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?TPS4816-Q1 高邊開關(guān)控制器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-09-26 11:43 ? 次閱讀
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TPS4816-Q1 是一系列具有保護和診斷功能的低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動器。該器件具有 3.5V 至 95V 的寬工作電壓范圍(100V 絕對最大額定值),適用于 12V、24V 和 48V 汽車系統(tǒng)設(shè)計。

該器件具有強大的 0.5A 峰值源和 2A 峰值灌電流 GATE 驅(qū)動器,可在大電流系統(tǒng)設(shè)計中使用并聯(lián) FET 進行電源切換。使用 INP 作為柵極驅(qū)動器控制輸入。通過放置外部 R-C 元件,可以實現(xiàn) MOSFET 壓擺率控制(ON 和 OFF)。
*附件:tps4816-q1.pdf

它還集成了預(yù)充電驅(qū)動器 (G) 和控制輸入 (INP_G)。此功能支持必須驅(qū)動大容性負載的設(shè)計。在關(guān)斷模式下,控制器在48V電源輸入時消耗1μA的總關(guān)斷電流。

該器件具有精確的雙向電流檢測 (±2%) 輸出 (IMON,I_DIR),并使用外部 RSNS 電阻和 FLT 指示提供基于 I2t 的可調(diào)過流和短路保護 (±5%)??梢耘渲米詣又卦嚭玩i存故障行為。該器件還具有基于NTC的溫度傳感(TMP)和監(jiān)控輸出(ITMPO)輸出,用于外部FET的過溫檢測。

TPS4816-Q1 采用 23 引腳 VQFN 封裝。

特性

  • AEC-Q100 汽車級溫度認證
  • 3.5V 至 95V 輸入范圍(絕對最大值 100V)
  • 低至 –60V 的反向輸入和輸出保護
  • 集成 12V 電荷泵
  • 1μA低關(guān)斷電流(EN/UVLO = 低電平)
  • 雙柵極驅(qū)動:GATE = 0.5A src/2A 灌電流,G = 100μA src/0.39A 灌電流
  • 集成預(yù)充電開關(guān)驅(qū)動器 (INP_G) 用于驅(qū)動容性負載
  • 精確的 I2t 過流保護 (IOC),具有可調(diào)節(jié)的斷路器定時器 (I2t)
  • 精確 (±5%) 和快速 (5μs) 短路保護
  • 精確的模擬雙向電流監(jiān)測器輸出(IMON,I_DIR):30mV VSNS 時為 ±2%
  • 基于 NTC 的過溫傳感 (TMP) 和監(jiān)控輸出 (ITMPO)
  • 短路故障期間的故障指示 (FLT)、I2t、電荷泵 UVLO、OV、過熱
  • TPS48160-Q1(啟用 I2t)、TPS48161-Q1(禁用 I2t)
  • 精確 (±2%) 和可調(diào)節(jié)欠壓鎖定 (UVLO) 和過壓保護 (OV)

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png
?1. 產(chǎn)品概述?
TPS4816-Q1是德州儀器(TI)推出的汽車級高邊開關(guān)控制器系列,專為12V/24V/48V汽車系統(tǒng)設(shè)計,具有寬輸入電壓范圍(3.5V-95V,絕對最大值100V),集成多重保護功能(反向輸入/輸出保護、過流/短路保護、過溫監(jiān)測等),并支持雙向電流監(jiān)測(IMON)和診斷功能。

?2. 核心特性?

  • ?低功耗?:1μA關(guān)斷電流,適合常電應(yīng)用。
  • ?高驅(qū)動能力?:
    • 主路徑(GATE):0.5A源電流/2A灌電流,支持并聯(lián)MOSFET。
    • 預(yù)充電路徑(G):100μA源電流/0.39A灌電流,用于容性負載預(yù)充電。
  • ?精準保護?:
    • ?I2t過流保護?:可調(diào)閾值(±5%精度)和計時器(通過外部CI2t電容設(shè)置)。
    • ?短路保護?:5μs快速響應(yīng),閾值可配置。
    • ?雙向電流監(jiān)測?:±2%精度(30mV VSNS時)。
  • ?診斷功能?:通過FLT引腳指示短路、I2t觸發(fā)、電荷泵欠壓等故障。

?3. 典型應(yīng)用?

?4. 關(guān)鍵電路設(shè)計?

  • ?電荷泵與驅(qū)動?:集成12V電荷泵,支持BST-SRC電壓生成,驅(qū)動外部MOSFET。
  • ?容性負載處理?:
    • 預(yù)充電路徑(G驅(qū)動)可限制浪涌電流。
    • 主路徑(GATE驅(qū)動)支持RC柵極調(diào)速(通過R1/C1/D2)。
  • ?保護機制?:
    • ?I2t配置?:通過RIOC電阻設(shè)置過流閾值,CI2t電容設(shè)定熔斷時間。
    • ?溫度監(jiān)測?:NTC接口(TMP引腳)監(jiān)測外部MOSFET溫度。

?5. 封裝與引腳?

  • ?封裝?:23引腳VQFN(4mm×4mm)。
  • ?關(guān)鍵引腳?:
    • ?EN/UVLO?:使能/欠壓鎖定輸入。
    • ?FLT?:開漏故障輸出(短路、過壓等)。
    • ?IMON/I_DIR?:電流監(jiān)測與方向指示。

?6. 電氣參數(shù)?

  • ?工作溫度?:-40℃至150℃(結(jié)溫)。
  • ?ESD防護?:HBM ±2000V,CDM ±500V。
  • ?時序特性?:
    • GATE開啟延遲:1.2μs(典型值)。
    • 短路保護響應(yīng):<5μs(最大值)。

?7. 設(shè)計支持?

  • 提供典型應(yīng)用電路圖(如驅(qū)動背靠背MOSFET、容性負載充電)。
  • 布局建議:強調(diào)BST電容(≥0.1μF)和電流檢測電阻(RSNS)的靠近放置。

?文檔范圍?
涵蓋特性、引腳定義、電氣規(guī)格、功能框圖、應(yīng)用設(shè)計及封裝信息,適用于汽車電子工程師進行高邊開關(guān)系統(tǒng)設(shè)計。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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