FIB是聚焦離子束的簡稱，由兩部分組成。一是成像，把液態(tài)金屬離子源輸出的離子束加速、聚焦，從而得到試樣表面電子像（與SEM相似）；二是加工，通過強電流離子束剝離表面原子，從而完成微，納米級別的加工。

FIB主要功能

1.微納米級截面加工

FIB可以精確地在器件的特定微區(qū)進(jìn)行截面觀測，同時可以邊加工刻蝕、邊利用SEM實時觀察樣品。截面分析是FIB最常見的應(yīng)用。這種刻蝕斷面定位精度極高，在整個制樣過程中樣品所受應(yīng)力很小，制作的斷面因此也具有很好的完整性。

2.制備TEM薄片樣品

透射電子顯微鏡（TEM）具有極高的分辨率，其對樣品制備有著極高的要求。通常情況下，樣品厚度需要小于100nm，才可以被電子束穿透，用于觀測。金鑒實驗室在進(jìn)行試驗時，嚴(yán)格遵循相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)操作，確保每一個測試環(huán)節(jié)都精準(zhǔn)無誤地符合標(biāo)準(zhǔn)要求。FIB由于具有精密加工的特性，是用來制備TEM樣品的良好工具。

3.電子線路編輯、芯片修復(fù)、刻蝕加工

在IC設(shè)計中，需要對成型的集成電路的設(shè)計更改進(jìn)行驗證、優(yōu)化和調(diào)試。當(dāng)發(fā)現(xiàn)問題后，需要將這些缺陷部位進(jìn)行修復(fù)。運用FIB的濺射功能，可將某一處的連線斷開，或利用其沉積功能，可將某處原來不相連的部分連接起來。即直接在芯片上修正錯誤，降低研發(fā)成本，加速研發(fā)進(jìn)程。

FIB應(yīng)用領(lǐng)域

1.電子信息行業(yè)

半導(dǎo)體電子器件和集成電路技術(shù)的迅速發(fā)展，器件和電路結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，對微電子芯片的工藝診斷，失效分析，異物分析等提出了更高要求。對于PCB&PCBA中的缺陷定位后的截面分析，F(xiàn)IB的應(yīng)用尤為廣泛。

2.新能源行業(yè)

在鋰離子電池材料的研發(fā)進(jìn)程中，F(xiàn)IB起到了至關(guān)重要的作用，如正負(fù)極材料&極片的包覆分析、工藝逆向分析，新型儲能材料的性能研究等等。

3.新型顯示行業(yè)

從材料科學(xué)角度看，F(xiàn)IB可以實現(xiàn)近乎無應(yīng)力條件下的超精細(xì)加工且對材料要求不高，所以首先被應(yīng)用于光刻膠、即半導(dǎo)體、顯示面板等領(lǐng)域。當(dāng)出現(xiàn)LED燒電極問題，質(zhì)量爭議最多的是芯片和電源。近些年，F(xiàn)IB越來越多地應(yīng)用于LED/液晶材料表征與失效分析中。