電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)業(yè)界消息，三星電子、SK海力士、美光均已完成DDR6規(guī)格的初期原型開發(fā)，正與英特爾、AMD、英偉達(dá)等CPU/GPU廠商共同推進(jìn)平臺(tái)驗(yàn)證。當(dāng)前目標(biāo)性能為8800MT/s，后續(xù)計(jì)劃提升至17600MT/s，達(dá)到現(xiàn)行DDR5最高速度（約8000MT/s）的兩倍以上。

2024 年，JEDEC 開始著手研究下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn) DDR6，目標(biāo)是為存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來(lái)更快的讀寫速度和更高的性能。2024年底，JEDEC完成了DDR6主要草案標(biāo)準(zhǔn)，為后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)的正式發(fā)布奠定了基礎(chǔ)。

根據(jù)規(guī)劃，DDR6將于2026年完成平臺(tái)認(rèn)證，2027年率先在服務(wù)器市場(chǎng)商用，隨后向高端筆記本等消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)擴(kuò)展。

DDR6采用4×24-bit子通道架構(gòu)，相較于DDR5的2×32-bit通道設(shè)計(jì)，能提高并行處理能力、數(shù)據(jù)流量和帶寬利用率。CAMM2 標(biāo)準(zhǔn)正逐漸成為DDR6時(shí)代的重要接口方案，與傳統(tǒng)的DIMM和SO-DIMM相比，有望帶來(lái)更佳的性能、更高的容量和更高的效率。其具有高帶寬、高集成度、低信號(hào)干擾和緊湊薄型的設(shè)計(jì)特點(diǎn)，可有效克服 DDR5 時(shí)代 288 針 DIMM 插槽在擴(kuò)展性與電氣性能上的瓶頸。

CAMM2 模塊已經(jīng)成為存儲(chǔ)廠商爭(zhēng)相拓展的新產(chǎn)品。例如，華碩和芝奇展示了一款以 DDR5-10000 速度運(yùn)行的 64GB CAMM2 模塊。為滿足日漸增長(zhǎng)的端側(cè)AI需求，實(shí)現(xiàn)大語(yǔ)言模型的端側(cè)運(yùn)行，江波龍推出了LPCAMM2、CAMM2等內(nèi)存新形態(tài)產(chǎn)品，該產(chǎn)品成功打通了PC和手機(jī)的應(yīng)用場(chǎng)景，在性能、能效和空間利用上均實(shí)現(xiàn)了顯著提升，幫助客戶打造更輕薄、長(zhǎng)續(xù)航、高性能的設(shè)備，為公司消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)拓展提供強(qiáng)有力的產(chǎn)品支撐。

根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2024年第四季度DDR5在服務(wù)器DRAM市場(chǎng)的滲透率已達(dá)45%，2025年將提升至65%，PC端滲透率則從35%躍升至55%。

聚辰股份表示，通常認(rèn)為DDR5內(nèi)存模組在服務(wù)器領(lǐng)域的滲透率較個(gè)人電腦領(lǐng)域更高一些，市場(chǎng)估算DDR5內(nèi)存模組到2024年的滲透率水平在40%-50%左右；DDR5內(nèi)存模組于2021年第四季度方正式商用，根據(jù)第三方資料，DDR內(nèi)存模組從歷史上看，其每個(gè)代際的周期大約跨越十年，弗若斯特沙利文預(yù)計(jì)DDR5內(nèi)存模組到2030年在服務(wù)器領(lǐng)域的占比仍維持在95%左右。

受人工智能（AI）算力爆發(fā)及行業(yè)技術(shù)迭代的雙重驅(qū)動(dòng)，DDR5從服務(wù)器/HPC領(lǐng)域加速滲透，而業(yè)界預(yù)計(jì)這一爆發(fā)態(tài)勢(shì)將加速DDR6的普及進(jìn)程。