觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護方案及TVS選型

觸控技術是一種通過觸摸屏幕或其它觸摸表面來實現(xiàn)人機交互的技術，隨著科技的不斷發(fā)展，觸控屏已經成為手機、車機、IOT交互等現(xiàn)代電子設備中不可或缺的一部分。

最早的觸摸屏是電阻式，它由兩層導電材料構成，當用戶觸摸屏幕時，兩層導電材料會接觸，從而改變電阻值，從而實現(xiàn)位置的檢測。電阻式屏幕具有成本、技術低等優(yōu)勢，缺點是只能單點觸摸，連續(xù)滑動很容易出現(xiàn)斷點；電容式觸摸屏有自容式、互容式等等方式，目前觸目所及大部分就是互容式觸摸屏，電容式觸摸屏外形可塑性強，比如窄邊框、無邊框、折疊屏等，目前消費產品大都是采用電容屏。

觸摸屏的優(yōu)勢在于直觀的操作方式，由于它們可以通過直接與圖標和按鈕接觸來進行輸入，所以對不熟悉的用戶來說很容易理解并且易于使用。觸摸面板還允許將顯示器和輸入組合到一塊硬件中（圖1），從而實現(xiàn)設備的小型化和簡單化。這些觸摸屏內部結構的主要核心是一個用于處理計算的IC芯片，電路基板上另有一層特定圖案的透明電極模組，面板的最表面則覆蓋著絕緣玻璃或塑料蓋。當手指接近表面時，多個電極之間的電容量會同時發(fā)生變化，可以通過測量這些電流之間的比率來精確識別接觸的位置(圖2)。

觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護方案及TVS選型

圖1.電容屏結構

觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護方案及TVS選型

圖2.觸摸電路基板檢測電路

現(xiàn)今，觸摸屏已被廣泛應用于各種移動型產品中，但如與有線/無線充電器或其他負載連接時因插拔所導致的ESD/EOS噪聲，這期間將可能通過設備物理層耦合到傳感器，而對觸摸的準確性和穩(wěn)定性造成影響。以手機產品為例，不完善的邊緣布局或天線設計，甚至是未完整考慮防護的接口設備，這些都已被證明是ESD/EOS的重大來源。觸摸處理器采用深納米技術CMOS工藝，同樣的芯片面積可以放更多的晶體管，好處是提升產品運算性能，但在器件級ESD耐受度的趨勢卻是越來越弱（器件級HBM通常要求通過2kV）。處理器中每個IO都有內嵌ESD電路，且這些IO ESD cell的最大允許電流及電導(Admittance)與它們的尺寸成正比，但受IO電容和芯片尺寸的限制IO cell無法任意完成設計，受限的設計導致進入深納米技術的觸摸處理器對ESD越來越敏感。當產品受到外界ESD轟擊時，IO ESD cell鉗位電壓會隨ESD電流的增大而上升，當ESD能量過大時，鉗位電壓可能升高到IC內部最大允許電壓以上從而造成誤動作或當機；嚴重者（工廠ESD測試標準：接觸放電±8kV/空氣放電±15kV），將直接擊穿IC內部ESD保護電路后，能量繼續(xù)傳導到內部電路，造成多次損壞。

另一方面，通常TVS保護器件制程在幾百納米，TVS瞬間可以泄放ESD的能力直接與芯片面積成正比，且其耐受度遠優(yōu)于IC內嵌ESD防護設計。所以，進行系統(tǒng)級靜電放電抗擾度設計時建議在IC外部增加TVS，此時ESD電流會先通過外部TVS泄放，IC內部損壞的可能性則大大降低（圖3和圖4）。

觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護方案及TVS選型

圖3.ESD最佳泄放路徑

觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護方案及TVS選型

圖4.Touch FPC TVS防護設計

隨著手機、平板、智慧穿戴待機時長要求，電池容量希望可以做的更大，產品內部沒有足夠的空間擺放更多器件，小封裝TVS優(yōu)勢便能體現(xiàn)出來，晶焱科技推薦0201（0.6mm×0.3mm）封裝以滿足PCB空間需求和廠內ESD測試要求。如表1，針對通信接口SPI/IIC推薦AZ5A23-01F和AZ5B85-01B,均滿足ESD Level 4測試要求。另外，晶焱科技與Touch IC廠商配合，在觸摸處理器量產前便完成參考設計電路的驗證，以提供最好的技術支持來滿足客戶對ESD/EOS設計要求。

表1. Touch FPC接口ESD/EOS防護方案

未來幾年，智慧手機采用的電容式觸摸屏仍將是該領域的主導技術，紅外、光、聲波等觸覺傳感器技術將緊隨其后。無論采用哪種技術實現(xiàn)人機交互應用，接口芯片都需要在設計初期考慮ESD/EOS問題，以降低生產過程或終端客戶使用過程中的不良比率，避免返修成本及商譽損失。

提供原廠技術支持和方案應用075582542001，82574660謝謝惠顧~

審核編輯 黃宇