近年來(lái)，SK海力士屢獲創(chuàng)新成果，這些成就皆得益于“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神（One Team Spirit）”。無(wú)論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績(jī)、開(kāi)發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品，還是躍升成為全球頂級(jí)面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商，這些輝煌成就無(wú)一不是全體成員齊心協(xié)力的結(jié)果。本系列文章將回顧鑄就SK海力士成功神話背后的驅(qū)動(dòng)力——“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神的閃耀時(shí)刻。

本系列第一篇文章將聚焦于SK海力士自創(chuàng)立以來(lái)所面臨的危機(jī)與挑戰(zhàn)，并剖析在這些關(guān)鍵時(shí)刻，其“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神所展現(xiàn)出的強(qiáng)大力量。

克服后進(jìn)劣勢(shì)，成功扭虧為盈

公司初創(chuàng)階段全體成員齊心協(xié)力克服后進(jìn)劣勢(shì)，成功扭虧為盈

1983年，SK海力士正式進(jìn)軍半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。當(dāng)時(shí)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)幾乎由美國(guó)和日本主導(dǎo)。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)幾乎空白的韓國(guó)，作為后來(lái)者踏入這一領(lǐng)域無(wú)疑極為艱難，但SK海力士仍毅然選擇了勇敢挑戰(zhàn)。

但現(xiàn)實(shí)并不樂(lè)觀。盡管創(chuàng)業(yè)初期公司雄心勃勃，但始終未能縮小與行業(yè)先行者的技術(shù)差距。工廠建設(shè)屢次延誤，最終艱難地建成了利川工廠，并成功試產(chǎn)了16K SRAM。然而，隨之而來(lái)的產(chǎn)品研發(fā)滯后、良率不足等問(wèn)題，使公司的各個(gè)部門(mén)都拉響了警報(bào)。

公司創(chuàng)立僅兩年便遭遇危機(jī)，但此時(shí)放棄為時(shí)尚早。為此，公司決定集中力量擴(kuò)充人才隊(duì)伍，并提升技術(shù)實(shí)力。這一戰(zhàn)略最終奏效——SK海力士通過(guò)增聘研發(fā)人員、擴(kuò)建基礎(chǔ)設(shè)施，夯實(shí)了技術(shù)根基，并于1987年成功自主開(kāi)發(fā)出256K DRAM。

這樣的發(fā)展勢(shì)頭延續(xù)到了1988年，行業(yè)復(fù)蘇的東風(fēng)進(jìn)一步助推了公司的發(fā)展。公司相繼自主研發(fā)成功了1M DRAM、4M DRAM。1988年，憑借256K DRAM的熱銷，公司實(shí)現(xiàn)盈利，此時(shí)距離公司成立僅五年。

當(dāng)時(shí)，員工們以在100天內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率50%為目標(biāo)，發(fā)起了“150行動(dòng)”，齊心協(xié)力，以彌補(bǔ)后進(jìn)者所帶來(lái)的劣勢(shì)。倘若沒(méi)有公司堅(jiān)定的發(fā)展意志與全體成員團(tuán)結(jié)一致的堅(jiān)決態(tài)度，這一切都難以實(shí)現(xiàn)?！耙粋€(gè)團(tuán)隊(duì)”精神不僅為SK海力士在半導(dǎo)體行業(yè)深耕奠定了基礎(chǔ)，更成為未來(lái)其克服危機(jī)、迎接挑戰(zhàn)的核心DNA。

以“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神為DNA，實(shí)現(xiàn)絕地重生

上世紀(jì)九十年代到本世紀(jì)初，“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”精神助力公司在危機(jī)中屢次渡過(guò)難關(guān)

在20世紀(jì)90年代初的經(jīng)濟(jì)衰退期間，SK海力士的“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”精神再次閃耀光芒?；趯?duì)行業(yè)即將回升的預(yù)判，SK海力士以“擴(kuò)大投資”為應(yīng)對(duì)策略，在行業(yè)低谷期果斷投入數(shù)千億韓元，用于16M和64M DRAM的量產(chǎn)以及未來(lái)技術(shù)布局。

1995年，正如公司所預(yù)測(cè)的那樣，半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)空前繁榮。SK海力士憑借對(duì)16M和64M DRAM的核心投資策略，獲得了豐厚的回報(bào)。這一次，“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”精神再次為公司的重大成就提供了強(qiáng)有力的支持。而在繁榮達(dá)到頂峰之后，面對(duì)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)迅速加劇帶來(lái)的挑戰(zhàn)，全體成員通過(guò)宣布“勞資一體”1化，繼續(xù)攜手共進(jìn)，再次展現(xiàn)了 ‘一個(gè)團(tuán)隊(duì)’精神?！?/p>

1勞資一體：對(duì)應(yīng)當(dāng)時(shí)由韓文“身土不二”演變而來(lái)的新造詞“勞使不二”，意為勞動(dòng)者與企業(yè)是一體的。

2001年，經(jīng)濟(jì)危機(jī)到達(dá)頂峰，再次襲來(lái)的經(jīng)濟(jì)蕭條比往年更加嚴(yán)重。更為嚴(yán)峻的是，公司面臨債務(wù)疊加與互聯(lián)網(wǎng)泡沫破裂的雙重困境，不得不進(jìn)行重組（債權(quán)人共同管理），甚至傳出“低價(jià)拋售公司”的謠言。

