半導體微電子技術已帶領人類走進航空、航天、工業(yè)、農業(yè)和國防，也正在悄悄進入每一個家庭。目前已在米粒大的硅片上集成上16萬個晶體管，小小的硅片蘊含巨大"魔力"。

硅片是制作晶體管和集成電路的重要材料,通過對硅片進行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導體器件。用硅片制成的芯片有著驚人的運算能力。

隨著集成電路集成程度的提高，對硅片的尺寸及加工精度要求越來越高，進而對硅片加工系統(tǒng)的要求也越來越高，因此必須對以往的加工設備加以更新和改進才能滿足要求。

其中以太陽能電池片的生產工藝流程為例需要高精密和精準的流程和過濾，分為硅片檢測——表面制絨——擴散制結——去磷硅玻璃——等離子刻蝕——鍍減反射膜——絲網印刷——快速燒結等。

硅片是太陽能電池片的載體，硅片質量的直接決定了太陽能電池片轉換效率，因此有必要對來料硅片進行檢測。其中在表面制絨過程，單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結構。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。

制備絨面前，硅片須先進行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進行一般的化學清洗。經過表面準備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應盡快擴散制結。

隨之而來的，電子半導體行業(yè)需過濾鹽酸、硝酸、雙氧水以及其他一些有超高純、防腐蝕要求的化學品流體，過濾材質通常為高純PFA材料。

為了提高過濾器的精度，過濾產品需滿足更小的孔徑，僅用增加濾材密度的方式反而會降低流速，這樣過濾性能就會受到影響且提高過濾成本，越來越多高精密強腐蝕的全氟折疊濾芯應用于這些高純流體，強腐蝕環(huán)境的精細化工過濾。大連義邦PFA氟聚合物延展網可作為濾膜介質支撐，解決濾膜在強力和高壓下的耐受力，延展網孔孔距不會受壓力變化而變距，在半導體和高純硅片的制備和生產中得到更廣泛的應用，如半導體芯片、太陽能、液晶面板等行業(yè)，或者一些其他超高純流體要求的行業(yè)，需承受高密度，高壓、高流速的設計需求。

半導體器件生產中硅片須經嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質，包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面，所以半導體微電子硅片制備離不開全氟過濾PFA材料。