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Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊

科技觀察員 ? 2025-08-04 10:00 ? 次閱讀
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Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級是一款90V連續(xù)、100V脈沖、35A半橋功率級,集成了柵極驅(qū)動器和增強模式氮化鎵 (GaN) FET。LMG2100R044在半橋配置中集成了兩個100V GaN FET,由一個高頻90V GaN FET驅(qū)動器驅(qū)動。GaN FET為功率轉(zhuǎn)換提供了顯著優(yōu)勢,例如零反向恢復(fù)和最小輸入電容CISS和輸出電容COSS。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊.pdf

TI LMG2100R044功率級安裝在完全無鍵合線的封裝平臺上,盡可能減少了封裝寄生元件數(shù)。LMG2100R044采用5.5mm x 4.5mm x 0.89mm無鉛封裝,可輕松安裝在PCB上。

特性

  • 集成4.4mΩ半橋GaN FET和驅(qū)動器
  • 90V連續(xù)、100V脈沖額定電壓
  • 封裝經(jīng)過優(yōu)化,便于PCB布局
  • 高壓擺率開關(guān),低振鈴
  • 5V外部偏置電源
  • 支持3.3V和5V輸入邏輯電平
  • 柵極驅(qū)動器支持高達10MHz開關(guān)
  • 低功耗
  • 出色的傳播延遲(33ns典型值)和匹配(2ns典型值)
  • 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位可防止GaN FET過驅(qū)動
  • 電源軌欠壓,用于閉鎖保護
  • 裸露頂部QFN封裝,用于頂部冷卻
  • 較大的GND焊盤,用于底部冷卻

應(yīng)用

簡化框圖

1.png

傳播延遲與傳播不匹配測量

2.png

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