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UFS4.0主控進(jìn)入6nm,把握生成式AI脈動,廠商新品迭出

花茶晶晶 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:黃晶晶 ? 2024-03-23 01:09 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)智能手機(jī)終于迎來了一個創(chuàng)新性亮點(diǎn)功能,那就是生成式AI。將生成式AI裝入手機(jī),必將從旗艦機(jī)型開始逐漸向下滲透,再加上平板電腦等智能終端設(shè)備的AI化,設(shè)備的存儲性能將隨之進(jìn)行升級。UFS4.0首先應(yīng)用于旗艦智能手機(jī),UFS3.1也因其性價比滿足中低階智能設(shè)備的需求。在最近,我們看到許多存儲主控芯片廠商都推出了UFS解決方案,布局智能手機(jī)等市場。

群聯(lián)

群聯(lián)電子在1月一口氣發(fā)布了四款全新的UFS存儲解決方案,旨在滿足不同手機(jī)市場的需求。從入門級到中高端再到旗艦手機(jī),看樣子是要將各價段的手機(jī)普及AI一網(wǎng)打盡。

PS8327是一款22nm工藝的UFS 2.2主控芯片,主要面向入門級5G手機(jī)市場。其最大閃存容量可達(dá)256GB,并配備了第六代4KB LDPC ECC糾錯技術(shù),即使在單通道64GB的情況下,也能實(shí)現(xiàn)UFS 2.2規(guī)格的滿速1000MB/s傳輸。

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圖:群聯(lián)UFS存儲解決方案 電子發(fā)燒友網(wǎng)拍攝


PS8329主控芯片針對追求高性價比的中端手機(jī)市場。這款22nm UFS 3.1主控支持4KB LDPC糾錯,單通道下順序讀寫速度可達(dá)2000MB/s,計劃于今年6月開始提供樣品給合作伙伴。

PS8325主控芯片針對高端手機(jī)市場。這款12nm UFS 3.1主控采用雙通道設(shè)計,支持1Tb NAND顆粒,最大閃存容量高達(dá)1TB。同時,它還搭載了第六代4KB LDPC ECC糾錯技術(shù),預(yù)計將在本季度開始量產(chǎn),為高端手機(jī)提供更強(qiáng)大的存儲性能。

PS8361主控芯片針對旗艦手機(jī)市場。這款12nm UFS 4.0主控采用四通道設(shè)計,最大閃存容量同樣為1TB。它搭載了第六代LDPC+RAID ECC糾錯技術(shù),順序讀寫速度可超過4000MB/s,預(yù)計將在今年下半年開始出貨,為旗艦手機(jī)帶來極致的存儲體驗(yàn)。

慧榮

慧榮科技3月推出UFS(通用閃存存儲)4.0主控芯片SM2756。作為業(yè)界使用最廣泛的UFS主控芯片解決方案系列的旗艦產(chǎn)品,可滿足人工智能手機(jī)和其他高性能應(yīng)用(包括汽車和邊緣運(yùn)算)不斷增長的需求。

而此次慧榮也將UFS4.0主控升級到先進(jìn)制程。最新的SM2756UFS 4.0 主控芯片解決方案是全球最先進(jìn)的主控芯片,基于領(lǐng)先的6納米EUV技術(shù),采用MIPIM-PHY 低功耗架構(gòu),提供高性能和電源效率的最佳平衡,滿足現(xiàn)今高端AI移動設(shè)備的全天候計算需求。SM2756實(shí)現(xiàn)4,300MB/s 以上的循序讀取性能和4,000MB/s 以上的循序?qū)懭胨俣?,支持最廣泛的3DTLC 和QLCNAND 閃存,容量高達(dá)2TB。2024 年中批量生產(chǎn)。

全新第二代SM2753UFS 3.1主控芯片解決方案,采用高速串行鏈路的MIPIM-PHY HS-Gear4x2-Lane標(biāo)準(zhǔn)和SCSI體系結(jié)構(gòu)模型(SAM),實(shí)現(xiàn)前所未有的性能。繼SM2754UFS3 主控芯片取得成功后,SM2753以單通道的設(shè)計特點(diǎn),采用新一代3DTLC 和QLCNAND,提供2150MB/s 的循序讀取性能和1900MB/s 的循序?qū)懭胄阅?,滿足當(dāng)前手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用中不斷增長的UFS3.0市場需求。目前進(jìn)入批量生產(chǎn)。

得一微

最近,得一微嵌入式存儲UFS3.1主控新品YS8803,是中國大陸首款面向公開市場的UFS存儲主控。為移動設(shè)備提供高性能、大容量和低功耗的存儲解決方案而設(shè)計。該主控支持MIPI M-PHY 4.1 和UniPro 1.8,采用低功耗架構(gòu)和LDPC,支持主流NAND Flash廠商的3D MLC/TLC/QLC NAND Flash,主要應(yīng)用于UFS和uMCP等高速存儲產(chǎn)品中。

支持3D MLC/TLC/QLC NAND Flash,支持ONFI 5.X,Toggle 4.0,支持1.2V和1.8V接口電壓支持LDPC,2通道,4CE每通道支持E2E數(shù)據(jù)保護(hù),順序讀速度:2100 MB/s順序?qū)懰俣龋?600 MB/s,消費(fèi)級工作溫度范圍: -25°C ~ 85°C工業(yè)級工作溫度范圍: -40°C ~ 85°C。

小結(jié):

目前生成式AI嵌入手機(jī)開始支持70億甚至100億參數(shù)的大模型,勢必需要更快速的閃存與之匹配,當(dāng)前旗艦手機(jī)紛紛搭載UFS4.0。但業(yè)內(nèi)專家指出,大模型的輕量化會是智能手機(jī)生成式AI的發(fā)展趨勢,輕量化的大模型更適合向中低端手機(jī)滲透,UFS3.1剛好可以滿足這一需求。另一方面,采用QLC的UFS4.0也將有助于降低成本,令UFS4.0向下滲透。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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