在3D IC封裝測(cè)試中，HAST通過(guò)高壓加速暴露快速失效（如分層、腐蝕），適用于高可靠性場(chǎng)景（如車(chē)規(guī)芯片）的早期缺陷篩查。PCT通過(guò)長(zhǎng)期濕熱驗(yàn)證材料穩(wěn)定性，適用于消費(fèi)電子的壽命預(yù)測(cè)（如HBM存儲(chǔ)芯片）。

一、HAST測(cè)試檢測(cè)的缺陷類(lèi)型

HAST（高加速應(yīng)力測(cè)試）通過(guò)高溫（105-150℃）、高濕、高壓（2-5 atm）協(xié)同作用，加速濕氣滲透與化學(xué)反應(yīng)，暴露以下缺陷：

界面分層失效

失效機(jī)理：3D IC的多層堆疊結(jié)構(gòu)中，不同材料（如硅中介層與有機(jī)基板）的熱膨脹系數(shù)（CTE）差異顯著。HAST的高壓加速水汽侵入界面，導(dǎo)致環(huán)氧模塑料（EMC）與金屬層間剝離。

金屬化區(qū)域腐蝕

失效機(jī)理：高壓環(huán)境加速濕氣攜帶的氯離子（Cl?）滲透至TSV（硅通孔）或RDL（重布線層），引發(fā)銅互連腐蝕。

底部填充膠（Underfill）失效

失效機(jī)理：HAST的高壓使?jié)駳馇秩胄酒c基板間的微小空隙，導(dǎo)致底部填充膠吸濕膨脹，引發(fā)焊球疲勞開(kāi)裂。

二、PCT測(cè)試檢測(cè)的缺陷類(lèi)型

PCT（壓力鍋測(cè)試）在高溫、飽和濕度、中壓下，評(píng)估長(zhǎng)期濕熱環(huán)境的影響，主要檢測(cè)以下缺陷：

爆米花效應(yīng)

失效機(jī)理：3D IC封裝中的銀漿或底部填充膠吸濕后，高溫下水分汽化產(chǎn)生壓力，導(dǎo)致封裝體爆裂。

電遷移（Electromigration）

失效機(jī)理：飽和濕氣與電場(chǎng)協(xié)同作用，加速金屬離子（如Cu?）在互連線的遷移，形成空洞或晶須。

塑封料吸濕膨脹

失效機(jī)理：PCT的長(zhǎng)時(shí)間飽和濕熱使EMC吸濕率＞0.15%，導(dǎo)致塑封體膨脹，與基板產(chǎn)生應(yīng)力裂紋。

在3D IC封裝測(cè)試中，高低溫老化箱選型要注意，研發(fā)階段優(yōu)先HAST快速定位設(shè)計(jì)缺陷，量產(chǎn)認(rèn)證結(jié)合PCT確保長(zhǎng)期可靠性。兩者數(shù)據(jù)交叉驗(yàn)證，定位失效機(jī)理（如腐蝕+分層復(fù)合失效）