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TVS管、ESD器件與自恢復保險絲:原理解析與選型指南

哈哈hfgfdf ? 來源:電子嵌入式學習 ? 作者:電子嵌入式學習 ? 2025-06-30 16:58 ? 次閱讀
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在現(xiàn)代電子設備中,過壓保護過流保護已成為設計不可忽視的一環(huán)。為了提升產(chǎn)品的抗干擾能力與使用壽命,我們常見的保護器件主要有:

TVS二極管瞬態(tài)抑制器)
ESD保護器件(靜電保護)
自恢復保險絲(PPTC

這三類器件在電路保護中各司其職,但也存在很多選型誤區(qū)和實際應用中的關鍵參數(shù)。本文將從原理、參數(shù)說明、應用場景與選型要點四個方面進行詳細解讀。

一、TVS管(Transient Voltage Suppressor)

作用

TVS 管主要用于保護電路免受瞬態(tài)高壓(如雷擊、電源浪涌)損壞。

常用參數(shù)解釋

參數(shù) 說明
反向擊穿電壓Vbr TVS 管開始導通時的電壓,必須高于正常工作電壓
鉗位電壓Vclamp 在浪涌時,TVS 限制的最大電壓,需低于被保護器件最大耐壓
最大峰值脈沖電流Ipp TVS 管能承受的最大瞬態(tài)浪涌電流
響應時間 納秒級,通常在 <1ns,適合高速應用
封裝形式 SMA、SMB、SMD、DO-214AC等多種,選型需結合PCB布局與功率等級

選型建議

Vbr工作電壓 × 1.1~1.2,避免誤觸發(fā);

Vclamp < 被保護芯片最大耐壓

Ipp 實際可能浪涌電流;

根據(jù)通訊接口選擇:如USB推薦ESD + TVS組合保護,電源輸入推薦高功率TVS。

二、ESD保護器件(Electro-Static Discharge)

作用

用于吸收靜電釋放能量,防止靜電放電(如手指觸碰)對芯片或接口造成損傷。

常用參數(shù)解釋

參數(shù) 說明
工作電壓) 正常工作時的最大電壓
擊穿電壓 保護器件導通點,需略高于工作電壓
鉗位電壓 靜電發(fā)生時,器件限制的最大電壓
漏電流 正常工作狀態(tài)下的漏電,越低越好
封裝 主要為SOT、DFN、SOD-323、Array封裝(多位ESD)

選型建議

應優(yōu)先選擇**低電容(<1pF)**的ESD器件用于高速接口(如USB3.0、HDMI);

Vbr系統(tǒng)工作電壓,Vclamp 芯片絕對耐壓

靜電等級建議滿足IEC 61000-4-2,±8kV接觸放電等級;

可選陣列式多位ESD器件用于并行接口保護(如Type-C、以太網(wǎng))。

三、自恢復保險絲(PPTC:Polymer Positive Temperature Coefficient)

作用

提供可重復使用的過流保護。當電流超過設定值時,自身發(fā)熱電阻迅速升高,限流保護;電流恢復后自動復位。

常用參數(shù)解釋

參數(shù) 說明
額定工作電壓Vmax 不可超過,否則器件可能燒毀
保持電流Ihold 正常狀態(tài)下能長期承受的最大電流
觸發(fā)電流Itrip 超過該電流即會進入保護狀態(tài)
最大電流Imax 瞬間可承受的極限電流(短路能力)
電阻值Rmin-Rmax 初始電阻范圍,影響壓降和發(fā)熱
響應時間 毫秒級,適合慢速過流保護

選型建議

Ihold 應大于實際最大工作電流的 1.2 倍;

工作電壓需低于Vmax;

不適用于高速斷路場合(如鋰電池保護、短路需快速切斷);

根據(jù)功率與溫度環(huán)境選合適尺寸封裝(如1206、1812等);

實際案例應用簡析

應用場景 推薦保護組合
USB接口 ESD + TVS(低電容)
電源輸入 TVS + PPTC
SIM卡/SD卡接口 低電容ESD陣列器件
以太網(wǎng)RJ45 共模電感 + ESD陣列 + GDT(氣體放電管)
工業(yè)IO口 TVS(二極管陣列)+ PPTC

總結:如何合理搭配使用?

TVS抗浪涌、ESD抗靜電、PPTC防過流,三者可組合使用形成全方位保護。

合理選型可有效提升抗干擾能力設備穩(wěn)定性,并降低售后維護成本。

不要“只裝一個TVS就萬事大吉”,每種器件的應用范圍和保護特性都有明確邊界。

建議收藏本文,作為項目設計中的防護器件選型參考。如果你有實際案例需要選型推薦,歡迎在評論區(qū)留言,一起討論~

審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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