以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析》三部曲系列- 文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：TMC現(xiàn)場(chǎng)記錄、Horse、Hofer、Vitesco
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導(dǎo)語(yǔ)：在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)技場(chǎng)上，Si、SiC與GaN正上演一場(chǎng)"性能與成本"的博弈：Si，作為傳統(tǒng)"老將"，技術(shù)成熟且成本低廉，卻在高頻、高功率場(chǎng)景中力不從心；SiC，憑借高耐壓、高導(dǎo)熱特性成為"高壓王者"，但較高的成本讓市場(chǎng)望而卻步；GaN，則以高電子遷移率、高開(kāi)關(guān)速度的"新生代"姿態(tài)崛起，在新能源汽車等領(lǐng)域展現(xiàn)潛力，卻因平面結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的發(fā)熱問(wèn)題、異質(zhì)結(jié)工藝的可靠性短板而備受爭(zhēng)議。

可以感知到，這場(chǎng)博弈的核心在于：當(dāng)能源轉(zhuǎn)型與技術(shù)革新對(duì)功率器件提出"高效、高頻、高密度"的嚴(yán)苛要求時(shí)，三種材料究竟誰(shuí)能以更優(yōu)的"性能-成本比"勝出？是Si繼續(xù)守住中低功率領(lǐng)域的"基本盤"？是SiC憑借性能優(yōu)勢(shì)突破高端市場(chǎng)？還是GaN通過(guò)工藝優(yōu)化與成本下降實(shí)現(xiàn)"后來(lái)居上"？

今天，我們從性能對(duì)比、技術(shù)缺陷、優(yōu)化路徑、成本分析四個(gè)維度，系統(tǒng)剖析Si、SiC、GaN各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)？GaN-on-Si器件的現(xiàn)況與未來(lái)、挑戰(zhàn)與優(yōu)化方式？最后，通過(guò)GaN-on-Si器件的成本分析，揭示Si、SiC與GaN的“性能與成本博弈”：誰(shuí)更適合“上場(chǎng)”？

|SysPro備注：本篇為《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析》三部曲中"第三曲"

目錄

上篇 |功率GaN技術(shù)發(fā)展解析：機(jī)遇、突破點(diǎn)與 市場(chǎng)趨勢(shì)

功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析的"三部曲"(上篇)中篇 | 功率半導(dǎo)體三代技術(shù)解析： HPD-> DCM/TPAK -> GaN芯片嵌埋功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析的"三部曲"(中篇)下篇 |Si、SiC與GaN，誰(shuí)更適合上場(chǎng)？05 Si、SiC與GaN的性能與成本博弈：誰(shuí)更適合"上場(chǎng)"？

• 5.1 GaN相對(duì)SiC/Si的優(yōu)勢(shì)
• 5.2 GaN相對(duì)SiC/Si的劣勢(shì)(知識(shí)星球發(fā)布)
• 5.3 GaN-on-Si器件的主要優(yōu)化改進(jìn)方向(知識(shí)星球發(fā)布)
• 5.4GaN-on-Si器件的成本分析(知識(shí)星球發(fā)布)
• 5.5 誰(shuí)更適合"上場(chǎng)"？(知識(shí)星球發(fā)布)

06 未來(lái)展望：GaN技術(shù)的"產(chǎn)業(yè)重塑力"

• 6.1 技術(shù)迭代：從“單點(diǎn)突破”到“系統(tǒng)革新”
• 6.2 產(chǎn)業(yè)鏈變革：從“上游主導(dǎo)”到“需求驅(qū)動(dòng)”(知識(shí)星球發(fā)布)
• 6.3 市場(chǎng)格局：GaN的崛起(知識(shí)星球發(fā)布)

|SysPro備注：本篇節(jié)選，完整記錄與解讀請(qǐng)?jiān)谥R(shí)星球中查閱

下篇：Si、SiC與GaN，誰(shuí)更適合上場(chǎng)？

5.1 GaN相對(duì)SiC/Si的優(yōu)勢(shì)

GaN作為第三代半導(dǎo)體材料，在性能上展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。主要原因是：其禁帶寬度、臨界擊穿電場(chǎng)和電子遷移率均高于SiC和Si。而更高的電子遷移率意味著更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的能耗，從而能實(shí)現(xiàn)更高的效率及功率密度。

圖片來(lái)源：Horse Powertrain

從材料極限特性看，GaN的單位面積導(dǎo)通阻抗比SiC小一個(gè)數(shù)量級(jí)1。如下圖所示，為Si、SiC、GaN導(dǎo)通阻抗對(duì)比圖，橫軸為耐壓，縱軸為芯片單位面積導(dǎo)通阻抗。

