密歇根大學的研究團隊開發(fā)了一種新型的固態(tài)存儲設備，該設備因其卓越的耐高溫特性而有望成為計算機內(nèi)存的關鍵替代選項。與常規(guī)的硅基存儲技術相比，這種創(chuàng)新設備能夠在超過 600°C 的極端高溫條件下進行數(shù)據(jù)的存儲和重寫，這一溫度水平甚至超越了金星表面的溫度以及鉛的熔點。

密歇根大學材料科學與工程系的助理教授，同時也是本研究的主要通訊作者 Yiyang Li 指出：“目前我們已成功開發(fā)出一種能夠存儲單比特數(shù)據(jù)的設備，其性能與其他高溫計算機內(nèi)存技術相當。隨著進一步的研究和資金投入，理論上該設備具備擴展到兆字節(jié)或千兆字節(jié)數(shù)據(jù)存儲的能力?！?/p>

盡管研究顯示，向這種新型存儲器寫入信息需要250°C以上的高溫，但通過使用加熱器可以解決這一問題，從而使設備在更低的溫度下也能正常運作。

與傳統(tǒng)基于硅的存儲技術相比，這種新型設備具有顯著的優(yōu)勢。它利用帶負電的氧原子來存儲數(shù)據(jù)，而非依賴電子。當溫度超過150°C時，傳統(tǒng)的硅基半導體會開始導通不可控制的電流，從而導致存儲信息的丟失。然而，由于沒有這種限制，即使在600°C以上的高溫下，這種新型設備仍然能夠穩(wěn)定地保存數(shù)據(jù)。

這項研究是與桑迪亞國家實驗室合作完成的，并已在《Device》雜志上發(fā)表。