亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

安森美半導(dǎo)體發(fā)布汽車應(yīng)用碳化硅(SiC)二極管

kus1_iawbs2016 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-06-21 16:08 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2018年6月5日 —推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴展系列,包括專門用于要求嚴苛的汽車應(yīng)用的器件。新的符合 AEC-Q101車規(guī)的汽車級 SiC 二極管提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的可靠性和強固性,以及等同于寬禁隙 (WBG) 技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢。

SiC 技術(shù)提供比硅器件更佳的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC 二極管沒有反向恢復(fù)電流,開關(guān)性能與溫度無關(guān)。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI),減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使 SiC 成為越來越多的高性能汽車應(yīng)用的極佳選擇。

安森美半導(dǎo)體的新的 SiC 二極管采用流行的表面貼裝和通孔封裝,包括 TO-247、D2PAK 和 DPAK。FFSHx0120 1200伏特 (V) 第一代器件和 FFSHx065 650 V 第二代器件提供零反向恢復(fù)、低正向電壓、與溫度無關(guān)的電流穩(wěn)定性、極低漏電流、高浪涌電容和正溫度系數(shù)。它們提供更高的能效,而更快的恢復(fù)則提高了開關(guān)速度,從而減小了所需的磁性元件的尺寸。

為了滿足強固性要求,并在汽車應(yīng)用惡劣的電氣環(huán)境中可靠地工作,二極管的設(shè)計能夠承受大的浪涌電流。它們還包含一種提高可靠性和增強穩(wěn)定性的獨特專利終端結(jié)構(gòu)。工作溫度范圍為-55℃ 至175℃。

安森美半導(dǎo)體高級總監(jiān) Fabio Necco 說:“安森美半導(dǎo)體推出符合 AEC 車規(guī)的器件,擴展了肖特基二極管系列,為汽車應(yīng)用帶來 SiC 技術(shù)的顯著優(yōu)勢,使客戶能夠達到這一行業(yè)對性能的嚴苛要求。SiC 技術(shù)非常適用于汽車環(huán)境,提供更高的能效、更快的開關(guān)、更好的熱性能和更高的強固性。在講究節(jié)省空間和重量的領(lǐng)域,SiC 更高的功率密度有助于減少整體方案的尺寸,以及更小的磁性器件帶來的相關(guān)優(yōu)勢,受客戶所歡迎。”

安森美半導(dǎo)體將在 PCIM 期間展示這些新的器件以及公司在寬禁帶、汽車、電機控制、USB-C 供電、LED 照明等領(lǐng)域的方案和用于工業(yè)預(yù)測性維護應(yīng)用的智能無源傳感器 (SPS)。

安森美半導(dǎo)體還將展示領(lǐng)先行業(yè)的先進 SPICE 模型,該模型易于受到程序參數(shù)和電路布局擾動的影響,因此相對于當(dāng)前行業(yè)建模能力是一大進步。使用該工具,電路設(shè)計人員可提早在仿真過程評估技術(shù),而無需經(jīng)過昂貴和耗時的制造迭代。安森美半導(dǎo)體強固的 SPICE 預(yù)測模型的另一個好處是它可連接到多種行業(yè)標(biāo)準的仿真平臺端口

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    149

    文章

    10251

    瀏覽量

    175723
  • 安森美半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    565

    瀏覽量

    62853

原文標(biāo)題:安森美半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅 (SiC) 二極管用于要求嚴苛的汽車應(yīng)用

文章出處:【微信號:iawbs2016,微信公眾號:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關(guān)行為深度解析及體二極管的關(guān)斷特性

    傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關(guān)行為深度解析,特別是其本征體二極管的關(guān)斷特性 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源
    的頭像 發(fā)表于 09-01 08:53 ?955次閱讀
    傾佳電子<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET開關(guān)行為深度解析及體<b class='flag-5'>二極管</b>的關(guān)斷特性

    SiC二極管相比普通二極管有哪些優(yōu)勢呢?

    在功率電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐步取代傳統(tǒng)硅基器件。作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表,SiC二極管憑借其物理特性在多方面實現(xiàn)了性能突破。寬禁帶
    的頭像 發(fā)表于 07-21 09:57 ?888次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>二極管</b>相比普通<b class='flag-5'>二極管</b>有哪些優(yōu)勢呢?

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)Si
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?674次閱讀

    SiC二極管SiC MOSFET的優(yōu)勢

    和高溫環(huán)境的電子器件中。SiC碳化硅二極管SiC碳化硅MOSFET(絕緣柵雙極晶體)便是其典
    的頭像 發(fā)表于 04-17 16:20 ?784次閱讀

    除了安森美CREE等還有哪些在美國境內(nèi)流片的SiC碳化硅器件品牌

    客戶群體覆蓋汽車、工業(yè)及能源領(lǐng)域。雖然部分客戶未在搜索結(jié)果中明確列出,但其2024年財報顯示碳化硅業(yè)務(wù)疲軟。 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(
    的頭像 發(fā)表于 04-14 05:58 ?840次閱讀

    PI超快速Q(mào)speed H系列二極管可替代碳化硅元件

    PI的超快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達到650V以及高達30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復(fù)電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)
    的頭像 發(fā)表于 03-27 13:46 ?698次閱讀
    PI超快速Q(mào)speed H系列<b class='flag-5'>二極管</b>可替代<b class='flag-5'>碳化硅</b>元件

    ?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

    安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體(MOSFET)的S
    的頭像 發(fā)表于 03-19 14:31 ?889次閱讀

    SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

    結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?622次閱讀

    PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 02-12 16:09 ?0次下載
    PSC1065B1<b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>規(guī)格書

    為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管

    ?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管 在科技政策與法規(guī)的推動下,半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場深刻的變革。隨著
    的頭像 發(fā)表于 02-06 11:51 ?879次閱讀
    為什么BASiC基本公司<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>全面取代FRD快恢復(fù)<b class='flag-5'>二極管</b>

    安森美碳化硅應(yīng)用于柵極的5個步驟

    在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?5步法應(yīng)對碳化硅特定挑戰(zhàn),mark~,我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識、碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-09 10:31 ?794次閱讀

    安森美碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢

    此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第部分,
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:18 ?790次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)

    近日,安森美半導(dǎo)體公司宣布了一項重要的收購計劃,以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo的碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子
    的頭像 發(fā)表于 12-11 10:00 ?823次閱讀

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:28 ?2560次閱讀