Texas Instruments ISOM8710DFFEVM評估模塊支持用戶評估ISOM8710高速單通道光仿真器,采用5引腳DFF SOIC封裝。ISOM8710DFFEVM具有額外的占位面積,可靈活地添加外部組件來測試各種常見的應(yīng)用程序。TI ISOM8710DFFEVM評估模塊具有足夠的測試點和跳線選項,支持使用更少的外部組件來評估相應(yīng)器件。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments ISOM8710DFFEVM評估模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- 高速單通道光學(xué)仿真器評估模塊
- 3.3 V和5 V CMOS光電仿真器
- 3750V
RMS隔離和10kV浪涌保護 - 數(shù)據(jù)速率高達25 Mbps
- 適用于常用高速數(shù)字光耦合器的普適版升級和引腳兼容性
PCB布局

ISOM8710DFFEVM評估模塊技術(shù)解析
產(chǎn)品概述
ISOM8710DFFEVM是德州儀器(TI)推出的高速單通道光耦仿真器評估模塊,用于評估ISOM8710 Opto-Emulator器件的性能表現(xiàn)。該評估模塊采用5引腳DFF SOIC封裝,為工程師提供快速開發(fā)和測試光耦隔離系統(tǒng)的完整解決方案。
核心特性
- ?高性能光耦仿真?:可替代傳統(tǒng)光耦器件,支持5V工作電壓
- ?靈活配置選項?:多個"DNP"(不貼裝)元件位,支持多種測試配置
- ?完善的評估功能?:包含輸入電流調(diào)節(jié)、輸出負載測試等接口
- ?直觀的測試接口?:提供10個測試點(TP1-TP10)方便測量
- ?完整設(shè)計支持?:包含原理圖、PCB布局圖和物料清單(BOM)
關(guān)鍵參數(shù)與技術(shù)優(yōu)勢
性能參數(shù)
| 參數(shù) | 規(guī)格 | 說明 |
|---|---|---|
| 工作電壓 | 5V | 可重新配置支持更高電壓 |
| 傳輸速率 | 高速 | 優(yōu)于傳統(tǒng)光耦器件 |
| CMTI | 高 | 優(yōu)異的共模瞬態(tài)抗擾度 |
| 功耗 | 低 | 無老化效應(yīng)和溫度漂移補償 |
| 溫度范圍 | 寬 | 工業(yè)級溫度適應(yīng)性 |
技術(shù)優(yōu)勢
- ?可靠性提升?:采用SiO2絕緣屏障,避免傳統(tǒng)光耦老化問題
- ?性能優(yōu)化?:低傳播延遲、小脈寬失真(PWD)
- ?設(shè)計簡化?:與多數(shù)光耦器件引腳兼容,可直接替換
- ?電源效率?:邏輯輸入/輸出緩沖設(shè)計降低功耗
評估模塊詳細設(shè)計
功能架構(gòu)
評估模塊包含以下關(guān)鍵部分:
- ?輸入電路?:可調(diào)電阻R2(1.2kΩ)控制輸入電流
- ?可選逆變器?:U1位可貼裝SN74LVC1G14DBV邏輯逆變器
- ?輸出負載網(wǎng)絡(luò)?:R7和C7位可添加輸出負載
- ?電源去耦?:C4(0.1μF)和C6(10μF)提供電源濾波
典型應(yīng)用配置
1. 基礎(chǔ)性能評估
2. 帶邏輯逆變器配置
- 貼裝U1位的SN74LVC1G14DBV
- 移除R1的0Ω電阻
- 貼裝C1和C2去耦電容
- 輸入信號通過逆變器驅(qū)動
3. 負載測試配置
- 貼裝R7(4.7kΩ)增加輸出電阻負載
- 貼裝C7(15pF)增加輸出容性負載
- 可并聯(lián)多個負載測試不同條件
PCB設(shè)計要點
布局特點
- 雙層板設(shè)計,頂層和底層完整地平面
- 輸入/輸出側(cè)完全隔離布局
- 測試點均勻分布在模塊四周
- 關(guān)鍵信號線短而直,減少寄生效應(yīng)
熱設(shè)計
- 大面積銅皮提升散熱能力
- 關(guān)鍵元件周圍布置散熱過孔
- 底部預(yù)留4個Bumpon緩沖墊
物料清單分析
關(guān)鍵元件選型
| 元件 | 規(guī)格 | 制造商 |
|---|---|---|
| U2 | ISOM8710DFF | TI |
| C6 | 10μF/35V X5R | TDK |
| R2 | 1.2kΩ 1% | Panasonic |
| J1/J2 | 4x2 100mil頭 | Molex |
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