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SiC MOSFET功率模塊效率革命:傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時代

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-07-29 09:57 ? 次閱讀
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SiC MOSFET模塊革命:傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時代

34mm封裝BMF80R12RA3模塊——工業(yè)電源的能效突破者

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一、產(chǎn)品核心優(yōu)勢(直擊客戶痛點)

極致能效,成本銳減

導(dǎo)通損耗降低57%:15mΩ超低導(dǎo)通電阻(25℃),高溫175℃時僅28mΩ,較IGBT大幅減少發(fā)熱。

開關(guān)頻率提升5倍:支持100kHz高頻開關(guān)(IGBT僅20kHz),設(shè)備體積縮小40%,功率密度翻倍。

整機(jī)效率98.68%仿真數(shù)據(jù)):20kW焊機(jī)應(yīng)用中,較IGBT方案(97.10%)年省電費(fèi)超萬元。

軍工級可靠性

175℃高溫穩(wěn)定運(yùn)行:采用車規(guī)級設(shè)計,高溫漏電流<2.5μA(行業(yè)平均>5μA)。

擊穿電壓裕量30%:1600V耐壓(標(biāo)稱1200V),應(yīng)對電網(wǎng)波動更安全。

AMB陶瓷基板+高溫焊料:熱循環(huán)壽命提升3倍,故障率降低50%。

二、實測性能碾壓競品(數(shù)據(jù)說話)

場景BMF80R12RA3 (SiC)1200V 100A IGBT優(yōu)勢20kW焊機(jī)H橋損耗266.72W (80kHz)596.6W (20kHz)損耗降低55%開關(guān)損耗48.2mJ (100kHz)64.26mJ (20kHz)高頻下仍低25%體二極管恢復(fù)Qrr=0.53μC (150℃)典型值>2μC反向損耗減少70%

客戶價值:相同功率下,散熱器成本降低30%,設(shè)備壽命延長2年。

三、一站式驅(qū)動方案(解決設(shè)計難題)

傾佳電子提供 “模塊+驅(qū)動”交鑰匙方案

驅(qū)動板BSRD-2427:峰值電流10A,集成米勒鉗位功能,徹底解決SiC誤開通風(fēng)險。

自研三核組件
? 隔離驅(qū)動芯片BTD5350MCWR(抗干擾強(qiáng))
? DC-DC電源芯片BTP1521P(6W輸出)
? 變壓器TR-P15DS23-EE13(4W隔離供電)

并聯(lián)支持:獨創(chuàng)“二極管均流技術(shù)”,多管并聯(lián)穩(wěn)定性提升90%。

四、為何選擇SiC?米勒鉗位是關(guān)鍵!

工業(yè)設(shè)備最怕 “直通炸機(jī)” ,BMF80R12RA3的解決方案:

實測對比:啟用米勒鉗位后,門極電壓波動從7.3V→2V(800V/40A工況),誤開通風(fēng)險歸零。

獨家驅(qū)動芯片BTD5350M:副邊2V閾值觸發(fā)鉗位,響應(yīng)速度<100ns,為SiC高頻場景量身定制。

五、典型應(yīng)用場景(精準(zhǔn)鎖定客戶)

高端工業(yè)焊機(jī):20kW高頻焊機(jī)體積縮小至筆記本大小。

光伏儲能逆變器:100kHz開關(guān)頻率,MPPT效率>99.2%。

超靜音變頻器:40kHz載頻下,電機(jī)噪聲下降15dB。

特種電源:電鍍電源紋波<1%,成品良率提升5%。

結(jié)語:傾佳電子——您身邊的SiC解決方案專家

“從模塊選型到驅(qū)動設(shè)計,我們提供 免費(fèi)PLECS仿真支持 + 48小時樣品送達(dá),助力客戶3周完成SiC方案升級!”
立即行動:聯(lián)系傾佳電子,獲取BMF80R12RA3模塊樣片及《高頻電源SiC升級白皮書》!



審核編輯 黃宇

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