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碳化硅肖特基二極管：650V 碳化硅肖特基二極管具有極低 FOM，可為電源解決方案提供最高效率

IntelliFET：BSP75N 自我保護型電源開關仍然是熱門的設計選擇

霍爾效應傳感器：

高精度 I2C 3D 線性霍爾效應傳感器，適用于汽車產品應用的旋轉和接近檢測

先進的銻化銦霍爾器件傳感器，適用于旋轉和電流測量產品應用

產品概述如下

650V 碳化硅肖特基二極管具有極低 FOM，可為電源解決方案提供最高效率

Diodes 公司擴大碳化硅 (SiC) 產品組合，推出五款高性能、低品質因數 (FOM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管。

DSCxxA065LP系列額定電流為 4A、6A、8A、10A 及 12A，采用超高熱效率的 T-DFN8080-4 封裝，為高效率電源開關產品應用而設計，例如直流對直流、交流轉直流、可再生能源、數據中心 (特別是處理大量人工智能 (AI) 工作負載的數據中心) 以及工業(yè)電機驅動器等。

與硅二極管相比，這五款碳化硅肖特基二極管具有更好的電源開關性能。由于沒有反向恢復電流，以及低電容電荷 (QC)，該系列器件的開關損耗可以忽略不計，適用于高速開關電路。這五款二極管的低正向電壓 (VF) 可將傳導損耗降至最低，進一步提升整體功率效率。這些特點結合起來實現極低的 FOM，可由以下公式表示：

FOM =QCxVF

這五款器件采用小巧輕薄的 T-DFN8080-4 (典型尺寸：8mm x 8mm x 1mm) 表面貼裝封裝，底部有大面積散熱片，可降低熱阻。這有助于提高電路設計的功率密度，縮小解決方案總體尺寸，并降低冷卻預算。T-DFN8080-4 是 TO252 (DPAK) 的理想替代方案。

查看產品詳情：DSC04A065LP(4A)、DSC06A065LP(6A)、DSC08A065LP(8A)、DSC10A065LP(10A) 和DSC12A065LP(12A)。

極低的 FOM (QC x VF) 可實現更高系統(tǒng)效率的設計，降低工作和冷卻成本

高達 175°C 的工作溫度可增強系統(tǒng)在嚴酷環(huán)境下的可靠性

正向電壓正溫度系數確保工作穩(wěn)定性，并支持器件并聯(lián)

產品封裝：DFN8080-4 (典型尺寸：8mm x 8mm x 1mm)

典型方框圖和品質因數 (FOM) 性能指標

IntelliFET BSP75N 自我保護型電源開關仍然是熱門的設計選擇

BSP75N上市已有 25 年，仍得到廣泛使用并經過驗證，可提供受保護的開關解決方案。

此器件采用 SOT223 封裝，可在嚴酷環(huán)境中，以及高達 36V 的系統(tǒng)電壓下，提供強大且可靠的低側直流開關。多年來，Diodes 公司不斷開發(fā)該設計，進一步提供具有更低RDS(ON)和輸入電流的版本，不過最初版本仍是熱門選擇。

該器件特別適合：

具有高浪涌電流的負載，例如燈和電機

通用負載開關 (電阻、電感和電容負載)

3.3V 和 5V μPC 型系統(tǒng)

替代機電繼電器和分立電路

產品封裝：SOT23F

高精度 I2C 3D 線性霍爾效應傳感器，適用于汽車產品應用的旋轉和接近檢測

符合汽車標準*的AH4930Q是 Diode 公司的首款 3D 線性霍爾效應傳感器。該器件符合 AEC-Q100 Grade 1 等級規(guī)范，溫度范圍擴大為 -40°C 至 +125°C。 高性能的 AH4930Q 為高精度磁性感測提供精巧的解決方案。此單片傳感器 IC 集成溫度傳感器，可提供精確的片上補償。該器件的強大信號路徑和高分辨率 ADC 能夠精確測量三個軸上的磁場，有助于準確解碼運動和位置信息。 AH4930Q 集成用戶可編程的設定寄存器，可優(yōu)化性能。通過 I2C 接口 (高達 1Mbps) 可存取數據，實現與主機系統(tǒng)的無縫集成?？蛇x擇電源模式控制單元允許靈活工作，包括系統(tǒng)睡眠時的斷電 (9nA) 模式，以及為主動且高要求的應用實現恒定測量的連續(xù) (快速) 模式 (3.8mA)。

高精度 12 位數據轉換器霍爾傳感器的測量可低至 1 高斯

片上 12 位溫度傳感器

10μs 快速啟動和 4μs 響應時間，可快速響應磁場變化

產品封裝：SOT26

先進的銻化銦霍爾器件傳感器，適用于旋轉和電流測量產品應用

AHE101/AHE102/AHE108/AHE300是先進的銻化銦霍爾器件，適用于轉速檢測和電流測量產品應用，例如無刷直流電機、風扇和電流傳感器。

這四款銻化銦霍爾器件采用橋式結構配置，具有超高靈敏度，能夠檢測微弱磁場，并提供成比例的模擬輸出。四款器件都提供多種霍爾靈敏度 (等級)，可根據任意給定的磁場強度，提供不同的輸出電壓位準，從而根據不同的產品應用需求實現優(yōu)化。

超高靈敏度銻化銦霍爾器件可檢測微弱磁場

環(huán)境溫度范圍高達 125°C

低于 10mV 的失調電壓支持高分辨率和檢測精度

產品封裝：SOT23-4 (不同高度選項) 和 SIP-4 封裝