Xfilm埃利測量專注于電阻/方阻及薄膜電阻檢測領域的創(chuàng)新研發(fā)與技術突破，致力于為全球集成電路和光伏產業(yè)提供高精度、高效率的量檢測解決方案。公司以核心技術為驅動，深耕半導體量測裝備及光伏電池電阻檢測系統(tǒng)的研發(fā)。在半導體器件制造過程中，金屬-半導體歐姆接觸的質量直接影響器件性能。傳輸線模型（TLM）作為最常用的測量方法，其測量結果卻在不同尺寸設備間存在顯著差異。本研究通過系統(tǒng)分析TLM測試結構的尺寸效應，建立標準化測量框架，為先進制程和第三代半導體研發(fā)提供技術支撐。

理論基礎與尺寸效應發(fā)現

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TLM結構示意圖與參數提取原理

TLM方法是通過測量不同間距（d）的金屬接觸對（寬度W，長度a）之間的電阻，利用分布式電阻網絡模型提取ρc和薄層電阻（Rsh）。核心方程包括：

• 傳輸長度定義式：

• 接觸電阻率計算式：

研究發(fā)現，當接觸長度a與LT滿足特定關系時：

• 短接觸極限（a < 0.5LT）：ρc= RcWa
• 長接觸極限（a > 1.5LT）：ρc= RcWLT

不同尺寸TLM測量的ρc分布

尺寸效應機理與模型優(yōu)化

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• 接觸寬度（W）的影響

通過建立包含金屬電阻率（Rm）的修正模型，發(fā)現傳輸長度LT隨W增加呈非線性增長：

傳輸長度隨寬度變化曲線

實驗數據顯示，對于NiSi接觸（Rsh=800 Ω/□），當W從50μm增至300μm時，LT從5μm升至10μm并趨于飽和。這種飽和現象源于電流分布從非均勻向層流的轉變。通過系統(tǒng)誤差分析，推導出最優(yōu)寬度公式：

最優(yōu)寬度Wopt等高線圖

等高線圖直觀展示了不同ρc和Rsh組合下的Wopt取值，當Rsh=100Ω/□且ρc=10-6Ω·cm2時，Wopt≈200μm。

• 接觸長度（a）的邊界效應

鋁-硅接觸的電場TLM仿真結果

精確場解模型表明：

• 有效范圍：0.63h2≤LT≤0.63a

誤差來源：

• 低ρc時低估3.2%（電流擁擠效應）
• 高ρc時高估1.8%（均勻電流假設）

實驗驗證與標準化方案

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測試結構圖

實驗參數：

• 襯底：p+/n+硅（磷/硼注入1×1015cm-3）
• 工藝：濺射50nm NiSi，400℃退火20min
• 測試：0-1V掃描，步長10mV，延遲100ms

關鍵數據：標準化準則：

• 幾何參數：

• a > 2.5LT（置信度99.7%）
• W = Wopt±20%

• 測試報告必須包含：

• 結構尺寸（W/a/d）
• 測試環(huán)境（25±0.5℃）

圓形TLM的特殊優(yōu)勢

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圓形TLM結構的電場分布仿真

與傳統(tǒng)線性結構相比，圓形TLM具有兩大獨特優(yōu)勢：結構優(yōu)勢：

• 徑向電流分布消除邊緣效應

工程價值：

• 可嵌入式測量（光伏電池集成）
• 重復性±0.2%（n=15）

本研究通過系統(tǒng)的理論分析和實驗驗證，建立了完整的傳輸線模型（TLM）標準化測量體系。研究揭示了測試結構尺寸影響接觸電阻率測量的物理機制，指出電流分布的非均勻性和邊緣效應是導致測量差異的主要原因，并創(chuàng)新性地提出了包含金屬電阻率的修正模型。該模型將系統(tǒng)誤差控制在5%以內，顯著提升了測量精度。

Xfilm埃利TLM電阻測試儀

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Xfilm埃利TLM接觸電阻測試儀用于測量材料表面接觸電阻或電阻率的專用設備，廣泛應用于電子元器件、導電材料、半導體、金屬鍍層、光伏電池等領域?！?strong>靜態(tài)測試重復性≤1%，動態(tài)測試重復性≤3%■ 線電阻測量精度可達5%或0.1Ω/cm■ 接觸電阻率測試與線電阻測試隨意切換■ 定制多種探測頭進行測量和分析本研究建立的TLM標準化測量體系，通過Xfilm埃利TLM接觸電阻測試儀的高精度測量得以驗證。在實踐應用方面，為半導體器件性能表征提供了可靠的技術支持。

原文出處：《Standardization of Specific Contact Resistivity Measurements usingTransmission Line Model (TLM)》

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