近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號為SPM 31。這款以金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)為基礎(chǔ)的模塊，憑借卓越的能效和功率密度，成為行業(yè)內(nèi)的一項(xiàng)重大技術(shù)進(jìn)步。新一代EliteSiC SPM 31 IPM在體積上保持了最緊湊的設(shè)計(jì)，相較于傳統(tǒng)的場停7 IGBT技術(shù)，具有更顯著的能量效率和更低的系統(tǒng)總成本。

EliteSiC SPM 31 IPM的推出，旨在滿足對高性能電源解決方案日益增長的需求。得益于其改進(jìn)的熱性能和較低的功率損耗，這些模塊特別適合應(yīng)用于三相逆變器驅(qū)動，廣泛用于人工智能數(shù)據(jù)中心的電子換向(EC)風(fēng)扇、熱泵、商用暖通空調(diào)系統(tǒng)、伺服電機(jī)、機(jī)器人及變頻驅(qū)動(VFD)等領(lǐng)域。此外，它們也適用于工業(yè)泵和風(fēng)扇，滿足了現(xiàn)代工業(yè)對高效能和高可靠性的要求。

新款EliteSiC SPM 31 IPM提供多種電流等級，范圍從40A到70A，滿足不同應(yīng)用的需求。同時(shí)，onsemi的IGBT SPM 31 IPM系列也為15A至35A的低電流水平提供了解決方案。這使得onsemi在行業(yè)內(nèi)成為提供最廣泛、最靈活的集成電力模塊解決方案的供應(yīng)商，能夠滿足市場上不同客戶的需求。

隨著全球數(shù)據(jù)中心數(shù)量的快速增加，市場對EC風(fēng)扇的需求預(yù)計(jì)將持續(xù)上升。這些風(fēng)扇在數(shù)據(jù)中心中扮演著至關(guān)重要的角色，確保設(shè)備在最佳工作條件下運(yùn)行，從而保證數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性。使用SiC IPM技術(shù)的EC風(fēng)扇，能夠在更高的可靠性和效率下運(yùn)行，顯著提升系統(tǒng)的整體性能。

在工業(yè)應(yīng)用方面，EC風(fēng)扇與傳統(tǒng)的較大IGBT解決方案相比，更加需要高功率密度和高效能。通過采用EliteSiC SPM 31 IPM，客戶不僅能夠獲得更小的系統(tǒng)占地面積，同時(shí)也能享受卓越的性能與簡化的設(shè)計(jì)。這種高集成度的解決方案縮短了開發(fā)周期，降低了整體系統(tǒng)成本，并有助于減少溫室氣體的排放。

舉例來說，若將一個(gè)傳統(tǒng)的IGBT電力集成模塊(PIM)替換為EliteSiC SPM 31 IPM，并且在70%負(fù)載下功率損耗為500W，預(yù)計(jì)每個(gè)EC風(fēng)扇的年能耗和成本將下降52%。這一顯著的節(jié)能效果，不僅為客戶帶來了經(jīng)濟(jì)效益，也為可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)了力量。

總之，onsemi的EliteSiC SPM 31 IPM代表了智能電力模塊技術(shù)的前沿，為各行業(yè)提供了高效、可靠的電力解決方案，助力實(shí)現(xiàn)更低的能耗和更優(yōu)的系統(tǒng)成本。隨著市場的進(jìn)一步發(fā)展，onsemi將繼續(xù)致力于創(chuàng)新，為客戶提供更具競爭力的產(chǎn)品。