Texas Instruments TPS22950LEVM評(píng)估模塊是一款包含TPS22950L負(fù)載開(kāi)關(guān)器件的雙層PCB。VIN和VOUT連接可處理高連續(xù)電流，并提供進(jìn)出被測(cè)器件的低電阻通道。通過(guò)測(cè)試點(diǎn)連接，TPS22950LEVM可以在用戶定義的測(cè)試條件下控制器件，并進(jìn)行準(zhǔn)確的RON測(cè)量。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments TPS22950LEVM評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• VIN輸入電壓范圍：1.8V至5.5V
• 最大連續(xù)開(kāi)關(guān)工作電流：2.7A
• 低導(dǎo)通電阻 (R ON ) ：34mΩ（典型值）
• 可調(diào)電流限制和固定快速輸出放電
• 熱關(guān)斷

布局

示意圖

TPS22950LEVM評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述

Texas Instruments的TPS22950LEVM是一款可調(diào)電流限制負(fù)載開(kāi)關(guān)評(píng)估模塊，基于TPS22950L器件設(shè)計(jì)，主要特性包括：

• ?寬輸入電壓范圍?：1.8V至5.5V
• ?高電流能力?：支持最大2A連續(xù)輸出電流
• ?低導(dǎo)通電阻?：典型值僅40mΩ
• ?可調(diào)電流限制?：通過(guò)跳線可選擇0.5A或2A限流值
• ?故障指示功能?：提供FLT引腳指示過(guò)流狀態(tài)

二、硬件架構(gòu)分析

2.1 核心器件

• ?TPS22950LYBHR?：主控IC，6引腳DSBGA封裝
• ?輸入/輸出電容?：
  • C1: 100μF/16V陶瓷電容(1210封裝)
  • C2/C5: 10μF/20V陶瓷電容(0805封裝)
  • C3: 1μF/16V陶瓷電容(0402封裝)
  • C4: 0.1μF/25V陶瓷電容(0603封裝)

2.2 接口配置

• ?電源接口?：
  • J1：VIN輸入端子(5mm間距端子塊)
  • J2：VOUT輸出端子
• ?控制接口?：
  • TP5(ON)：使能信號(hào)測(cè)試點(diǎn)
  • TP6(FLT)：故障指示測(cè)試點(diǎn)
• ?檢測(cè)點(diǎn)?：
  • TP1(VIN Sense)：輸入電壓檢測(cè)
  • TP2(VOUT Sense)：輸出電壓檢測(cè)

三、快速配置指南

3.1 基本連接

1. ?電源連接?：
   • 將直流電源正極接至J1(+)端子，負(fù)極接至J1(-)端子
   • 輸入電壓范圍1.8V-5.5V，建議初始設(shè)置為3.3V
2. ?負(fù)載連接?：
   • 通過(guò)J2端子連接負(fù)載設(shè)備
   • 最大連續(xù)負(fù)載電流2A
3. ?使能控制?：
   • 通過(guò)JP2跳線選擇ON引腳狀態(tài)：
     • 位置1-2：高電平使能
     • 位置2-3：低電平禁用
   • 或通過(guò)TP5接入外部控制信號(hào)

3.2 電流限制設(shè)置

• ?JP3跳線配置?：
  • 位置1-2：2A電流限制
  • 位置2-3：0.5A電流限制
• ?故障指示?：
  • 過(guò)流時(shí)FLT引腳(TP6)會(huì)拉低
  • JP1配置FLT上拉電阻(默認(rèn)10kΩ)

四、PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)

4.1 布局特點(diǎn)

• ?雙層PCB設(shè)計(jì)?：優(yōu)化大電流路徑
• ?寬銅箔走線?：頂層和底層均使用厚銅降低阻抗
• ?測(cè)試點(diǎn)布局?：關(guān)鍵信號(hào)均提供SMT測(cè)試點(diǎn)

4.2 熱管理

• ?主要熱源?：TPS22950L IC
• ?散熱設(shè)計(jì)?：
  • 充分利用IC底部的散熱焊盤
  • 必要時(shí)可添加外部散熱片
  • 避免長(zhǎng)時(shí)間滿負(fù)載工作

五、典型應(yīng)用

1. ?電源序列控制?：用于多電壓系統(tǒng)的上電順序管理
2. ?負(fù)載保護(hù)電路?：防止下游電路過(guò)流損壞
3. ?電源域隔離?：動(dòng)態(tài)切斷未使用模塊的供電
4. ?熱插拔保護(hù)?：限制插入設(shè)備的浪涌電流

六、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

1. ?輸入/輸出電容?：
   • 必須使用低ESR陶瓷電容
   • 推薦值：輸入≥10μF，輸出≥1μF
2. ?電流限制選擇?：
   • 根據(jù)負(fù)載特性合理設(shè)置限流值
   • 過(guò)低的限流可能導(dǎo)致誤觸發(fā)
3. ?布局建議?：
   • 保持大電流路徑短而寬
   • 敏感信號(hào)遠(yuǎn)離高頻開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)