PRISEMI芯導(dǎo)科技推出新品–全面應(yīng)對(duì)手機(jī)EOS問(wèn)題

Prisemi 重磅新品：PESDHC5D7VU、PESDHC5D3V3U
全面應(yīng)對(duì)手機(jī)EOS 問(wèn)題

針對(duì)目前智能機(jī)、功能機(jī)在客戶(hù)端經(jīng)常出現(xiàn)以下問(wèn)題：

a. 使用時(shí)無(wú)法充電（V_charge 端開(kāi)路或者短路）；
b. 無(wú)法開(kāi)機(jī)（V_bat 短路或者V_bat 端漏電流很大）；
c. 待機(jī)時(shí)間短、漏電流偏大；
d. Wifi 無(wú)法檢測(cè)信號(hào)或敏感度降低。

Prisemi 從過(guò)電性應(yīng)力（EOS）的角度發(fā)，結(jié)合電磁兼容（EMC）綜合的性能要求，考慮用戶(hù)終端對(duì)手機(jī)的干擾因素，分別從浪涌(Surge-IEC61000-4-5) 、 群 脈沖(EFT-IEC61000-4-2) 、 靜電 (ESD- IEC61000-4-2)三方面進(jìn)行測(cè)試與評(píng)估，針對(duì)某大型客戶(hù)機(jī)型在客戶(hù)端反饋較差的機(jī)型，反復(fù)從抗干擾能力和改善系統(tǒng)設(shè)計(jì)的 角度, 從之前的單機(jī)浪涌測(cè)試DC 側(cè) V_Charge 不過(guò) 60V,一度將單機(jī) 浪涌 測(cè)試 DC 側(cè) V_Charge 提高到 150V, 并最終 通過(guò)所有測(cè)試, 一舉超出目前手機(jī)類(lèi)測(cè)試要求。目前基本的原理圖設(shè)計(jì)如下：

在此期間，針對(duì)手機(jī)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求,要求抗外界干擾能力的TVS器件：

? 貼片小封裝；
?高浪涌承受能力，即瞬態(tài)通流量大，功率大；

TVS的功率大小和芯片的面積成正比例關(guān)系，如要求瞬態(tài)通流量大，同功率情況下，只能減小TVS的截止電壓，很顯然上述是相互制約的。
目前可以支持的 SMD 封裝有:DFN1006; SOD923; SOD523; SOD323。很顯然SOD323封裝較大，而且由于它的高度無(wú)法滿(mǎn)足MinUSB其他機(jī)械設(shè)計(jì)，所以只能鎖定在SOD523封裝的設(shè)計(jì)要求內(nèi)。要想全面解決整機(jī)系統(tǒng)方案，單獨(dú)一顆SOD523封裝的TVS在全功率的情況下，也極難滿(mǎn)足系統(tǒng)150V的浪涌測(cè)試要求，只有在升級(jí)方案和升級(jí)工藝兩種條件具備的情況下方可，Prisemi 在尋求工藝改進(jìn)的情況下，同時(shí)尋求新的設(shè)計(jì)方案，在可控的成本設(shè)計(jì)要求內(nèi)，最終大獲全勝。

Prismei在V_charge 端開(kāi)發(fā)：PESDHC5D7VU, 其特點(diǎn)如下：
??強(qiáng)大的Surge能力：
浪涌IEC61000-4-5，24A（8/20μs）
峰值脈沖功率，400W （8/20μs）
?EFT 保護(hù)能力：IEC61000-4-4，±4kV
? ESD 保護(hù)能力：IEC61000-4-2，±30kV（接觸），±30kV（空氣）
Prismei在V_bat 端開(kāi)發(fā)：PESDHC5D3V3U, 其特點(diǎn)如下：
??強(qiáng)大的Surge能力：
浪涌IEC61000-4-5，23A（8/20μs）
峰值脈沖功率，250W （8/20μs）
?EFT 保護(hù)能力：IEC61000-4-4，±4kV
? ESD 保護(hù)能力：IEC61000-4-2，±30kV（接觸），±30kV（空氣）
上述兩器件均以極低的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻，優(yōu)秀的抑制電壓，滿(mǎn)足了系統(tǒng)的綜合設(shè)計(jì)要求，目前主要針對(duì)的系統(tǒng)平臺(tái)有：

方案設(shè)計(jì)與整改，電話(huà)075582542001，82574660謝謝惠顧！


審核編輯 黃宇