STM32WL33系列

2024年10月14日，意法半導體的STM32WL33系列在2024第九屆IoT創(chuàng)新頒獎典禮上獲得由知名電子科技媒體電子發(fā)燒友網頒發(fā)的“IoT年度產品獎”。該獎項旨在發(fā)掘和表彰IoT行業(yè)中具有開拓精神并為企業(yè)帶來杰出貢獻的領導者，具有創(chuàng)新價值和深遠影響的杰出技術，以及在過去一年中，被市場和行業(yè)用戶所高度關注和認可的創(chuàng)新產品。

STM32WL33系列無線微控制器（MCU）官宣上市，產品集成了新一代Sub-GHz遠距離射頻收發(fā)器、Arm Cortex-M0+處理器內核和針對智能表計應用定制的外設以及改進的省電功能。新款MCU大大簡化了無線解決方案的設計，縮短了產品上市時間，并延長了電池續(xù)航時間。

此外，STM32WL33新產品擁有多協議支持和自定義調制，帶來了強大靈活性；高集成芯片降低了設計復雜度；能為開發(fā)人員提供了廣闊的生態(tài)系統(tǒng)支持。

意法半導體高功率冷卻系統(tǒng)10kW解決方案3相Vienna PFC + 壓縮機一體化解決方案 2024年10月14日，意法半導體高功率冷卻系統(tǒng)10kW解決方案3相Vienna PFC + 壓縮機一體化解決方案在2024第五屆電機控制技術市場表現獎頒獎典禮上獲得由知名電子科技媒體電子發(fā)燒友網頒發(fā)的“年度電機控制器十大主控芯片”。

意法半導體提供一整套高功率冷卻解決方案，以滿足差異化的功率范圍和架構的需求。大功率熱管理系統(tǒng)包含意法半導體最新的10kW商用壓縮機解決方案。通過使用單個STM32G4微控制器（MCU）來控制多種功能，包括三相維也納PFC、FOC（磁場定向控制）電機驅動、Nano Edge AI預測性維護和KNX集成。

該解決方案還采用意法半導體的1200V IGBT和SiC二極管以及電隔離柵極STGAP驅動器，提供穩(wěn)健、可靠的電源性能。此外，意法半導體還提供另外兩種解決方案：7kW三重FOC和交錯式PFC；4kW雙重FOC和交錯式PFC。以滿足不同客戶對熱泵和商用空調的規(guī)格要求。

主要特性：

?集中智能：
一個STM32驅動BLDC和dPFC

?ST提供的完整固件工作區(qū)：
MC FOC SDK和Vienna VOC SDK

?集成KNX總線

?高能效可采用SiC MOSFET和SiC二極管

?總CPU負載低：65%

?功率> 30%àPFC iTHD < 6%，最大功率?-> iTHD < 2%

用于AI服務器電源的ST碳化硅TOLL SCT040TO65G3

2024年11月5日，用于AI服務器電源的ST碳化硅TOLL SCT040TO65G3在2024全球電子成就獎頒獎典禮上榮獲“年度功率半導體/驅動器”。

“全球電子成就獎”（World Electronics Achievement Awards）由全球電子技術領域知名媒體集團AspenCore主辦，此獎旨在評選并表彰對推動全球電子產業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻的企業(yè)和管理者。

2024年12月12日，意法半導體在“2024行家極光獎”頒獎典禮上榮獲“年度標桿領軍企業(yè)”；同時，用于AI服務器電源的ST碳化硅TOLL SCT040TO65G3也榮獲了“年度影響力產品獎”。這些獎項主要授予在碳化硅和氮化鎵領域擁有一定成就并取得重要成績，技術水平達到行業(yè)乃至國內外先進水平，在推動行業(yè)發(fā)展、技術創(chuàng)新和市場推廣等方面作出優(yōu)異成績的企業(yè)和產品。

基于ST最新的第三代工藝的碳化硅MOS管SCT040TO65G3（TO-LL封裝），是滿足爆發(fā)式增長的AI服務器市場的最佳選擇。該碳化硅MOS管擁有極低的導通損耗，同時開關特性優(yōu)異，魯棒性強，散熱能力出眾。一經推出，出色的效率，極佳的穩(wěn)定性，廣受客戶的好評。 功能：

?非常快速且堅固的體二極管

?在整個溫度范圍內具有非常低的RDS(on)

?高速開關性能

?源開爾文引腳可提高效率

主要優(yōu)勢：

?極低的能量損失和低RON，尤其是在非常高的Tj時 - 更小更輕的系統(tǒng)具有更高的工作頻率

?熱性能

o 高工作溫度（Tjmax = 175°C）

o 降低冷卻要求和散熱器

o 延長使用壽命

?易于驅動 - 與標準柵極驅動器完全兼容

?非?？焖偾覉怨痰捏w二極管–更緊湊的逆變器

用于AI服務器電源的ST碳化硅TOLL SCT040TO65G3，專為高速相位和緊湊性、高功率和更高效的服務器和電信電源系統(tǒng)而設計。這款碳化硅功率MOSFET器件采用ST先進創(chuàng)新的第三代SiC MOSFET技術開發(fā)而成。該器件在整個溫度范圍內具有極低的RDS(on)，同時具有低電容和極高的開關操作，可提高應用在頻率、能效、系統(tǒng)尺寸和重量減輕方面的性能。