型號背后的技術(shù)密碼

仁懋氮化鎵（GaN）器件型號采用 "三段式編碼規(guī)則" ，通過字母與數(shù)字組合精準傳遞技術(shù)參數(shù)。

示例型號：MOTGE65R190Q

1. 前綴定位技術(shù)路線

- GE：增強型（E-mode）氮化鎵

- GD：耗盡型（D-mode）氮化鎵

技術(shù)差異：E-mode器件無需負壓關(guān)斷，驅(qū)動電路更簡化；D-mode需搭配驅(qū)動IC實現(xiàn)常閉特性。

2. 耐壓等級標識

- 65：650V擊穿電壓（實際測試值≥700V）

-70：700V擊穿電壓（適配800V母線系統(tǒng)）

3. 導通電阻精準標注

- R190：25℃結(jié)溫下RDS(on)=190mΩ

- 測試標準：JEDEC JS-709-1A（脈沖法）

4.封裝代碼

- Q：DFN8×8（尺寸8mm×8mm，支持雙面散熱）

- G：DFN5×6（尺寸5mm×6mm，緊湊型設計）

產(chǎn)品矩陣與性能對標

| 型號| 類型 | 耐壓(V) | RDS(on)(mΩ) | 封裝| Qg(nC)

| MOTGE65R190Q | E-mode | 650 | 190 | DFN8×8 | 8.5

| MOTGD65R110Q | D-mode| 650 | 110 | DFN5×6| 6.2

| MOTGE70R350G | E-mode | 700 | 350 | DFN5×6 | 12.8

關(guān)鍵參數(shù)解讀

E-mode低Qg優(yōu)勢：MOTGE65R190Q的Qg僅8.5nC，支持500kHz高頻開關(guān)

D-mode超低內(nèi)阻：MOTGD65R110Q的RDS(on)低至110mΩ，導通損耗較硅MOS降低60%