圖片來(lái)源：Horse Powertrain

此外，GaN的能耗品質(zhì)因數(shù)FOM（Rdson*Qg）也優(yōu)于SiC2。如下圖所示，為Si、SiC、GaNFOM品質(zhì)因數(shù)對(duì)比，橫軸為導(dǎo)通阻抗，縱軸為門極電荷(開(kāi)關(guān)損耗)。

圖片來(lái)源：Horse Powertrain

通過(guò)下方雷達(dá)圖可以至關(guān)看出：GaN在禁帶寬度、電子遷移率、導(dǎo)熱系數(shù)等多項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)上明顯領(lǐng)先Si和SiC，更適合高頻、高效、高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景。而從材料成本方面來(lái)看，當(dāng)前GaN相比Si/SiC并無(wú)明顯優(yōu)勢(shì)，但是這一點(diǎn)，隨著未來(lái)GaN半導(dǎo)體的廣泛應(yīng)用和工藝優(yōu)化，會(huì)顯著改善。|SysPro備注：為什么會(huì)顯著改善，在下面會(huì)講到。

圖片來(lái)源：Horse Powertrain

世界萬(wàn)物均有兩面性，GaN優(yōu)勢(shì)如此明顯，那是否完全沒(méi)有短板？其在實(shí)際應(yīng)用中又存在哪些亟待解決的問(wèn)題？

5.2 GaN相對(duì)SiC/Si的劣勢(shì)

(知識(shí)星球發(fā)布)

目前主流的GaN功率器件用的是硅襯底（GaN-on-Si），結(jié)構(gòu)以平面型（Planer）為主。這里就會(huì)帶來(lái)兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題：

第一，平面型結(jié)構(gòu)和垂直型結(jié)構(gòu)的差異。

IGBT和SiC MOSFET主要采用的是垂直型結(jié)構(gòu)（電流垂直于襯底流動(dòng)），而GaN-on-Si是平面型（電流在表面橫向流動(dòng)），這種結(jié)構(gòu)會(huì)帶來(lái)耐壓與電流受限、散熱瓶頸的問(wèn)題。

圖片來(lái)源：Horse Powertrain

|SysPro備注：這一處的差異很重要，可以說(shuō)是本質(zhì)差異，帶來(lái)的影響也是多方面，我展開(kāi)解釋下：通俗來(lái)說(shuō)這里所謂"垂直""平面"，指的是載流子的"管道方向"。

垂直型結(jié)構(gòu)，電流垂直于襯底流動(dòng)。通過(guò)調(diào)整漂移區(qū)厚度，可在不增加芯片面積的前提下提升耐壓能力。其核心優(yōu)勢(shì)在于高耐壓與大電流處理能力。然而，該結(jié)構(gòu)也面臨工藝復(fù)雜與散熱依賴襯底的挑戰(zhàn)：工藝方面，需進(jìn)行多層外延生長(zhǎng)和深槽刻蝕，整體成本較高；散熱方面，熱量需通過(guò)襯底導(dǎo)出，對(duì)散熱設(shè)計(jì)要求嚴(yán)苛。

平面型結(jié)構(gòu)，電流在器件表面橫向流動(dòng)，源極與漏極位于同一平面，通過(guò)柵極控制溝道通斷。其優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在高頻特性：寄生電容小使得開(kāi)關(guān)速度快，適合快充、射頻等高頻應(yīng)用。但，該結(jié)構(gòu)也面臨耐壓與電流受限、散熱瓶頸的問(wèn)題：橫向結(jié)構(gòu)需增大芯片面積以提高耐壓，導(dǎo)致電流密度降低；異質(zhì)襯底（如硅或藍(lán)寶石）熱導(dǎo)率低，熱量易積聚在表面，可能引發(fā)熱失效。

簡(jiǎn)單來(lái)講，垂直型結(jié)構(gòu)，通過(guò)優(yōu)化電流路徑和散熱效率，主導(dǎo)高壓大電流場(chǎng)景；平面型結(jié)構(gòu)，則借助GaN等材料的高遷移率實(shí)現(xiàn)高頻低損，但需突破熱管理限制以拓展應(yīng)用邊界。

第二，...(知識(shí)星球發(fā)布)

那問(wèn)題來(lái)了：既然GaN有這些缺點(diǎn)，該怎么"補(bǔ)短板"？它的性能和可靠性還能提升嗎？接下來(lái)我們聊聊優(yōu)化的方向。

5.3 GaN-on-Si器件的主要優(yōu)化改進(jìn)方向

(知識(shí)星球發(fā)布)

針對(duì)上述問(wèn)題，GaN-on-Si器件的優(yōu)化可從多維度展開(kāi)：外延、結(jié)溫、散熱、驅(qū)動(dòng)電路、封裝工藝技術(shù)。下面具體聊聊：

...

