BD9B333GWZ是內(nèi)置低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET的同步整流降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。最大可輸出3A的電流。采用輕負(fù)載時(shí)進(jìn)行低功耗工作的獨(dú)創(chuàng)恒定時(shí)間控制方式，適用于要降低待機(jī)功耗的設(shè)備。振蕩頻率高，適用于小型電感。是恒定時(shí)間控制DC/DC轉(zhuǎn)換器，具有高速負(fù)載響應(yīng)性能。BD9B333GWZ
采用小型CSP封裝，可在大功率密度下減少貼裝面積。
*附件：BD9B333GWZ.pdf

主要規(guī)格

型號(hào) | BD9B333GWZ-E2

封裝 | UCSP35L1

包裝形態(tài) | Taping

包裝數(shù)量 | 3000

最小獨(dú)立包裝數(shù)量 | 3000

RoHS | Yes

典型應(yīng)用電路

特點(diǎn)：

• 輸入電壓范圍：2.7V 至 5.5V
• 輸出電壓范圍：0.6V 至 VIN×0.8V
• 輸出電流：3A（最大值）
• 開關(guān)頻率：1.3MHz（典型值）
• 高端 MOSFET 導(dǎo)通電阻：23mΩ（典型值）
• 低端 MOSFET 導(dǎo)通電阻：23mΩ（典型值）
• 待機(jī)電流：0μA（典型值）

方框圖

核心功能與工作機(jī)制

1. 雙?？刂萍夹g(shù)（Deep-SLLM+PWM）

• Deep-SLLM 控制（輕載模式） ：當(dāng)負(fù)載電流較小時(shí)（如 0.1A），自動(dòng)切換為非連續(xù)導(dǎo)通模式，減少開關(guān)次數(shù)并降低靜態(tài)電流，輕載效率比固定 PWM 模式高 15%-25%（如圖 38、53），適配設(shè)備待機(jī)低功耗需求。
• PWM 控制（重載模式） ：負(fù)載電流較大時(shí)（如＞0.5A），采用恒定導(dǎo)通時(shí)間控制，通過實(shí)時(shí)監(jiān)測輸出電壓調(diào)整導(dǎo)通時(shí)間，實(shí)現(xiàn)高速瞬態(tài)響應(yīng)（如圖 36-37，0.1A→2A 負(fù)載跳變時(shí)輸出波動(dòng)小），且開關(guān)頻率穩(wěn)定（1.3MHz 典型值），輸出紋波低。

2. 軟啟動(dòng)與電源良好（PGD）功能

• 軟啟動(dòng) ：EN 引腳置高后激活，SS 引腳開路時(shí)默認(rèn) 1ms 啟動(dòng)時(shí)間，外接電容可延長（推薦≤0.01μF），通過控制啟動(dòng)電流抑制輸出過沖與浪涌電流，保護(hù)外部元件。
• PGD（電源良好） ：開漏輸出引腳，需外接 10kΩ-100kΩ 上拉電阻。當(dāng) FB 電壓≥90% 基準(zhǔn)（0.54V）時(shí)，PGD 為高阻態(tài)（輸出高）；≤85% 基準(zhǔn)（0.51V）時(shí)，內(nèi)部 N-MOS 導(dǎo)通拉低（輸出低），具備 5% 滯回避免誤觸發(fā)，便于系統(tǒng)監(jiān)測電源狀態(tài)。

3. 多重保護(hù)機(jī)制

總結(jié)

BD9B333GWZ 作為一款超小型高集成同步降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，以 2.7V-5.5V 寬輸入范圍、3A 輸出能力、Deep-SLLM 雙?？刂坪?UCSP 超小封裝為核心優(yōu)勢，完美平衡尺寸、效率與可靠性。其低導(dǎo)通電阻 MOSFET（23mΩ）與高頻控制技術(shù)（1.3MHz）降低導(dǎo)通與開關(guān)損耗，多重保護(hù)機(jī)制（過流 / 短路 / 過熱等）提升系統(tǒng)安全性，且提供詳細(xì)的元件選型與 PCB 布局指南，降低工程設(shè)計(jì)難度。在實(shí)際應(yīng)用中，需重點(diǎn)關(guān)注電流環(huán)路最小化、接地隔離與散熱降額，結(jié)合輸出電壓需求合理配置反饋電阻與 FB 電容，確保器件在緊湊空間內(nèi)穩(wěn)定高效運(yùn)行，尤其適配對(duì)尺寸敏感的消費(fèi)電子與工業(yè)控制設(shè)備。