超薄、大電流集成式電場屏蔽電感器
屏蔽設(shè)計經(jīng)過改進(jìn)提高了額定電壓
輻射電場減小20 dB,極性標(biāo)識增強(qiáng)EMI控制
Vishay推出采用10 mm x 10 mm 4040封裝的第二代新型汽車級器件,擴(kuò)充IHLE系列超薄、大電流集成式電場屏蔽電感器。與上一代解決方案相比,Vishay DaleIHLE-4040DDEW-5A提供了改進(jìn)的屏蔽設(shè)計,極性標(biāo)識提高EMI性能的一致性,不需要單獨(dú)板級法拉第(Faraday)屏蔽,從而降低成本,節(jié)省電路板空間。 與傳統(tǒng)復(fù)合傳感器相比,日前發(fā)布的器件采用銅鍍錫集成式屏蔽罩遏制 EMI 產(chǎn)生的電場和磁場。集成式屏蔽罩接地時,IHLE-4040DDEW-5A輻射噪聲干擾可降低 20 dB,漏磁通減小 6 dB,最大限度減少基板四周組件的串?dāng)_。電感器可在 + 155 °C 高溫下連續(xù)工作,額定工作電壓和隔離電壓分別達(dá)到75 V和100 V。
IHLE-4040DDEW-5A功率電感器適用于開關(guān)電源能量存儲,并且在用作直流電源線扼流圈時具有出色的噪聲衰減性能。器件通過 AEC-Q200認(rèn)證,適用于娛樂 / 導(dǎo)航系統(tǒng)、LED 驅(qū)動器濾波和 DC / DC 轉(zhuǎn)換,以及電機(jī)、自動駕駛技術(shù)域控制單元(DCU)和其他噪聲敏感應(yīng)用的噪聲抑制。
IHLE-4040DDEW-5A采用100 %無鉛(Pb)、磁屏蔽、鐵合金密閉封裝,兩個屏蔽端子提供額外固定支撐,具有高抗熱沖擊、耐潮濕和抗機(jī)械振動能力。電感器符合 RoHS 和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn),無鹵素。
器件規(guī)格表

(1)直流電流 ( A ) 會導(dǎo)致 ΔT 下降約 40 °C
(2)直流電流 ( A ) 會導(dǎo)致 L0下降約 20 %
(3)直流電流 ( A ) 會導(dǎo)致 L0下降約 30 %
Vishay擴(kuò)充IHLE系列
超薄、大電流集成式電場屏蔽電感器
-
電感器
+關(guān)注
關(guān)注
20文章
2618瀏覽量
73063 -
Vishay
+關(guān)注
關(guān)注
20文章
895瀏覽量
119346 -
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
128文章
9040瀏覽量
147562
原文標(biāo)題:第二代集成式 EMI 屏蔽 4040 封裝汽車級 IHLE? 電感器
文章出處:【微信號:Vishay威世科技,微信公眾號:Vishay威世科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件
面向大功率家電,ST推出第二代IH系列1600V IGBT
類比半導(dǎo)體推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD80012
AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能
恩智浦推出第二代OrangeBox車規(guī)級開發(fā)平臺
類比半導(dǎo)體推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD8004
第二代AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求
方正微電子推出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品
微芯科技推出第二代低噪聲芯片級原子鐘
新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
簡單認(rèn)識第二代高通3D Sonic傳感器
第二代AMD Versal Premium系列器件的主要應(yīng)用
上海貝嶺推出第二代高精度基準(zhǔn)電壓源

Vishay推出第二代新型汽車級器件
評論