TPS4816-Q1 是一系列具有保護和診斷功能的低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動器。該器件具有 3.5V 至 95V 的寬工作電壓范圍(100V 絕對最大額定值),適用于 12V、24V 和 48V 汽車系統(tǒng)設(shè)計。
該器件具有強大的 0.5A 峰值源和 2A 峰值灌電流 GATE 驅(qū)動器,可在大電流系統(tǒng)設(shè)計中使用并聯(lián) FET 進行電源切換。使用 INP 作為柵極驅(qū)動器控制輸入。通過放置外部 R-C 元件,可以實現(xiàn) MOSFET 壓擺率控制(ON 和 OFF)。
*附件:tps4816-q1.pdf
它還集成了預(yù)充電驅(qū)動器 (G) 和控制輸入 (INP_G)。此功能支持必須驅(qū)動大容性負載的設(shè)計。在關(guān)斷模式下,控制器在48V電源輸入時消耗1μA的總關(guān)斷電流。
該器件具有精確的雙向電流檢測 (±2%) 輸出 (IMON,I_DIR),并使用外部 RSNS 電阻和 FLT 指示提供基于 I2t 的可調(diào)過流和短路保護 (±5%)??梢耘渲米詣又卦嚭玩i存故障行為。該器件還具有基于NTC的溫度傳感(TMP)和監(jiān)控輸出(ITMPO)輸出,用于外部FET的過溫檢測。
TPS4816-Q1 采用 23 引腳 VQFN 封裝。
特性
- AEC-Q100 汽車級溫度認證
 - 3.5V 至 95V 輸入范圍(絕對最大值 100V)
 - 低至 –60V 的反向輸入和輸出保護
 - 集成 12V 電荷泵
 - 1μA低關(guān)斷電流(EN/UVLO = 低電平)
 - 雙柵極驅(qū)動:GATE = 0.5A src/2A 灌電流,G = 100μA src/0.39A 灌電流
 - 集成預(yù)充電開關(guān)驅(qū)動器 (INP_G) 用于驅(qū)動容性負載
 - 精確的 I2t 過流保護 (IOC),具有可調(diào)節(jié)的斷路器定時器 (I2t)
 - 精確 (±5%) 和快速 (5μs) 短路保護
 - 精確的模擬雙向電流監(jiān)測器輸出(IMON,I_DIR):30mV VSNS 時為 ±2%
 - 基于 NTC 的過溫傳感 (TMP) 和監(jiān)控輸出 (ITMPO)
 - 短路故障期間的故障指示 (FLT)、I2t、電荷泵 UVLO、OV、過熱
 - TPS48160-Q1(啟用 I2t)、TPS48161-Q1(禁用 I2t)
 - 精確 (±2%) 和可調(diào)節(jié)欠壓鎖定 (UVLO) 和過壓保護 (OV)
 
參數(shù)
方框圖

 ?1. 產(chǎn)品概述?
 TPS4816-Q1是德州儀器(TI)推出的汽車級高邊開關(guān)控制器系列,專為12V/24V/48V汽車系統(tǒng)設(shè)計,具有寬輸入電壓范圍(3.5V-95V,絕對最大值100V),集成多重保護功能(反向輸入/輸出保護、過流/短路保護、過溫監(jiān)測等),并支持雙向電流監(jiān)測(IMON)和診斷功能。
?2. 核心特性?
- ?低功耗?:1μA關(guān)斷電流,適合常電應(yīng)用。
 - ?高驅(qū)動能力?: 
- 主路徑(GATE):0.5A源電流/2A灌電流,支持并聯(lián)MOSFET。
 - 預(yù)充電路徑(G):100μA源電流/0.39A灌電流,用于容性負載預(yù)充電。
 
 - ?精準保護?: 
- ?I2t過流保護?:可調(diào)閾值(±5%精度)和計時器(通過外部CI2t電容設(shè)置)。
 - ?短路保護?:5μs快速響應(yīng),閾值可配置。
 - ?雙向電流監(jiān)測?:±2%精度(30mV VSNS時)。
 
 - ?診斷功能?:通過FLT引腳指示短路、I2t觸發(fā)、電荷泵欠壓等故障。
 
?3. 典型應(yīng)用?
- 電源分配盒(PDU)
 - 車身控制模塊(BCM)
 - DC/DC轉(zhuǎn)換器
 - 電池管理系統(tǒng)(BMS)
 
?4. 關(guān)鍵電路設(shè)計?
- ?電荷泵與驅(qū)動?:集成12V電荷泵,支持BST-SRC電壓生成,驅(qū)動外部MOSFET。
 - ?容性負載處理?: 
- 預(yù)充電路徑(G驅(qū)動)可限制浪涌電流。
 - 主路徑(GATE驅(qū)動)支持RC柵極調(diào)速(通過R1/C1/D2)。
 
 - ?保護機制?:
 
?5. 封裝與引腳?
- ?封裝?:23引腳VQFN(4mm×4mm)。
 - ?關(guān)鍵引腳?: 
- ?EN/UVLO?:使能/欠壓鎖定輸入。
 - ?FLT?:開漏故障輸出(短路、過壓等)。
 - ?IMON/I_DIR?:電流監(jiān)測與方向指示。
 
 
?6. 電氣參數(shù)?
- ?工作溫度?:-40℃至150℃(結(jié)溫)。
 - ?ESD防護?:HBM ±2000V,CDM ±500V。
 - ?時序特性?: 
- GATE開啟延遲:1.2μs(典型值)。
 - 短路保護響應(yīng):<5μs(最大值)。
 
 
?7. 設(shè)計支持?
- 提供典型應(yīng)用電路圖(如驅(qū)動背靠背MOSFET、容性負載充電)。
 - 布局建議:強調(diào)BST電容(≥0.1μF)和電流檢測電阻(RSNS)的靠近放置。
 
?文檔范圍?
 涵蓋特性、引腳定義、電氣規(guī)格、功能框圖、應(yīng)用設(shè)計及封裝信息,適用于汽車電子工程師進行高邊開關(guān)系統(tǒng)設(shè)計。
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