(guān)鍵考量因素。這些需求與傳統(tǒng)材料的局限形成鮮明矛盾，使得化合物半導(dǎo)體材料的革新迫在眉睫。

（1）從跟跑到領(lǐng)跑：中國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體的“換道超車”機(jī)會(huì)窗口

近年來(lái)，氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鎵（Ga2O3）等寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料迅速嶄露頭角，成為本次會(huì)議的焦點(diǎn)。GaN議題集中于低壓（LV）功率及先進(jìn)顯示領(lǐng)域，英諾賽科、鎵未來(lái)、晶湛及三安等企業(yè)引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。這些企業(yè)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人、低空飛行器、無(wú)人機(jī)及車用等熱門領(lǐng)域。SiC技術(shù)則朝著大尺寸方向邁進(jìn)，N型及半絕緣技術(shù)已成熟，在AR/AI眼鏡及熱沉等新應(yīng)用場(chǎng)景嶄露頭角。液相法技術(shù)備受關(guān)注，臻晶半導(dǎo)體及晶格領(lǐng)域等企業(yè)積極探索，天科合達(dá)、北方華創(chuàng)、賽默飛等企業(yè)也通過(guò)參展展示了自身實(shí)力。富加鎵業(yè)、鎵仁、鎵和、鎵耀等多家深耕氧化鎵研發(fā)與生產(chǎn)的企業(yè)齊聚現(xiàn)場(chǎng)，展示前沿技術(shù)成果與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展。其中，鎵仁半導(dǎo)體的8英寸氧化鎵技術(shù)引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注，在提升材料一致性與降低成本方面取得顯著成效，為大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。本屆九峰山論壇上，多代技術(shù)競(jìng)逐新賽道，“三代領(lǐng)跑、四代蓄勢(shì)”的技術(shù)創(chuàng)新格局愈發(fā)凸顯，展現(xiàn)出化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的蓬勃活力與無(wú)限潛力。

GaN不僅僅是一次發(fā)展機(jī)遇，更是一次技術(shù)革命，是AI時(shí)代能源革命的根本。英諾賽科在8英寸GaN技術(shù)上的進(jìn)展，如“相比6英寸晶圓晶粒產(chǎn)出數(shù)增加80%，單一器件成本降低30%”，展現(xiàn)了技術(shù)進(jìn)步對(duì)降低成本、提升產(chǎn)能的關(guān)鍵作用。這種技術(shù)突破不僅增強(qiáng)了英諾賽科自身的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，也為整個(gè)行業(yè)樹立了標(biāo)桿，促使其他企業(yè)加大技術(shù)研發(fā)投入，推動(dòng)行業(yè)整體成本下降與規(guī)模擴(kuò)張，加速GaN對(duì)傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程，重塑功率半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局。

北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授沈波指出，以GaN、SiC為代表的第三代半導(dǎo)體憑借禁帶寬度大等優(yōu)異物理化學(xué)性質(zhì)，成為全球高技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)關(guān)鍵領(lǐng)域及國(guó)家重大需求的核心，在照明、探測(cè)、射頻等多領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。我國(guó)雖已構(gòu)建起較完整研發(fā)和產(chǎn)業(yè)體系，在部分領(lǐng)域成績(jī)顯著，但與國(guó)際頂尖水平仍有差距，產(chǎn)業(yè)短板突出。在此背景下，國(guó)家高度重視，通過(guò)科技計(jì)劃大力扶持，設(shè)定明確目標(biāo)，布局多項(xiàng)任務(wù)，致力于解決“卡脖子”難題，全面提升第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈能力和水平，推動(dòng)其在多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模應(yīng)用與技術(shù)引領(lǐng)。

盡管今年3月上海SEMICON China會(huì)議上12寸SiC襯底成為市場(chǎng)熱點(diǎn)，但在電力電子器件用的N型SiC襯底領(lǐng)域，12寸暫未顯現(xiàn)應(yīng)用需求。短期仍以6英寸為主流，逐步向8英寸過(guò)渡。高純半絕緣SiC襯底在AR眼鏡領(lǐng)域和散熱封裝領(lǐng)域展現(xiàn)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，有望快速步入產(chǎn)業(yè)化，成為近期SiC襯底企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)熱點(diǎn)。山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理、中電科半導(dǎo)體材料有限公司副總經(jīng)理李斌總結(jié)碳化硅行業(yè)關(guān)鍵詞為“嚴(yán)、卷、多”，即國(guó)家窗口指導(dǎo)、上市要求及客戶品質(zhì)要求趨嚴(yán)，價(jià)格與品質(zhì)競(jìng)爭(zhēng)加劇且設(shè)備競(jìng)賽投資增大，同時(shí)呈現(xiàn)碳化硅企業(yè)數(shù)量、襯底產(chǎn)量、國(guó)產(chǎn)替代增多的態(tài)勢(shì)。

