氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要歸功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。

GaN獨特的材料屬性使其在器件性能方面優(yōu)于傳統(tǒng)的硅（Si）甚至碳化硅（SiC）材料。

以下是關鍵原因的詳細解析

1.GaN具有約3.4電子伏（eV）的寬禁帶，這遠高于硅的禁帶寬度。寬禁帶使GaN器件能夠承受更高的擊穿電壓，也就是說，在不發(fā)生故障的情況下承受更高的工作電壓。

2. GaN在高溫下具有更低的漏電流，這意味著在高電壓和高頻率開關條件下效率更高。

3.GaN具有高電子遷移率和高電子飽和速度，這使得GaN器件具有更快的開關速度和更低的開關損耗，因此在開關過程中浪費為熱能的能量更少。這一點在射頻（RF）、電源轉(zhuǎn)換器和5G系統(tǒng)等高頻應用中尤為關鍵。

4.GaN HEMT的結(jié)電容和柵電荷極低，使其在高頻下仍能實現(xiàn)快速的開啟和關閉時間，且具有較低的柵極驅(qū)動損耗。

5. 得益于GaN器件較高的擊穿電場和較低的導通電阻，其器件結(jié)構(gòu)更小，具有更低的寄生電感和電容，從而在高速開關應用中表現(xiàn)更優(yōu)。

6.與硅MOSFET不同，GaN HEMT是多數(shù)載流子器件。這類器件沒有體二極管的反向恢復損耗，而硅器件在高頻和硬開關條件下，其主要開關損耗就來源于這種反向恢復損耗，且該損耗與開關頻率和反向恢復電荷成正比。

表1 GaN在高頻應用中相對于硅的優(yōu)勢

芯干線公司的GaN HEMT在GaN器件行業(yè)取得了技術突破。其GaN HEMT具有高dv/dt能力、極低的輸入電容、零反向恢復電荷（Qrr）以及卓越的開關性能和高可靠性。

此外，芯干線公司專利的雙柵引腳結(jié)構(gòu)進一步提升了開關性能，并為PCB布局提供了更多靈活性。芯干線公司還采用先進的封裝技術，實現(xiàn)了低熱阻和高器件性能。

芯干線公司自主設計的GaN HEMT支持在軟開關和硬開關模式下的高頻切換操作，同時仍可實現(xiàn)高效率。使用芯干線公司GaN HEMT的最終產(chǎn)品可實現(xiàn)非常緊湊的系統(tǒng)尺寸。典型應用包括開關電源（SMPS）、PC和服務器電源、太陽能逆變器、電動車充電器以及5G電源等。

一個代表性的產(chǎn)品是芯干線公司E-MODE（增強型）GaN HEMT——X3G6506B8。

這是一款700V增強型GaN功率晶體管，具有極低的導通電阻和輸入電容。其導通電阻僅為52mΩ，輸入電容僅為158PF。

圖1和圖2展示了X3G6506B8的電路符號及封裝結(jié)構(gòu)。這款DFN8*8封裝的六引腳晶體管尺寸僅為8×8毫米，最大漏極電流為28A，同時具有極低的結(jié)到殼熱阻和高達150V/ns的dv/dt能力。

圖1：芯干線公司的X3G6506B8是一款700V增強型功率晶體管，采用六引腳設計，并配有雙柵極引腳，以進一步提升開關性能并為PCB布局提供更高的靈活性。

圖2：芯干線公司X3G6506B8的8×8毫米封裝采用了先進的封裝工藝，以實現(xiàn)低熱阻和優(yōu)異的器件性能。

總結(jié)：芯干線公司在GaN HEMT技術方面的突破，正在改變電力電子行業(yè)的前景。在不久的將來，高效率、高頻操作、小尺寸的電子產(chǎn)品將成為行業(yè)的新常態(tài)。

關于芯干線

芯干線科技是一家由功率半導體資深海歸博士、電源行業(yè)市場精英和一群有創(chuàng)業(yè)夢想的年輕專業(yè)人士所創(chuàng)建寬禁帶功率器件原廠。2022年被評為規(guī)模以上企業(yè)，2023年國家級科技型中小企業(yè)、國家級高新技術企業(yè)，通過了ISO9001生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認證。在2024年通過了IATF16949汽車級零部件生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認證。

公司自成立以來，深耕于功率半導體Si MOS & IGBT、GaN HEMT、SiC MOS & SBD、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模塊的研發(fā)和銷售。產(chǎn)品被廣泛應用于消費、光伏、儲能、汽車、Ai服務器、工業(yè)自動化等能源電力轉(zhuǎn)換與應用領域。

公司總部位于南京，分公司遍布深圳、蘇州、江蘇等國內(nèi)多地，并延伸至北美與臺灣地區(qū)，業(yè)務版圖不斷拓展中。