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ROHM推出第四代1200V IGBT

羅姆半導體集團 ? 來源:羅姆半導體集團 ? 2024-11-13 13:55 ? 次閱讀
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~助力車載電動壓縮機和工業(yè)設備逆變器等效率提升~

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業(yè)設備用逆變器等應用,開發(fā)出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現(xiàn)了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。

此次發(fā)售的產品包括4款分立封裝的產品(TO-247-4L和TO-247N各2款)和11款裸芯片產品“SG84xxWN”,預計未來將會進一步擴大產品陣容。

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近年來,汽車和工業(yè)設備朝高電壓化方向發(fā)展,這就要求安裝在車載電動壓縮機、HV加熱器和工業(yè)設備逆變器等應用中的功率元器件也能支持高電壓。另一方面,為了實現(xiàn)無碳社會,從更節(jié)能、簡化冷卻機構、外殼的小型化等角度出發(fā),對功率元器件的效率提升也提出了強烈的要求。另外,車載電子產品還需要符合車載產品可靠性標準。不僅如此,在逆變器和加熱器電路中,還要求功率元器件在發(fā)生短路時能夠切斷電流,并且需要具有更高的短路耐受能力。在這種背景下,ROHM通過改進器件結構,并采用合適的封裝形式,開發(fā)出支持高電壓、并實現(xiàn)業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力的第4代IGBT新產品。

第4代1200V IGBT通過改進包括外圍結構在內的器件結構,不僅實現(xiàn)了高達1200V的耐壓能力和符合車載電子產品標準的可靠性,還實現(xiàn)了10μsec.(Tj=25℃時)的業(yè)界超高短路耐受能力以及業(yè)界超低的開關損耗和導通損耗特性。另外,新產品采用4引腳TO-247-4L封裝,通過確保引腳間的爬電距離*4,可在污染等級為2級的環(huán)境*5中支持1100V的有效電壓,與以往產品相比,可支持更高電壓的應用。由于爬電距離對策是在器件上實施的,因此也有助于減輕客戶的設計負擔。此外,TO-247-4L封裝產品通過增加開爾文發(fā)射極引腳*6,還實現(xiàn)了高速開關和更低損耗。通過對TO-247-4L封裝新產品、普通產品和以往產品在三相逆變器中的實際效率進行比較,證實新產品的損耗比普通產品低約24%,比以往產品低約35%,這將有助于實現(xiàn)應用產品的高效率驅動。

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新產品已經(jīng)暫以月產100萬個的規(guī)模投入量產(樣品價格1,500日元/個,不含稅)。前道工序的生產基地為ROHM Co., Ltd.(日本滋賀工廠),后道工序的生產基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)。另外,新產品已經(jīng)開始通過電商進行銷售,通過Ameya360等電商平臺均可購買。

未來,ROHM將會繼續(xù)擴大更高性能IGBT的產品陣容,從而為汽車和工業(yè)設備應用的高效率驅動和小型化貢獻力量。

產品陣容

分立產品

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裸芯片產品

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SG8405WN SG8411WN SG8410WN
SG8415WN SG8409WN SG8401WN
SG8406WN SG8408WN SG8407WN
SG8412WN SG8403WN 查看更多

應用示例

車載電動壓縮機

車載HV加熱器(PTC加熱器、冷卻液加熱器)

工業(yè)設備逆變器

電商銷售信息

開始銷售時間:2024年11月起

網(wǎng)售平臺:Ameya360等

新產品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售

產品型號

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支持信息

通過ROHM官網(wǎng),可以下載包括通過仿真如實再現(xiàn)產品電氣特性的SPICE模型在內的各種電路設計所需的資料。

關于采用了RGA系列的

賽米控丹佛斯功率半導體模塊

賽米控丹佛斯額定電流10A~150A的功率半導體模塊“MiniSKiiP”,采用了ROHM的1200V耐壓IGBT“RGA系列”。

關于“EcoIGBT”品牌

EcoIGBT是ROHM開發(fā)的非常適用于功率元器件領域對耐壓能力要求高的應用的IGBT,是包括器件和模塊在內的品牌名稱。從晶圓生產到制造工藝、封裝和品質管理方法,ROHM一直在自主開發(fā)功率元器件產品升級所必需的技術。另外,ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產體系,已經(jīng)確立了功率元器件領域先進企業(yè)的地位。

術語解說

汽車電子產品可靠性標準“AEC-Q101”

AEC是Automotive Electronics Council的縮寫,是大型汽車制造商和美國大型電子元器件制造商聯(lián)手制定的汽車電子元器件的可靠性標準。Q101是適用于分立半導體元器件晶體管二極管等)的標準。

短路耐受能力

當負載等短路時,功率元器件能夠承受而不至于損壞的時間。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)

同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低導通損耗特性的功率晶體管。

爬電距離

兩個導體之間沿絕緣表面測得的最短距離。

半導體設計中,為了防止觸電、漏電、半導體產品短路,需要采取確保爬電距離和電氣間隙的絕緣對策。

污染等級2級的環(huán)境

污染等級2級相當于家庭和辦公室等常見的環(huán)境,即僅存在干燥的非導電污染物的狀態(tài)。

污染等級是確定元器件的電氣間隙和爬電距離時會產生影響的環(huán)境等級,根據(jù)污染物質的有無、數(shù)量和狀態(tài)分為1~4級。

開爾文發(fā)射極引腳

測量電壓專用的發(fā)射極引腳。通過使流過電流的發(fā)射極引腳分離,可以將電流流過時電壓壓降的影響降至更低,從而實現(xiàn)高速且穩(wěn)定的開關。

注)“MiniSKiiP”是賽米控丹佛斯的商標或注冊商標。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:新品 | ROHM開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

文章出處:【微信號:羅姆半導體集團,微信公眾號:羅姆半導體集團】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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