那么，優(yōu)化后的GaN-on-Si器件在成本上是否仍具競(jìng)爭(zhēng)力？其與SiC、Si的物料成本差異如何？

5.4 GaN-on-Si器件的成本分析

(知識(shí)星球發(fā)布)

這章開(kāi)頭我們提到：從材料成本方面來(lái)看，當(dāng)前GaN相比Si/SiC并無(wú)明顯優(yōu)勢(shì)，但是這一點(diǎn)，隨著未來(lái)GaN半導(dǎo)體的廣泛應(yīng)用和工藝優(yōu)化，會(huì)顯著改善。這一節(jié)，我們來(lái)回答下為什么？

從兩方面來(lái)講：材料成本、工藝成本。

5.4.1 材料成本...(知識(shí)星球發(fā)布)

5.4.2工藝制程與成本...(知識(shí)星球發(fā)布)

5.4.3綜合成本模型估算...(知識(shí)星球發(fā)布)

5.5誰(shuí)更適合“上場(chǎng)”？

(知識(shí)星球發(fā)布)

最后，我們回歸到本章主題上：Si、SiC與GaN的“性能與成本博弈”：誰(shuí)更適合“上場(chǎng)”？....

06 未來(lái)展望：GaN技術(shù)的“產(chǎn)業(yè)重塑力”

(知識(shí)星球發(fā)布)

通過(guò)上述介紹，可以知道：由于上述一些列因素的驅(qū)動(dòng)，GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)已具備從概念走向量產(chǎn)的基礎(chǔ)。它不僅突破了傳統(tǒng)功率器件的性能邊界，更在產(chǎn)業(yè)鏈層面推動(dòng)“閉環(huán)生態(tài)”形成，讓定制化、高效化從理想走向現(xiàn)實(shí)。下面我們從技術(shù)迭代、產(chǎn)業(yè)鏈變革、GaN的崛起三個(gè)角度，做下總結(jié)和展望。

6.1 技術(shù)迭代：從“單點(diǎn)突破”到“系統(tǒng)革新”...(知識(shí)星球發(fā)布)

6.2 產(chǎn)業(yè)鏈變革：從“上游主導(dǎo)”到“需求驅(qū)動(dòng)”...(知識(shí)星球發(fā)布)

6.3 市場(chǎng)格局：GaN的崛起...(知識(shí)星球發(fā)布)

圖片來(lái)源：Yole

這里面還有一個(gè)隱藏問(wèn)題：市場(chǎng)格局的演變是否意味著SiC將退出歷史舞臺(tái)？答案是否定的——SiC仍將在高壓直流快充、主驅(qū)逆變器等場(chǎng)景占據(jù)優(yōu)勢(shì)，而GaN則通過(guò)“高頻+低成本”開(kāi)辟新戰(zhàn)場(chǎng)，兩者形成互補(bǔ)。

這場(chǎng)由GaN引發(fā)的“效能革命”，不僅將重塑汽車動(dòng)力系統(tǒng)的技術(shù)路徑，更將為能源轉(zhuǎn)型提供關(guān)鍵支撐。試想，當(dāng)GaN技術(shù)徹底普及，汽車動(dòng)力系統(tǒng)的“終極形態(tài)”會(huì)是什么樣子？或許，答案就藏在每一次的產(chǎn)品發(fā)布，藏在每一次的技術(shù)變革，更藏在每一個(gè)追求“更優(yōu)解”的工程師的探索中。感謝你的閱讀，希望本文有所幫助！

|SysPro備注：本篇為《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析》三部曲中"第三曲"，完整內(nèi)容已在知識(shí)星球中發(fā)布：功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析的"三部曲"

圖片來(lái)源：Horse Powertrain

以上《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析》的三部曲系列（第三曲，節(jié)選），完整內(nèi)容、相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)方案、技術(shù)報(bào)告、視頻解析已在知識(shí)星球「SysPro電力電子技術(shù)EE」中發(fā)布，全文18500字+，歡迎進(jìn)一步查閱、學(xué)習(xí)，希望有所幫助！