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UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器,具有用于IGBT的DIS和DT引腳數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-16 09:30 ? 次閱讀
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UCC21550-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計,可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管。

UCC21550-Q1 可配置為兩個低側(cè)驅(qū)動器、兩個高側(cè)驅(qū)動器或一個半橋驅(qū)動器。輸入側(cè)通過 5kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅(qū)動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)。
*附件:ucc21550-q1.pdf

保護(hù)功能包括:電阻器可編程死區(qū)時間、同時關(guān)閉兩個輸出的禁用功能,以及拒絕短于 5ns 的輸入瞬變的集成去毛刺濾波器。所有電源均具有 UVLO 保護(hù)。

憑借所有這些高級功能,UCC21550-Q1 器件可在各種電源應(yīng)用中實現(xiàn)高效率、高功率密度和穩(wěn)健性。

特性

  • 通用:雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋驅(qū)動器
  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),結(jié)果如下
    • 設(shè)備溫度等級 1
  • 結(jié)溫范圍 –40 至 +150°C
  • 高達(dá) 4A 的峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出
  • 共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高達(dá) 25V VDD 輸出的驅(qū)動電源
    • 5V、8V、12V VDD UVLO 選項
  • 切換參數(shù):
    • 33ns 典型傳播延遲
    • 5ns 最大脈寬失真
    • 10μs 最大 VDD 上電延遲
  • 所有電源的 UVLO 保護(hù)
  • 快速禁用電源排序

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

1. 產(chǎn)品概述

UCC0-Q是一款A(yù)EC-Q0認(rèn)證的隔離型雙通道門極驅(qū)動器,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍(-°C至+0°C)。它專為驅(qū)動功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT設(shè)計,支持雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋配置。輸入側(cè)與兩個輸出驅(qū)動器之間通過5kV RMS隔離屏障隔離,最小共模瞬態(tài)免疫(CMTI)為5V/ns。

2. 主要特性

  • ?認(rèn)證?:AEC-Q0認(rèn)證,適用于高可靠性汽車應(yīng)用。
  • ?輸出能力?:高達(dá)A的峰值源電流和6A的峰值沉電流。
  • ?隔離與免疫?:kV RMS隔離屏障,最小CMTI為V/ns。
  • ?UVLO保護(hù)?:所有電源均具備欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)。
  • ?快速禁用?:支持快速禁用功能,適用于電源排序。
  • ?開關(guān)參數(shù)?:ns典型傳播延遲,ns最大脈沖寬度失真,μs最大VDD上電延遲。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

4. 封裝與電源選項

  • 提供SOIC(DW)6引腳和SOIC(DWK)4引腳封裝選項。
  • 支持5V、V和V VDD UVLO選項,滿足不同應(yīng)用需求。

5. 功能描述

5.1 VDD、VCCI和欠壓鎖定(UVLO)

  • ?VDD UVLO?:當(dāng)VDD電壓低于UVLO閾值時,受影響的輸出將被拉低。
  • ?VCCI UVLO?:當(dāng)VCCI電壓低于UVLO閾值時,設(shè)備將不激活。
  • ?UVLO遲滯?:防止電源噪聲引起的抖動,允許設(shè)備在電源電壓略有下降時繼續(xù)正常工作。

5.2 輸入和輸出邏輯

  • 輸入引腳(INA、INB、DIS)采用TTL和CMOS兼容邏輯。
  • 輸出階段具有高速拉上和拉下結(jié)構(gòu),提供可靠的門極驅(qū)動能力。

5.3 可編程死區(qū)時間(DT)

  • 通過在DT引腳和GND之間連接適當(dāng)?shù)?a target="_blank">電阻來設(shè)置死區(qū)時間,防止射擊貫通。
  • 死區(qū)時間控制有助于提高系統(tǒng)的可靠性和效率。

5.4 禁用引腳(DIS)

  • 將DIS引腳置高或懸空將同時關(guān)閉兩個輸出。
  • 接地DIS引腳允許設(shè)備正常工作。DIS引腳內(nèi)部上拉,建議使用RC濾波器濾波高頻噪聲。

6. 典型應(yīng)用

文檔提供了一個參考設(shè)計示例,展示了UCC-Q1在半橋配置中驅(qū)動SiC MOSFET的應(yīng)用。詳細(xì)說明了設(shè)計要求、輸入濾波器設(shè)計、外部自舉二極管及其串聯(lián)電阻的選擇、門極驅(qū)動器輸出電阻的選擇等關(guān)鍵設(shè)計步驟。

7. 布局指南

  • 強(qiáng)調(diào)了PCB布局中的關(guān)鍵點,包括組件放置、接地考慮、高壓考慮和熱考慮。
  • 建議將低ESR和低ESL電容器靠近設(shè)備放置,以支持高峰值電流。
  • 提供了布局示例,幫助工程師在設(shè)計中實現(xiàn)最佳性能。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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