電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，近日美光（Micron）宣布，正在交付全球首款基于1γ工藝的LPDDR5X內(nèi)存樣品。該產(chǎn)品采用第六代10nm級別1γ（1-gamma）DRAM，速率達到10.7Gbps，可節(jié)省20%的電量，旨在加速旗艦智能手機上包括人工智能（AI）應用在內(nèi)的執(zhí)行數(shù)據(jù)密集型工作負載，帶來更快、更流暢的移動體驗和更長的電池續(xù)航時間。

1γ工藝的LPDDR5X是美光首款采用EUV光刻技術打造的移動解決方案，可獲得業(yè)界領先的容量密度。美光還利用包括下一代高K金屬柵極技術在內(nèi)的CMOS技術，提升晶體管性能，實現(xiàn)更高的速率、更優(yōu)化的設計和更小的特征尺寸，為1γ DRAM節(jié)點帶來功耗降低和性能擴展的雙重優(yōu)勢。

該LPDDR5X提供業(yè)界最薄的0.61mm封裝，相比競爭對手的產(chǎn)品薄了6%，高度比上一代產(chǎn)品降低14%。更為小巧的LPDDR5X為智能手機制造商設計超薄或可折疊智能手機提供更多可能性。

美光正在向選定的合作伙伴提供基于1γ工藝的16GB LPDDR5X內(nèi)存樣品，可選容量8GB至32GB，或?qū)⒂?026年的旗艦智能手機采用。

去年，三星電子推出12納米級別LPDDR5X DRAM芯片，專為低功耗RAM市場設計，主要面向具備設備端AI能力的智能手機。

三星高管在談到該款LPDDR5X的研發(fā)設計時表示，LPDDR5X是一種針對智能手機、平板電腦和筆記本電腦等需要高性能的端側(cè)AI優(yōu)化的內(nèi)存解決方案?？紤]到便攜設備使用電池的特性，在低功耗運行的同時實現(xiàn)最高速度非常重要。從設備厚度、發(fā)熱量等方面考慮，讓芯片本身變得更薄也是一項重要任務。

三星LPDDR5X通過從策劃到設計、工藝、PKG技術等與各開發(fā)部門的合作，實現(xiàn)了業(yè)界最快的10.7Gbps速度和當時業(yè)界最薄的0.65mm厚度。

為了實現(xiàn)業(yè)界最快的10.7Gbps速度，必須確保高速數(shù)據(jù)傳輸輸入輸出電路的性能。 此外，它還利用了降低內(nèi)部運行電壓的設計技術，實現(xiàn)高速運行的同時保持低功耗。

為了實現(xiàn)超薄的厚度，三星將兩個芯片結(jié)合為一個單元，形成四個單元的內(nèi)聚系統(tǒng)，并通過更改保護半導體電路的電路保護材料——EMC（環(huán)氧樹脂模塑料）來進行優(yōu)化。 最后，背面打磨技術的開發(fā)至關重要，該技術通過拋光晶圓背面來保持操作特性和可靠性，同時減少晶圓厚度。

市場上除了像HBM這種不計功耗、要求最高性能的產(chǎn)品外，對像LPDDR這種在低功耗下也能達到一定性能水平的產(chǎn)品的需求也日益增長。 對于替代現(xiàn)有DDR模塊的LP模塊產(chǎn)品（LPCAMM、SOCAMM等）來說也是如此。對于海量AI數(shù)據(jù)的并行處理，提高數(shù)據(jù)傳輸速度至關重要，而這會導致耗電量的爆炸式增長。LPDDR5X能夠在消耗相對較低的功耗的同時實現(xiàn)高性能，是一種能夠應對計算趨勢變化的、極具吸引力的解決方案。