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派恩杰亮相上海SNEC光伏展,展示碳化硅功率器件

派恩杰半導體 ? 來源:派恩杰半導體 ? 2024-06-18 15:04 ? 次閱讀
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6月13日-6月15日,SNEC第十七屆(2024)國際太陽能光伏與智慧能源大會暨展覽會(以下簡稱“SNEC光伏展”)于上海國家會展中心舉辦。本次展會,碳化硅功率器件領先品牌派恩杰半導體如約參展,攜SiC功率器件、芯片設計路線以及1700V高壓器件應用方案與大家在上海見面,為工業(yè)應用以及新能源車用方案等提供了一個新的方向。

展會期間,蒞臨派恩杰8.1H C650展位咨詢的客戶絡繹不絕,紛紛對派恩杰最新技術的產(chǎn)品以及可靠封裝模塊表現(xiàn)出濃厚的興趣,并與派恩杰建立了合作聯(lián)系。

不僅是碳化硅模塊產(chǎn)品,派恩杰半導體芯片設計Roadmap以及1700V高壓器件應用方案在展會上同樣引起了不少的關注及問詢,在展會上大放異彩。

碳化硅模塊

派恩杰作為一家專注于MOSFET及碳化硅功率模塊的研發(fā)型公司,自2022年派恩杰第一款62mm模塊下線開始,注重模塊應用的高質(zhì)量生產(chǎn)和卓越的設計開發(fā)技術,探索前沿工藝能力,陸續(xù)推出了Easy1B系列模塊、HPD、HEPACK、TPAK、SOT227等產(chǎn)品。

新能源行業(yè)朝氣蓬勃,功率半導體產(chǎn)業(yè)正在成為全球集成電路行業(yè)發(fā)展的重要動力。功率半導體作為單車成本最高的半導體之一,也是國內(nèi)企業(yè)現(xiàn)階段最有可能實現(xiàn)突破的半導體領域,而碳化硅已毋庸置疑地成為了主要突破點。

隨著技術的不斷進步和應用領域的不斷拓展,碳化硅功率器件的應用將會越來越廣泛,成為電力電子領域的重要支撐。

半導體芯片設計Roadmap

派恩杰半導體專注于第三代半導體的設計與推廣,擁有深厚的技術積累和全面的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢。其中,派恩杰半導體的碳化硅MOSFET的設計水平處于行業(yè)前列,關鍵技術指標HDFM全球領先。派恩杰半導體在650V,1200V,1700V三個電壓平臺已發(fā)布100余款不同型號的碳化硅二極管,碳化硅MOSFET,碳化硅功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品,能夠為客戶提供全方位的選擇和技術支持。派恩杰半導體的量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動汽車,IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應用等領域廣泛使用,為Tier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨,且產(chǎn)品質(zhì)量與供應能力得到客戶的廣泛認可。

1700V高壓器件應用方案

對于高功率以及高電壓的應用場景例如電機驅(qū)動、光伏逆變器、儲能、充電樁以及UPS等,在這些應用場合中母線電壓高達上千伏,SiC MOSFET高壓特性可以使用單管反激拓撲實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換,使用1700V器件擁有以下優(yōu)良特性。

派恩杰應用此高壓器件開發(fā)了基于UCC28740準諧振反激以及基于UCC28C45非準諧振應用方案,兩種方案都能同時滿足高效率高功率要求,兼具貼片以及插件器件封裝。

此次上海光伏展,派恩杰不僅鞏固了與老客戶之間更深入的合作,同時與更多SiC新客戶建立了新的光伏合作。未來,派恩杰仍會不斷提升技術研發(fā)能力、增加合規(guī)產(chǎn)品產(chǎn)量并擴大產(chǎn)品應用領域,期待下次攜帶更多新產(chǎn)品與應用方案與大家見面!

派恩杰致力于碳化硅功率器件國產(chǎn)替代,專注于技術創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)。我們將持續(xù)為新能源賽道賦能,助力客戶步履更穩(wěn),行得更遠。未來我們也希望能夠和業(yè)內(nèi)更多同仁進行多方位的技術交流并保持友好合作。敬請期待!

黃興博士

派恩杰 總裁 &技術總監(jiān)

師承IGBT發(fā)明者Dr. B.Jayant Baliga與發(fā)射極關斷晶閘管發(fā)明者Dr.Alex Q.Huang。2018年創(chuàng)建派恩杰半導體(杭州)有限公司,領導派恩杰成為全球第一家量產(chǎn)元胞尺寸小于5μm的平面柵碳化硅MOSFET供應商,獲得國際新能源龍頭企業(yè)認可并收獲直供訂單,完成數(shù)億元融資。黃興博士著有10余篇科技論文,超350次引用,并擁有40余項專利,是碳化硅研發(fā)及應用領域的資深專家。

派恩杰半導體

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商,國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一,參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件,其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導入國產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1,其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級計算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機驅(qū)動等領域。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:派恩杰亮相上海SNEC光伏展 | 深化碳化硅功率器件影響

文章出處:【微信號:派恩杰半導體,微信公眾號:派恩杰半導體】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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