Texas Instruments SN74AHCT1G02/SN74AHCT1G02-Q1雙路輸入正或非門以正邏輯執(zhí)行布爾函數(shù)Y = A × B 或Y = A + B。Texas Instruments SN74AHCT1G02-Q1器件符合 AEC-Q100汽車應用類標準。
數(shù)據(jù)手冊:
*附件:SN74AHCT1G02-Q1數(shù)據(jù)手冊.pdf
*附件:SN74AHCT1G02數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- 工作電壓范圍:4.5V到5.5V
- 5V電壓下t
pd最大值為6.5ns - 低功耗,I
CC最大值為10μA - 5V時輸出驅動為±8mA
- 輸入兼容TTL電壓
- 閉鎖性能超過250mA,符合JESD 17標準
功能框圖

SN74AHCT1G02 2輸入正或非門技術解析與應用指南
一、產(chǎn)品概述
SN74AHCT1G02是德州儀器(TI)推出的單通道2輸入正或非門邏輯器件,具有以下核心特性:
- ?寬工作電壓?:4.5V至5.5V工作范圍
- ?高速性能?:5V電壓下最大傳播延遲僅6.5ns
- ?低功耗設計?:最大靜態(tài)電流10μA
- ?強驅動能力?:5V下±8mA輸出驅動電流
- ?兼容性強?:輸入兼容TTL電平
- ?高可靠性?:鎖存性能超過JESD17標準的250mA
二、關鍵參數(shù)與性能
1. 極限參數(shù)
| 參數(shù) | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 電源電壓(VCC) | -0.5V | 7V | V |
| 輸入電壓(VI) | -0.5V | 7V | V |
| 輸出電壓(VO) | -0.5V | VCC+0.5V | V |
| 存儲溫度(Tstg) | -65°C | 150°C | °C |
2. 電氣特性
- ?輸出高電平?:4.4V(IOH=-50μA)至3.94V(IOH=-8mA)
- ?輸出低電平?:0.1V(IOL=50μA)至0.36V(IOL=8mA)
- ?靜態(tài)電流?:最大10μA(VI=VCC或GND)
- ?輸入電容?:4pF典型值
三、功能與引腳配置
1. 邏輯功能
實現(xiàn)布爾函數(shù)Y = A × B 或 Y = A + B (正邏輯),功能表如下:
| 輸入A | 輸入B | 輸出Y |
|---|---|---|
| H | X | L |
| X | H | L |
| L | L | H |
2. 引腳定義(DBV/DCK封裝)
| 引腳號 | 名稱 | 類型 | 描述 |
|---|---|---|---|
| 1 | A | 輸入 | 輸入信號A |
| 2 | B | 輸入 | 輸入信號B |
| 3 | GND | 電源 | 接地引腳 |
| 4 | Y | 輸出 | 邏輯輸出 |
| 5 | VCC | 電源 | 電源引腳 |
四、應用設計指南
1. 典型應用場景
2. 設計要點
- ?電源設計?:
- 建議使用0.1μF陶瓷電容作為去耦電容
- 電源走線應盡量短且寬
- ?輸入處理?:
- 未使用的輸入必須連接到VCC或GND
- 可選用10kΩ上拉/下拉電阻
- ?輸出負載?:
- 建議負載電容≤50pF
- 電阻負載應滿足RL ≥ VO/IO
- ?PCB布局?:
- 關鍵信號走線避免90°拐角
- 建議采用地平面鋪銅設計
- 去耦電容應盡量靠近VCC引腳
五、封裝信息
提供兩種封裝選擇:
- ? DBV(SOT-23-5) ?:2.8mm×2.8mm
- ? DCK(SC-70-5) ?:2.1mm×1.25mm
熱特性參數(shù):
- DBV封裝:θJA=278°C/W
- DCK封裝:θJA=289.2°C/W
六、安全注意事項
- ?ESD防護?:
- 人體放電模型(HBM):±2000V
- 充電器件模型(CDM):±1000V
- ?工作環(huán)境?:
- 確保工作溫度在-40°C至85°C范圍內
- 避免輸入電壓超過絕對最大值
-
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