方正微電子的技術(shù)突破不僅推動(dòng)了中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控，也對(duì)全球市場(chǎng)格局產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響：國(guó)產(chǎn)替代加速，其車規(guī)SiC MOS產(chǎn)品已替代英飛凌、Wolfspeed等國(guó)際廠商；成本競(jìng)爭(zhēng)力提升，通過(guò)8英寸產(chǎn)線和IDM模式；技術(shù)前瞻性布局，方正微電子已建成國(guó)內(nèi)車規(guī)SiC MOS實(shí)際產(chǎn)能第一。方正微電子副總裁彭建華呼吁，在行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈的“內(nèi)卷時(shí)代”，企業(yè)必須堅(jiān)守質(zhì)量底線，以“寧死不退”的決心守護(hù)創(chuàng)新發(fā)展的初心。

湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室助理研究員彭若詩(shī)在會(huì)上深入闡釋JFS氧化鎵平臺(tái)技術(shù)體系。JFS氧化鎵平臺(tái)具備完善的氧化鎵襯底、外延平臺(tái)，以及6/8寸氧化鎵器件制備平臺(tái)。該平臺(tái)集成了從原料處理到器件制備的工藝設(shè)備，為氧化鎵材料基礎(chǔ)研究、工藝創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用提供系統(tǒng)性支撐，有效推動(dòng)第四代半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

（2）硫系化合物相變材料：引領(lǐng)存儲(chǔ)技術(shù)新變革

硫系化合物相變材料作為化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的新興力量，正受到廣泛關(guān)注。其獨(dú)特的非晶-晶態(tài)相變特性，使其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。與傳統(tǒng)存儲(chǔ)材料相比，硫系化合物相變材料具備更快的讀寫速度和更高的存儲(chǔ)密度，有望為大數(shù)據(jù)時(shí)代的海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)提供高效解決方案。

華中科技大學(xué)已掌握三維相變存儲(chǔ)器原型芯片全流程開發(fā)技術(shù)。2022年8月，該校與長(zhǎng)江存儲(chǔ)在Fab線上合作，成功研制出國(guó)內(nèi)首款16Gb三維相變存儲(chǔ)器芯片，技術(shù)參數(shù)領(lǐng)先Intel。2024年9月，新存科技公司發(fā)布國(guó)產(chǎn)首款64Gb三維相變存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品“NM101”。與閃存相比，“NM101”單顆芯片容量達(dá)64Gb，讀寫速度提升10倍以上，使用壽命增加5倍。這一成果是新存科技與華中科技大學(xué)長(zhǎng)期深度“產(chǎn)學(xué)研”合作結(jié)出的豐碩成果。

三維相變存儲(chǔ)器利用三維堆疊技術(shù)突破了工藝微縮瓶頸，華為、阿里等國(guó)內(nèi)企業(yè)已對(duì)其進(jìn)行試用。并且，該技術(shù)不依賴先進(jìn)工藝和EUV光刻機(jī)，具備實(shí)現(xiàn)裝備和工藝全國(guó)產(chǎn)化的潛力。

華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院院長(zhǎng)、國(guó)家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺(tái)主任繆向水指出，硫系化合物相變材料憑借其獨(dú)特的熱穩(wěn)定性與低損耗特性，有望攻克三維堆疊與多態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)瓶頸，為新一代非易失性存儲(chǔ)器向更高容量、更低功耗方向演進(jìn)提供核心支撐。在材料層面，開發(fā)具備更高光學(xué)對(duì)比度、低吸收特性及長(zhǎng)壽命優(yōu)勢(shì)的硫系化合物相變材料，將成為突破性能天花板與提升集成密度的關(guān)鍵突破口。

