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從良率突破到成本優(yōu)化:PLP解決方案如何改寫半導(dǎo)體封裝規(guī)則

Simon觀察 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:黃山明 ? 2025-07-20 00:04 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道
近日,Nordson Electronics Solutions與Powertech Technology, Inc.(PTI)聯(lián)合開(kāi)發(fā)的面板級(jí)封裝(PLP)解決方案,以流體點(diǎn)膠系統(tǒng)的技術(shù)革新為切入點(diǎn),重塑了半導(dǎo)體封裝的工藝范式與產(chǎn)業(yè)邏輯。

這種基于高精度流體控制的創(chuàng)新方案,不僅突破了傳統(tǒng)封裝在良率、效率與可靠性層面的技術(shù)瓶頸,更通過(guò)面板級(jí)制造的規(guī)模效應(yīng),推動(dòng)半導(dǎo)體封裝向高集成、低成本、低功耗的方向深度變革,其影響已延伸至產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的技術(shù)路徑與市場(chǎng)格局。

從工藝技術(shù)的底層邏輯來(lái)看,該方案的核心突破在于將非接觸式噴射技術(shù)與動(dòng)態(tài)形變補(bǔ)償機(jī)制深度融合。IntelliJet噴射系統(tǒng)采用按需噴射閥門設(shè)計(jì),以每秒100個(gè)流體點(diǎn)的高頻噴射能力,在0.5–3.5mm的間隙范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)無(wú)Z軸移動(dòng)的精準(zhǔn)點(diǎn)膠,這種非接觸模式徹底規(guī)避了傳統(tǒng)針頭接觸導(dǎo)致的偏移污染問(wèn)題。

更關(guān)鍵的是,系統(tǒng)通過(guò)多級(jí)壓力調(diào)節(jié)與實(shí)時(shí)形變監(jiān)測(cè),構(gòu)建了完整的空洞抑制體系,當(dāng)510mm×515mm的大尺寸面板因熱變形產(chǎn)生微觀翹曲時(shí),集成的傳感器會(huì)動(dòng)態(tài)調(diào)整點(diǎn)膠路徑與壓力,使環(huán)氧樹脂類填充材料在10–20μm的窄間隙內(nèi)形成無(wú)氣泡的均勻填充,將空洞率控制在1%以下,由此實(shí)現(xiàn)99%以上的良率突破。

面板級(jí)封裝的規(guī)模化生產(chǎn)邏輯,徹底改變了半導(dǎo)體封裝的成本計(jì)算方式。相較于300mm晶圓7萬(wàn)mm2的面積,標(biāo)準(zhǔn)面板26萬(wàn)mm2的尺寸實(shí)現(xiàn)了3倍以上的芯片封裝數(shù)量提升,這種幾何級(jí)的面積利用率提升直接攤薄了單位封裝成本。

而Nordson點(diǎn)膠系統(tǒng)±1%的材料用量控制精度,將底部填充膠的浪費(fèi)率降低25%,配合無(wú)針頭更換需求帶來(lái)的設(shè)備維護(hù)成本下降,使PTI的PLP產(chǎn)線綜合成本降低18%。這種成本優(yōu)勢(shì)在先進(jìn)封裝場(chǎng)景中尤為顯著,當(dāng)2.5D/3D IC與Chiplet架構(gòu)需要處理硅中介層與多芯片堆疊的復(fù)雜結(jié)構(gòu)時(shí),該方案通過(guò)無(wú)空洞填充將焊點(diǎn)熱機(jī)械可靠性提升3倍,功率循環(huán)壽命延長(zhǎng)至傳統(tǒng)工藝的3倍,同時(shí)兼容玻璃基板與有機(jī)基板等多元材料體系。

特別是在玻璃基板應(yīng)用中,系統(tǒng)通過(guò)流變學(xué)優(yōu)化解決了玻璃脆性導(dǎo)致的填充開(kāi)裂風(fēng)險(xiǎn),為HBM封裝提供了新的基板選擇,這種材料兼容性拓展了先進(jìn)封裝的技術(shù)邊界。

并且Nordson與PTI的合作模式開(kāi)創(chuàng)了設(shè)備商與OSAT企業(yè)的深度綁定范式,通過(guò)聯(lián)合分銷商Jetinn Global提供本地化技術(shù)支持,并在產(chǎn)線部署涵蓋點(diǎn)膠、固化到檢測(cè)的全流程演示單元,加速了PLP工藝的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程。

從市場(chǎng)應(yīng)用來(lái)看,該技術(shù)已在AI芯片、功率模塊汽車電子等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。在GPU與HBM的高密度互連封裝中,其高精度填充能力保障了海量數(shù)據(jù)交互的可靠性;在銅燒結(jié)貼裝與底部填充的復(fù)合工藝中,為功率器件提供了更優(yōu)的熱管理方案;而耐高溫填充膠在SiC模塊的應(yīng)用,則滿足了汽車電子在-40℃至150℃寬溫環(huán)境下的可靠性需求,這種多場(chǎng)景適配性推動(dòng)了封裝技術(shù)與終端應(yīng)用的深度耦合。

小結(jié)

當(dāng)面板級(jí)封裝從實(shí)驗(yàn)室走向量產(chǎn),其帶來(lái)的不僅是制造規(guī)模的擴(kuò)大,更是封裝技術(shù)從芯片保護(hù)向性能賦能的角色躍遷,通過(guò)支持異構(gòu)集成與多元材料,PLP解決方案成為AI與高性能計(jì)算芯片創(chuàng)新的關(guān)鍵支撐,這種技術(shù)賦能效應(yīng)正在重構(gòu)芯片設(shè)計(jì)與封裝制造的協(xié)同模式。
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