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?TPS7H60x5-SP/SEP系列輻射強化GaN FET柵極驅動器技術文檔總結

科技綠洲 ? 2025-09-26 11:19 ? 次閱讀
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TPS7H60x5 系列抗輻射性 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括TPS7H6005(額定電壓為 200V)、TPS7H6015(額定電壓為 60V)和TPS7H6025(額定電壓為 22V)。這些器件均采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝,并提供 QMLP 和空間增強型塑料 (SEP) 等級。這些驅動器具有可調節(jié)的死區(qū)時間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側和低側匹配。這些器件還包括內部高側和低側LDO,無論電源電壓如何,都能確保5V的驅動電壓。TPS7H60x5 驅動器均具有分離柵極輸出,可靈活地獨立調整輸出的導通和關斷強度。
*附件:tps7h6015-sp.pdf

TPS7H60x5 驅動器具有兩種控制輸入模式:獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每個輸出都由專用輸入控制。在PWM模式下,單個輸入產生兩個互補輸出信號,用戶可以調整每個邊沿的死區(qū)時間。

柵極驅動器還在獨立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖,作為防擊穿保護。當兩個輸入同時導通時,輸入互鎖不允許兩個輸出導通。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護,這允許驅動器在許多不同的轉換器配置中使用。這些驅動器還可用于半橋和雙低側轉換器應用。

特性

  • 輻射性能:
    • 輻射硬度保證 (RHA) 高達 100krad(Si) 的總電離劑量 (TID)
    • 單事件瞬態(tài) (SET)、單事件燒毀 (SEB) 和單事件柵極破裂 (SEGR) 不受線性能量轉移 (LET) 影響 = 75MeV-cm2/mg
    • 單事件瞬態(tài) (SET) 和單事件功能中斷 (SEFI) 表征高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值源,2.5A 峰值灌電流
  • 兩種作模式:
    • 單PWM輸入,死區(qū)時間可調
    • 兩個獨立的輸入
  • 獨立輸入模式下的可選輸入互鎖保護
  • 分體式輸出,可調節(jié)導通和關斷時間
  • 獨立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
  • 5.5ns典型延遲匹配
  • 塑料包裝的廢氣經過 ASTM E595 測試
  • 提供軍用溫度范圍(–55°C 至 125°C)

參數
image.png

方框圖

image.png
?1. 產品概述?

  • ?型號系列?:TPS7H6005-SP/SEP(200V)、TPS7H6015-SP/SEP(60V)、TPS7H6025-SP/SEP(22V)
  • ?核心特性?:
    • ?抗輻射性能?:
      • 總電離劑量(TID)耐受達100krad(Si)(SP級)/50krad(Si)(SEP級)
      • 對單粒子瞬態(tài)(SET)、單粒子燒毀(SEB)等免疫(LET≤75MeV-cm2/mg)
    • ?驅動能力?:1.3A峰值源電流、2.5A峰值灌電流
    • ?雙工作模式?:
      • 單PWM輸入(可調死區(qū)時間)
      • 雙獨立輸入模式(IIM)
    • ?封裝?:56引腳HTSSOP塑料封裝,符合ASTM E595出氣測試

?2. 關鍵參數?

  • ?電氣特性?:
    • 工作電壓范圍:10V至14V(VIN)
    • 傳播延遲:30ns(典型值,IIM模式)
    • 延遲匹配:5.5ns(典型值)
  • ?溫度范圍?:-55°C至125°C(軍用級)
  • ?保護功能?:
    • 輸入互鎖保護(可配置)
    • 欠壓鎖定(UVLO)監(jiān)測BP5L/BP5H/BP7L/VIN/BOOT電壓

?3. 應用領域?

?4. 功能模塊?

  • ?內部LDO?:集成高壓側(BP5H)和低壓側(BP5L/BP7L)穩(wěn)壓器,確保5V驅動電壓
  • ?柵極輸出?:分離開關(HOH/HOL、LOH/LOL)支持獨立調整導通/關斷強度
  • ?死區(qū)控制?:通過DHL/DLH引腳電阻編程(PWM模式)

?5. 設計支持?

  • ?典型應用電路?:包含自舉二極管、柵極電阻配置及PCB布局建議
  • ?熱管理?:
    • 結至環(huán)境熱阻(RθJA):21.4°C/W
    • 推薦使用散熱焊盤連接ASW/PGND
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