二、化合物半導(dǎo)體制造：鍵合與電鍍的工藝交響曲

在化合物半導(dǎo)體芯片的制造過(guò)程中，半導(dǎo)體掩膜、鍵合材料及無(wú)氰電鍍金等材料與工藝，是保障器件性能與量產(chǎn)能力的核心要素。它們雖不直接構(gòu)成半導(dǎo)體材料的主體結(jié)構(gòu)，卻在圖形加工、器件集成、電極制備等關(guān)鍵環(huán)節(jié)發(fā)揮不可替代的作用，其技術(shù)水平直接影響芯片的精度、可靠性與制造成本。

（1）半導(dǎo)體掩膜：光刻工藝的核心載體

在半導(dǎo)體芯片制造中，光刻工藝是決定器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而半導(dǎo)體掩膜作為光刻圖形轉(zhuǎn)移的核心載體，其重要性貫穿始終。作為“圖形雕刻模具”，它將芯片設(shè)計(jì)藍(lán)圖轉(zhuǎn)化為晶圓表面的物理結(jié)構(gòu)，精度與穩(wěn)定性直接影響光刻成敗及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)走向。

在掩模制造產(chǎn)業(yè)鏈中，EDA軟件、保護(hù)膜、電子束曝光機(jī)、模擬曝光機(jī)等原材料和設(shè)備完全依賴進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)替代正處于起步階段。近年來(lái)，華大九天、國(guó)微、全芯智造等本土企業(yè)已在EDA軟件領(lǐng)域逐步布局，有望打破國(guó)際壟斷并實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。在設(shè)備端，常州瑞擇已實(shí)現(xiàn)中高端制程去膠清洗設(shè)備的國(guó)產(chǎn)替代；維普、御微聚焦中低端制程缺陷檢查工序；影速則推出低端制程激光曝光機(jī)。

無(wú)錫迪思微電子有限公司總經(jīng)理呂健在報(bào)告中提出，掩模版制造是連接半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游的中樞環(huán)節(jié)，發(fā)展領(lǐng)先制程掩模版制造、夯實(shí)掩模產(chǎn)業(yè)鏈綜合提升國(guó)產(chǎn)化率對(duì)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)自主可控具備重要戰(zhàn)略意義。

（2）鍵合材料與技術(shù)：器件集成的關(guān)鍵紐帶

在半導(dǎo)體器件從單芯片向復(fù)雜系統(tǒng)的演進(jìn)歷程中，鍵合技術(shù)宛如連接不同材料、芯片組件乃至異構(gòu)系統(tǒng)的“分子級(jí)橋梁”，成為決定器件性能、可靠性與集成度的核心要素。從傳統(tǒng)硅基芯片的多芯片封裝，到第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）的異質(zhì)結(jié)集成，再到未來(lái)三維堆疊芯片的跨層互聯(lián)，鍵合技術(shù)與材料的持續(xù)革新，始終是突破“摩爾定律”物理極限的關(guān)鍵所在。

青禾晶元在SiC復(fù)合襯底制造方面，已完成器件驗(yàn)證并將轉(zhuǎn)移至上下游客戶，成功開發(fā)出8寸SiC復(fù)合襯底；在高端SAW的LTO襯底材料制造中，運(yùn)用室溫鍵合技術(shù)，有效規(guī)避熱應(yīng)力問(wèn)題，并與多家企業(yè)合作，實(shí)現(xiàn)多種材料的鍵合。其核心業(yè)務(wù)聚焦高端鍵合裝備研發(fā)制造與精密鍵合工藝代工，技術(shù)廣泛應(yīng)用于先進(jìn)封裝、半導(dǎo)體器件制造、晶圓級(jí)異質(zhì)材料集成以及MEMS傳感器等前沿領(lǐng)域。通過(guò)“裝備制造+工藝服務(wù)”雙輪驅(qū)動(dòng)模式，構(gòu)建全產(chǎn)業(yè)鏈解決方案，旨在為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提供高精度、工藝穩(wěn)定且性價(jià)比高的鍵合裝備與方案，助力戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。

上海精珅新材料有限公司總經(jīng)理孫攀介紹，上海精珅擁有兩條量產(chǎn)涂布線與一條多功能中試線，具備高分子材料自主設(shè)計(jì)與聚合能力，并專注于高端制程功能膜的自主研發(fā)、制造與銷售，產(chǎn)品廣泛覆蓋半導(dǎo)體、顯示面板和光電三大領(lǐng)域。上海精珅將以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品升級(jí)，不斷拓展在高端功能膜領(lǐng)域的影響力，為相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)力。

