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UCC27624DGNEVM評估模塊技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-09-03 15:58 ? 次閱讀
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exas Instruments UCC27624DGNEVM評估模塊設(shè)計用于輕松演示UCC27624/UCC27624-Q1雙通道柵極驅(qū)動器。UCC27624DGNEVM旨在根據(jù)數(shù)據(jù)手冊參數(shù)評估驅(qū)動器IC??舍槍Ω鞣N容性和電阻性負(fù)載評估UCC27624/UCC27624-Q1。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments UCC27624DGNEVM評估模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf

TI UCC27624DGNEVM評估模塊可配置為并聯(lián)驅(qū)動器IC的通道,實現(xiàn)更高的柵極驅(qū)動輸出電流。UCC27624DGNEVMEVM的配置適用于評估采用TO-220封裝的功率晶體管。

特性

  • 具有輸入和輸出接口的高性能驅(qū)動器
  • 能夠測試大部分?jǐn)?shù)據(jù)手冊參數(shù)
  • 可比較具有兼容引腳分配的各種驅(qū)動器的性能
  • 能夠并聯(lián)OUTx通道
  • 占位符采用TO-220封裝的功率晶體管評估

工作臺設(shè)置圖和配置

1.png

PCB布局

2.png

UCC27624DGNEVM評估模塊技術(shù)解析

一、模塊核心特性

UCC27624DGNEVM是德州儀器(TI)推出的針對UCC27624低邊柵極驅(qū)動器的評估模塊,具有以下核心特性:

  • ?車規(guī)級評估平臺?:支持4.5V至26V工作電壓范圍
  • ?高性能驅(qū)動能力?:
    • 雙通道5A峰值拉電流/灌電流
    • 支持-10V負(fù)電壓輸入能力
    • 典型傳播延遲匹配<10ns
  • ?靈活配置選項?:
    • 可評估容性負(fù)載(標(biāo)配1800pF)和功率器件
    • 提供TO-220封裝MOSFET驅(qū)動網(wǎng)絡(luò)評估
    • 支持通道并聯(lián)實現(xiàn)更高脈沖輸出電流
  • ?全面測試接口?:
    • 所有關(guān)鍵引腳配置測試點(INA/INB/ENA/ENB/OUTA/OUTB)
    • 獨立PWM信號輸入接口
    • 使能控制跳線設(shè)置

二、關(guān)鍵電路設(shè)計

1. 電源管理設(shè)計

2. 信號路徑優(yōu)化

  • ?輸入匹配?:49.9Ω串聯(lián)電阻+10pF濾波電容
  • ?輸出網(wǎng)絡(luò)?:
    • 可選10kΩ上拉電阻
    • 1.8nF標(biāo)準(zhǔn)測試負(fù)載
    • 220nF大容量負(fù)載測試位

3. 熱設(shè)計要點

  • 采用2oz銅厚PCB
  • 關(guān)鍵功率路徑加寬走線(最小50mil)
  • 底部裸露焊盤(EP)大面積鋪銅

三、評估測試指南

1. 基本測試配置

?設(shè)備清單?:

  • 電源:Agilent E3634A(12V/50mA)
  • 信號源:Tektronix AFG3252雙通道函數(shù)發(fā)生器
  • 示波器:DPO7054(500MHz+)
  • 萬用表:Fluke 187

?典型參數(shù)設(shè)置?:

參數(shù)通道A通道B
信號類型脈沖脈沖
頻率100kHz100kHz
脈寬5μs5μs
延遲0μs5μs
幅值5V0V

2. 性能測試流程

  1. ?上電驗證?:
    • 確認(rèn)靜態(tài)電流4.6mA±2mA(1nF負(fù)載)
    • 檢查使能引腳功能(ENA/ENB接地時輸出關(guān)閉)
  2. ?時序測量?:
    • 使用短地線探頭測量傳播延遲
    • 典型值(CL=1800pF):
      • tPLH: 15ns(最大25ns)
      • tPHL: 13ns(最大22ns)
  3. ?交叉測試?:
    • 通道間延遲匹配<5ns
    • 上升/下降時間匹配<3ns

四、典型應(yīng)用場景

  1. ?汽車電子?:
    • 燃油噴射驅(qū)動器
    • 車燈控制模塊
    • 電動座椅驅(qū)動器
  2. ?工業(yè)控制?:
  3. ?電源系統(tǒng)?:

五、PCB布局要點

  1. ?層疊設(shè)計?:
    • 頂層:信號走線+測試點
    • 底層:完整地平面
    • 關(guān)鍵特性:
      • 0.5mm過孔連接EP焊盤
      • 測試點與器件間距>50mil
  2. ?關(guān)鍵器件布局?:
    • VDD去耦電容距芯片<100mil
    • 柵極電阻靠近驅(qū)動器輸出
    • 功率環(huán)路面積最小化
  3. ?EMI優(yōu)化?:
    • 輸入/輸出走線直角避免
    • 敏感信號遠(yuǎn)離功率路徑
    • 測試點添加ESD保護
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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