盡管面臨困難，但成員們依然堅(jiān)定不移，他們喊著“能省一分是一分”的口號(hào)，自愿退還薪資，并積極參與無(wú)薪休假。同時(shí)，利川市民也紛紛挺身而出，發(fā)起了“拯救海力士”，“認(rèn)購(gòu)海力士股票”等活動(dòng)，為企業(yè)復(fù)蘇貢獻(xiàn)自己的力量。

研究人員們夜以繼日地攻克技術(shù)難關(guān)，通過(guò)對(duì)舊設(shè)備改造，實(shí)現(xiàn)了0.15微米2工藝的重大突破——這正是至今仍廣為人知的“藍(lán)芯計(jì)劃”。隨后，1Gb DDR2和512M NAND的研發(fā)，以及300mm晶圓相繼實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。2005年初，SK海力士提前結(jié)束了債務(wù)重組，這標(biāo)志著“勞資一體”與“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”精神的終極勝利。

2微米：百萬(wàn)分之一米（10?? m）。數(shù)值越小，表明工藝精細(xì)化程度越高。

登頂面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)，

“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”精神再創(chuàng)輝煌

SK海力士持續(xù)擴(kuò)張產(chǎn)業(yè)版圖，以“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神續(xù)寫(xiě)新的輝煌篇章

SK海力士的“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”精神在企業(yè)上升期愈顯光芒。2012年，SK海力士正式成為SK集團(tuán)的一員，公司發(fā)展步入快車道。SK集團(tuán)曾表示，之所以敢于進(jìn)行大規(guī)模投資，是基于對(duì)其增長(zhǎng)潛力的高度認(rèn)可。

得到數(shù)萬(wàn)億韓元支持的SK海力士，憑借全球戰(zhàn)略合作，積極加大投資與研發(fā)力度，以及擴(kuò)建晶圓廠，為未來(lái)的發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。公司在提升技術(shù)實(shí)力的同時(shí)，更致力于重塑企業(yè)文化：不僅推出助力員工成長(zhǎng)的多元發(fā)展計(jì)劃，更將“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神深度融入企業(yè)基因，從而構(gòu)建起成員和組織之間協(xié)同創(chuàng)新、融合共進(jìn)的生態(tài)系統(tǒng)。

在“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神的凝聚下，全體成員們持續(xù)推出契合客戶與市場(chǎng)需求的多款創(chuàng)新產(chǎn)品——涵蓋了10納米級(jí)DDR5 DRAM、超高堆疊4D NAND以及大容量SSD等，刷新了公司年度最高業(yè)績(jī)紀(jì)錄。

其中，HBM無(wú)疑是核心所在。自2009年以來(lái)，SK海力士便前瞻性地布局HBM3技術(shù)，隨著AI時(shí)代的到來(lái)，這一領(lǐng)域迎來(lái)了爆發(fā)式增長(zhǎng)。這一成就的背后，充分體現(xiàn)了SK海力士“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神——從負(fù)責(zé)產(chǎn)品設(shè)計(jì)和元件開(kāi)發(fā)的前道工序團(tuán)隊(duì)，到實(shí)現(xiàn)芯片電氣互聯(lián)的后道封裝團(tuán)隊(duì)，全體成員通力協(xié)作，共同專注于性能提升。正是因?yàn)楣柰?（TSV）、批量回流模制底部填充5（MR-MUF）及先進(jìn)MR-MUF6技術(shù)等創(chuàng)新技術(shù)的不斷迭代，才成就了如今HBM在行業(yè)中的領(lǐng)先地位。

3高帶寬存儲(chǔ)器（HBM, High Bandwidth Memory）：一種高附加值、高性能存儲(chǔ)器，通過(guò)垂直互聯(lián)多個(gè)DRAM芯片, 與DRAM相比可顯著提升數(shù)據(jù)處理速度。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）、HBM4（第六代）的順序開(kāi)發(fā)。

4硅通孔技術(shù)（TSV，Through Silicon Via）：一種在DRAM上打數(shù)千個(gè)微孔使其垂直互連至電極的技術(shù)。

5批量回流模制底部填充(MR-MUF, Mass Reflow Molded Underfill)：在堆疊半導(dǎo)體芯片后，為了保護(hù)芯片間的電路，在其中填充液體保護(hù)材料，使其固化。

6先進(jìn)MR-MUF：先進(jìn) MR-MUF 技術(shù)具有翹曲控制功能（Warpage Control），可實(shí)現(xiàn)無(wú)翹曲堆疊，芯片厚度比傳統(tǒng)芯片薄 40%，此技術(shù)采用新型保護(hù)材料，可有效改善散熱性能。

這種發(fā)展趨勢(shì)持續(xù)延伸至HBM4——公司于今年3月率先向客戶交付了12層HBM4樣品 [相關(guān)報(bào)道]。由此SK海力士不僅在面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)中穩(wěn)居榜首，更實(shí)現(xiàn)了從1983年作為半導(dǎo)體行業(yè)“新進(jìn)者”到如今成為“資深專家”的華麗蛻變。

正處于高速增長(zhǎng)期的SK海力士，目前正投入120萬(wàn)億韓元打造龍仁半導(dǎo)體集群，并積極推進(jìn)M15X工廠、美國(guó)印第安納州工廠等新生產(chǎn)基地的建設(shè)，持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)規(guī)模。

以“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”為目標(biāo)，SK海力士全體成員正秉持“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神，攜手共進(jìn)，開(kāi)啟嶄新的征程。