深圳化訊半導(dǎo)體材料有限公司首席技術(shù)官黃明起指出，臨時(shí)鍵合材料需兼?zhèn)淠透邷?、耐化性、粘結(jié)性以及易清洗等性能，這對(duì)材料的研發(fā)設(shè)計(jì)與質(zhì)量控制提出了極高挑戰(zhàn)。為此，公司構(gòu)建起從樹脂設(shè)計(jì)合成、產(chǎn)品配方調(diào)控到半導(dǎo)體工藝驗(yàn)證的高端電子材料開發(fā)全鏈條技術(shù)平臺(tái)。此外，化訊半導(dǎo)體與中科院共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，共享原值超6.5億元的研發(fā)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了高端電子材料從開發(fā)、檢測(cè)、中試到驗(yàn)證的全鏈條技術(shù)能力覆蓋。

（3）無(wú)氰電鍍金技術(shù)革新：綠色工藝賦能半導(dǎo)體器件高可靠制造

在半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，電鍍金工藝作為電極制備、引線鍵合等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的核心技術(shù)，其鍍層質(zhì)量對(duì)器件導(dǎo)電性、抗腐蝕性及長(zhǎng)期可靠性起著決定性作用。傳統(tǒng)氰化物電鍍金工藝雖成熟，但氰化物的高毒性給操作人員與環(huán)境帶來(lái)極大威脅。而無(wú)氰電鍍金技術(shù)以環(huán)保性與性能兼容性為目標(biāo)，正引領(lǐng)電鍍領(lǐng)域的“綠色革命”。

深圳市聯(lián)合藍(lán)海應(yīng)用材料科技股份有限公司首席技術(shù)官任長(zhǎng)友在報(bào)告中指出，聯(lián)合藍(lán)海現(xiàn)已推出多款無(wú)氰電鍍金產(chǎn)品，能完全替代國(guó)外同類產(chǎn)品，且已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用，客戶涵蓋中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所、高德紅外、長(zhǎng)電科技等知名機(jī)構(gòu)與企業(yè)。公司建有千級(jí)無(wú)塵室，配備12寸先進(jìn)封裝電鍍機(jī)臺(tái)、3-6寸化合物半導(dǎo)體電鍍機(jī)臺(tái)，以及半導(dǎo)體專用分析測(cè)試儀器和半導(dǎo)體藥水生產(chǎn)專用設(shè)備。

這些材料與工藝的協(xié)同創(chuàng)新，構(gòu)成了化合物半導(dǎo)體制造的技術(shù)基石。從納米級(jí)圖形加工到異質(zhì)界面連接，再到綠色電極制備，每一個(gè)環(huán)節(jié)的技術(shù)進(jìn)步均需突破材料物理化學(xué)特性與工藝兼容性的雙重限制，是推動(dòng)化合物半導(dǎo)體器件向高性能、高可靠性、低成本方向發(fā)展的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。

三、高分子介電與石墨之力：解鎖化合物半導(dǎo)體先進(jìn)制程的“剛?cè)崦艽a”

高分子介電材料憑借優(yōu)異的絕緣、隔離特性，在化合物半導(dǎo)體器件內(nèi)部構(gòu)筑起精密的電學(xué)屏障，其介電常數(shù)、介電損耗等參數(shù)的細(xì)微差異，都將對(duì)器件的性能表現(xiàn)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響；與此同時(shí)，石墨材料以卓越的耐高溫性與化學(xué)穩(wěn)定性，深度融入化合物半導(dǎo)體制造流程，從碳化硅晶體生長(zhǎng)的高溫熔爐，到精密模具的成型工藝，石墨的身影貫穿材料制備與加工的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

明士新材料有限公司研發(fā)總監(jiān)陳興介紹，公司已構(gòu)建起完備的硬件支撐體系。中心配備有1套12吋Stepper和Track以及2套6吋Stepper和Track，這些先進(jìn)檢測(cè)設(shè)備能夠滿足不同尺度的工藝需求。此外，還擁有各類分析檢測(cè)設(shè)備超百臺(tái)，可對(duì)材料和產(chǎn)品進(jìn)行全方位、多維度的精準(zhǔn)檢測(cè)，為攻克半導(dǎo)體用高分子介電材料技術(shù)難題提供了堅(jiān)實(shí)的物質(zhì)基礎(chǔ)。

賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司CTO、副總經(jīng)理吳厚政在會(huì)議上指出，石墨構(gòu)件設(shè)計(jì)需從多維度考量。對(duì)于石墨構(gòu)件用戶而言，明確剛性需求與目標(biāo)需求至關(guān)重要；而石墨構(gòu)件制造商，則要科學(xué)、系統(tǒng)地解讀用戶需求，憑借可靠的工藝技術(shù)與設(shè)備能力，嚴(yán)格把控材料內(nèi)部缺陷。尤其要強(qiáng)調(diào)的是，精細(xì)石墨材料的一致性不容小覷。此外，賽邁科石墨數(shù)據(jù)庫(kù)囊括了國(guó)內(nèi)外主流等靜壓石墨供應(yīng)商的材料性能數(shù)據(jù)，為相關(guān)工作提供有力支撐。

隨著半導(dǎo)體制造向更先進(jìn)制程、更極端環(huán)境挺進(jìn)，高分子介電與石墨材料的融合創(chuàng)新將釋放更大能量?；蛟S在不久的將來(lái)，介電材料的絕緣性能將與石墨的導(dǎo)熱特性結(jié)合，破解功率器件的散熱難題；或許石墨基盤的表面改性技術(shù)，能為介電層的沉積提供更精準(zhǔn)的原子級(jí)基底。

四、總結(jié)

展望未來(lái)，化合物半導(dǎo)體行業(yè)將在諸多因素驅(qū)動(dòng)下穩(wěn)步前行。從市場(chǎng)需求層面分析，5G通信、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）及新能源汽車產(chǎn)業(yè)不斷拓展。5G通信網(wǎng)絡(luò)建設(shè)需要大量高頻、高功率的化合物半導(dǎo)體器件以保障信號(hào)傳輸?shù)母咝耘c穩(wěn)定性；物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的廣泛部署對(duì)低功耗、高性能的半導(dǎo)體器件需求持續(xù)增長(zhǎng)；新能源汽車的發(fā)展，尤其是其高壓系統(tǒng)、電驅(qū)系統(tǒng)等，對(duì)具備高功率、高效能特性的化合物半導(dǎo)體器件存在迫切需求。這些產(chǎn)業(yè)的發(fā)展態(tài)勢(shì)，將成為推動(dòng)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)的關(guān)鍵動(dòng)力。

技術(shù)突破仍將是行業(yè)發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。各代化合物半導(dǎo)體材料在性能提升和制備工藝優(yōu)化上均有廣闊的探索空間。例如，第三代半導(dǎo)體中的氮化鎵和碳化硅，將在進(jìn)一步降低成本、提高材料質(zhì)量和擴(kuò)大產(chǎn)能方面持續(xù)發(fā)力；第四代半導(dǎo)體的氧化鎵，有望在晶體生長(zhǎng)技術(shù)上取得更大突破，加速其從實(shí)驗(yàn)室走向大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的進(jìn)程；硫系化合物相變材料則在存儲(chǔ)領(lǐng)域展現(xiàn)潛力；制造工藝層面，半導(dǎo)體掩膜、鍵合材料、無(wú)氰電鍍金等技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新。盡管掩模制造部分環(huán)節(jié)依賴進(jìn)口，但國(guó)產(chǎn)替代已起步；高分子介電材料與石墨材料也在先進(jìn)制程中發(fā)揮關(guān)鍵作用，前者構(gòu)筑電學(xué)屏障，后者憑借耐高溫性貫穿制造流程，二者融合創(chuàng)新未來(lái)可期。

在應(yīng)用拓展層面，化合物半導(dǎo)體將不斷開辟新的“戰(zhàn)場(chǎng)”。除了現(xiàn)有的熱門應(yīng)用領(lǐng)域，在新興的人工智能邊緣計(jì)算設(shè)備、量子通信輔助器件以及高性能醫(yī)療器械等領(lǐng)域，化合物半導(dǎo)體憑借其獨(dú)特的物理特性，有望發(fā)揮關(guān)鍵作用，成為推動(dòng)這些領(lǐng)域技術(shù)革新的“幕后英雄”。