針對12V輸入電路的產品電路設計,需要有更高的電壓安全系數。這一款2025年新推出到市場的國產MOS管以BVDSS_typ=55V的參數性能幫助解決上述問題。
它的創(chuàng)新性設計是基于已有成熟的產品體系而來的,可以穩(wěn)定且可靠的應用于各種12V輸入的逆變器、12V輸入的音響電源中。
它就是飛虹半導體首發(fā)新品FHP1404V型號MOS管,正是擁有上述特點,而且還擁有極低導通電阻,讓其可以無縫代換CS1404、IRF1404PbF、HY4004、FTP1404型號場效應管。
FHP1404V作為N溝道增強型場效應晶體管,它采用先進的溝槽技術,降低了導通損耗,提高了開關性能,提高了雪崩能量。

該晶體管可用于各種功率開關電路,產品外形是TO-220封裝,符合JEDEC標準,在環(huán)保上符合RoHS和REACH標準、無鹵環(huán)保。
下述將圍繞FHP1404V場效應管的產品特點、友商參數對比、推薦應用范圍、部分典型特性曲線來介紹:

一、產品特點
(1)100% Rg測試。
(2)100% EAS測試。
(3)100% DVDS瞬間熱阻測試。
(4)采用細化分檔Vth,進一步提高了產品的一致性高。
(5)通過采用特色的trench工藝,結合優(yōu)秀的封裝BOM材料和生產管控,產品滿足工業(yè)級需求。
(6)擁有極低的導通內阻RDS(on),FHP1404V的導通內阻典型值相比IRF1404PbF的低44%。導通損耗低。
(7)雪崩耐量高,抗沖擊性能強。
(8)FHP1404V擁有更高的電壓余量,BVDSS_typ=55V,應對12V輸入電壓系統(tǒng),電壓安全系數更高。

二、友商參數對比
(1)與HY4004相比擁有更低的導通內阻,降低了導通損耗,同時提高了品質因數FOM(RDSON*Qg),性能更優(yōu)。
(2)與IRF1404PbF相比,降低了導通損耗,柵極電荷更小(160nC vs 210nC),開關速度更快,可提供更高性價比的國產化替代產品。
(3)與CS1404、FTP1404對比導通電阻更優(yōu),適合追求極致效率和電流能力的產品。

三、推薦應用范圍
(1)高頻逆變器應用:12V蓄電池輸入的車載高頻逆變器中的DC/DC推挽拓撲升壓電路。
(2)適合12V的全橋拓撲結構的太陽能工頻離網逆變器應用。
(3)適合12V輸入的音響電源中的DC-DC推挽拓撲升壓電路。
(4)適合12V蓄電池供電的UPS不間斷電源。
四、部分典型特性曲線


對于常需要用于高頻逆變器、UPS電源、同步整流等領域以及針對需要12V輸入電路設計的產品建議可以多看看這一款優(yōu)質的國產化MOS管。
FHP1404V超低導通電阻、高電流能力、優(yōu)異熱管理,適合高功率密度應用(如大電流逆變器、UPS),在同領域產品中適合追求極致效率和電流能力的電路設計。
飛虹半導體致力于大功率分立器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產及銷售,給廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經有35年半導體行業(yè)經驗以及20年研發(fā)、制造經驗。除可提供免費試樣外,更可根據客戶需求進行量身定制MOS管產品。
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原文標題:2025國產MOS管:極低導通電阻、BVDSS_typ=55V更適合12V輸入電路!
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