隨著半導(dǎo)體行業(yè)的日益發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)視覺(jué)檢測(cè)要求越來(lái)越高，半導(dǎo)體視覺(jué)檢測(cè)面臨著許多獨(dú)特的痛點(diǎn)和挑戰(zhàn)，如制程復(fù)雜、精度要求極高、環(huán)境苛刻等。

半導(dǎo)體視覺(jué)檢測(cè)在整個(gè)半導(dǎo)體制造流程中起著至關(guān)重要的作用，目前的檢測(cè)痛點(diǎn)與難點(diǎn)主要如下：
1. 微米/納米級(jí)的超高精度要求
尺寸微縮化：隨著半導(dǎo)體工藝從微米進(jìn)入納米甚至亞納米時(shí)代，芯片上的線路和缺陷尺寸越來(lái)越小，傳統(tǒng)的機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)難以捕捉如此微小的瑕疵。這就要求檢測(cè)系統(tǒng)具備極高的分辨率和靈敏度，能夠識(shí)別小至幾十納米的顆粒、劃痕、斷線等缺陷。
缺陷多樣性和不確定性：半導(dǎo)體制造流程復(fù)雜，可能產(chǎn)生各種各樣、形態(tài)各異的缺陷，例如顆粒污染、晶體缺陷、劃痕、氣泡、腐蝕、以及各種形狀和位置的微小裂紋。這些缺陷往往不規(guī)則，且新工藝還會(huì)帶來(lái)新的缺陷類(lèi)型，導(dǎo)致傳統(tǒng)基于規(guī)則的機(jī)器視覺(jué)算法難以應(yīng)對(duì)。

2. 高速度與高效率
生產(chǎn)節(jié)拍快：半導(dǎo)體產(chǎn)線是24/7不間斷運(yùn)行的，為了保證高產(chǎn)能和高良率，檢測(cè)系統(tǒng)必須在極短的時(shí)間內(nèi)完成圖像采集、處理和分析，速度要比人工檢測(cè)快5-10倍，才能跟上生產(chǎn)節(jié)拍。
數(shù)據(jù)量龐大：一片晶圓上可能有成千上萬(wàn)個(gè)芯片，每個(gè)芯片都需要進(jìn)行多輪檢測(cè)，產(chǎn)生海量的圖像數(shù)據(jù)。如何快速處理和分析這些數(shù)據(jù)，并從中提取有價(jià)值的信息，對(duì)計(jì)算能力和算法效率提出了巨大的挑戰(zhàn)。

3. 復(fù)雜的光學(xué)環(huán)境與表面特性
多層結(jié)構(gòu)與反射：半導(dǎo)體器件通常由多層薄膜和復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)構(gòu)成。在檢測(cè)過(guò)程中，光線會(huì)在不同材料層之間發(fā)生反射、折射和衍射，造成圖像對(duì)比度低、細(xì)節(jié)不清晰，難以有效區(qū)分缺陷與背景。
表面異構(gòu)性：晶圓表面可能存在微粗糙度、薄膜不均勻性等問(wèn)題，這些都會(huì)影響光的散射，降低信噪比（SNR），使得微小缺陷的識(shí)別變得更加困難。為了克服這些挑戰(zhàn)，需要使用特殊的照明技術(shù)（如明場(chǎng)、暗場(chǎng)、紫外、傾斜照明）和高級(jí)光學(xué)系統(tǒng)。

51camera 的半導(dǎo)體檢測(cè)方案已經(jīng)多方驗(yàn)證，在項(xiàng)目上廣泛應(yīng)用。比如SWIR相機(jī)晶圓隱裂檢測(cè)系統(tǒng)，使用紅外相機(jī)發(fā)揮波段長(zhǎng)穿透性強(qiáng)的特性進(jìn)行材質(zhì)透檢捕捉內(nèi)部隱裂缺陷。搭配CCS紅外燈箱和茉莉特紅外鏡頭，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合助力于晶圓檢測(cè)行業(yè)。
半導(dǎo)體視覺(jué)檢測(cè)的典型應(yīng)用
· 晶圓外觀檢測(cè)：
· 鍵合封裝：
· 微裂紋檢測(cè)：
· 晶圓字符識(shí)別：
· 分類(lèi)探針標(biāo)記：
面向未來(lái)更高分辨率、更快速的光學(xué)成像系統(tǒng)是半導(dǎo)體檢測(cè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。51camera通過(guò)持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新和模塊化產(chǎn)品策略，提供高可靠性的定制化解決方案；